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生田目 俊秀

生田目 俊秀 (NABATAME, Toshihide) 0000-0002-5973-0230

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論文 TSV

2024
  1. Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide. Pt/GaN Schottky Barrier Height Lowering by Incorporated Hydrogen. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 13 [4] (2024) 045002 10.1149/2162-8777/ad3959 Open Access
  2. Fumikazu Mizutani, Makoto Mizui, Nobutaka Takahashi, Mari Inoue, Toshihide Nabatame. Atomic layer deposition of ZnO thin films using a liquid cyclopentadienyl-based precursor. Journal of Vacuum Science & Technology A. 42 [2] (2024) 022403 10.1116/6.0003178
2023
  1. Bo Da, Long Cheng, Xun Liu, Kunji Shigeto, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Zejun Ding, Yang Sun, Jin Hu, Jiangwei Liu, Daiming Tang, Han Zhang, Zhaoshun Gao, Hongxuan Guo, Hideki Yoshikawa, Shigeo Tanuma. Cylindrically symmetric rotating crystals observed in crystallization process of InSiO film. Science and Technology of Advanced Materials: Methods. 3 [1] (2023) 2230870 10.1080/27660400.2023.2230870 Open Access
  2. 生田目 俊秀. 電子デバイスへ向けた原子層堆積法で作製した金属酸化膜の研究. 表面技術. 74 [3] (2023) 137-140
  3. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H.R. Tsai, Koji Kita. Effects of oxidant gas for atomic layer deposition on crystal structure and fatigue of ferroelectric HfxZr1−xO2 thin films. Solid-State Electronics. 210 (2023) 108801 10.1016/j.sse.2023.108801
  4. Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, Kazuhito Tsukagoshi. (Invited) Characteristics of GaN/High-k Capacitors Under Positive Bias Stress. ECS Transactions. 112 [1] (2023) 109-117 10.1149/11201.0109ecst
  5. Jin-Hyun Kim, Takashi Onaya, Hye Ryeon Park, Yong Chan Jung, Dan N. Le, Minjong Lee, Heber Hernandez-Arriaga, Yugang Zhang, Esther H. R. Tsai, Chang-Yong Nam, Toshihide Nabatame, Si Joon Kim, Jiyoung Kim. Toward Low-Thermal-Budget Hafnia-Based Ferroelectrics via Atomic Layer Deposition. ACS Applied Electronic Materials. 5 [9] (2023) 4726-4745 10.1021/acsaelm.3c00733
  6. Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Takatomi Izumi, Junya Nishii, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide. Gate-Bias-Induced Threshold Voltage Shifts in GaN FATFETs. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 12 [5] (2023) 055007 10.1149/2162-8777/acd1b4 Open Access
2022
  1. Ibrahima Gueye, Riku Kobayashi, Shigenori Ueda, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Operando hard X-ray photoelectron spectroscopy study of buried interface chemistry of Au/InO1.16C0.04/Al2O3/p+-Si stacks. Applied Surface Science. 593 (2022) 153272 10.1016/j.apsusc.2022.153272
  2. Yoshihiro Irokawa, Mari Inoue, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide. Comparison of Hydrogen-Induced Oxide Charges Among GaN Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Al2O3, HfO2, or Hf0.57Si0.43Ox Gate Dielectrics. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 11 [8] (2022) 085010 10.1149/2162-8777/ac8a70 Open Access
  3. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Wake-up-free properties and high fatigue resistance of HfxZr1−xO2-based metal–ferroelectric–semiconductor using top ZrO2 nucleation layer at low thermal budget (300 °C). APL Materials. 10 [5] (2022) 051110 10.1063/5.0091661 Open Access
2021
  1. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takashi Onaya, Koji Shiozaki, Ryota Ochi, Tamotsu Hashizume, Yasuo Koide. Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition. Journal of Vacuum Science & Technology A. 39 [6] (2021) 062405 10.1116/6.0001334
  2. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Ryota Ochi, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Yasuo Koide. (Invited) Study of HfO2-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. (2021) 113-120 10.1149/10404.0113ecst
  3. Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Kazuhito Tsukagoshi. Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures. ECS Transactions. (2021) 121-128 10.1149/10404.0121ecst
  4. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Tomomi Sawada, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita. Study of SiO2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric HfxZr1−XO2-Based Metal-Ferroelectric Semiconductor. ECS Transactions. (2021) 129-135 10.1149/10404.0129ecst
  5. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Influence of adsorbed oxygen concentration on characteristics of carbon-doped indium oxide thin-film transistors under bias stress. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [SC] (2021) SCCM01 10.35848/1347-4065/abe685
  6. Yoshihiro Irokawa, Tomoko Ohki, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide. Ambient-hydrogen-induced changes in the characteristics of Pt/GaN Schottky diodes fabricated on bulk GaN substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [6] (2021) 068003 10.35848/1347-4065/ac0260
  7. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of HfxZr1−xO2 thin films using synchrotron x-ray analysis. APL Materials. 9 [3] (2021) 031111 10.1063/5.0035848 Open Access
  8. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Comparison of characteristics of thin-film transistor with In2O3 and carbon-doped In2O3 channels by atomic layer deposition and post-metallization annealing in O3. Japanese Journal of Applied Physics. 60 [3] (2021) 030903 10.35848/1347-4065/abde54
  9. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, L. S. R. Kumara, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Highly-crystalline 6 inch free-standing GaN observed using X-ray diffraction topography. CrystEngComm. 23 [7] (2021) 1628-1633 10.1039/d0ce01572e Open Access
  10. Liwen Sang, Bing Ren, Toshihide Nabatame, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao. Insight into traps at Al2O3/p-GaN metal-oxide-semiconductor interface fabricated on free-standing GaN substrate. Journal of Alloys and Compounds. 853 (2021) 157356 10.1016/j.jallcom.2020.157356 Open Access
  11. Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Hajime Kiyono. Interface characteristics of β-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors after postmetallization annealing. Journal of Vacuum Science & Technology A. 39 [1] (2021) 012401 10.1116/6.0000626
2020
  1. 上殿明良, Marcel Dickmann, Werner Egger, 生田目 俊秀, Christoph Hugenschmidt, 石橋章司. 陽電子消滅を用いたAl2O3/GaN の空隙・空孔型欠陥の評価. Positron sciences. 15 (2020) 11-16
  2. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1−xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition. Applied Physics Letters. 117 [23] (2020) 232902 10.1063/5.0029709
  3. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1−XO2/ZrO2 Bi-layer. ECS Transactions. 98 [3] (2020) 63-70 10.1149/09803.0063ecst
  4. Ryota Ochi, Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Koji Shiozaki, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume. Gate controllability of HfSiOx/AlGaN/GaN MOS high-electron-mobility transistor. AIP Advances. 10 [6] (2020) 065215 10.1063/5.0012687 Open Access
  5. Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Hajime Kiyono. Correlation between SiO2 growth rate and difference in electronegativity of metal–oxide underlayers for plasma enhanced atomic layer deposition using tris(dimethylamino)silane precursor. Journal of Vacuum Science & Technology A. 38 [3] (2020) 032409 10.1116/6.0000078
  6. Fumikazu Mizutani, Shintaro Higashi, Mari Inoue, Toshihide Nabatame. Atomic layer deposition of high purity Ga2O3 films using liquid pentamethylcyclopentadienyl gallium and combinations of H2O and O2 plasma. Journal of Vacuum Science & Technology A. 38 [2] (2020) 022412 10.1116/1.5134738
  7. Ha Hoang, Yuki Ueta, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Solution processed In-Si-O thin film transistors on hydrophilic and hydrophobic substrates. Thin Solid Films. 698 (2020) 137860 10.1016/j.tsf.2020.137860
  8. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Satoshi Hiroi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Surface morphology smoothing of a 2 inch-diameter GaN homoepitaxial layer observed by X-ray diffraction topography. RSC Advances. 10 [4] (2020) 1878-1882 10.1039/c9ra08882b Open Access
  9. Hai Dang Ngo, Kai Chen, Ørjan S. Handegård, Anh Tung Doan, Thien Duc Ngo, Thang Duy Dao, Naoki Ikeda, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Nanoantenna Structure with Mid-Infrared Plasmonic Niobium-Doped Titanium Oxide. Micromachines. 11 [1] (2020) 23 10.3390/mi11010023 Open Access
2019
  1. Hai Dang Ngo, Thien Duc Ngo, Akemi Tamanai, Kai Chen, Nguyen Thanh Cuong, Orjan S. Handegard, Annemarie Pucci, Naoto Umezawa, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Structure and optical properties of sputter deposited pseudobrookite Fe2TiO5 thin films. CrystEngComm. 21 [1] (2019) 34-40 10.1039/c8ce01475b Open Access
  2. NABATAME, Toshihide. Characteristics of Several High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. (2019) 109-117 10.1149/09204.0109ecs
  3. Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, Mutsunori Uenuma, Toshihide Nabatame, Yasuhiko Nakashima, Takahito Imai, Yusaku Magari, Daichi Koretomo, Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura. Memristive characteristic of an amorphous Ga-Sn-O thin-film device. Scientific Reports. 9 [1] (2019) 10.1038/s41598-019-39549-9 Open Access
  4. Liwen Sang, Bing Ren, Raimu Endo, Takuya Masuda, Hideyuki Yasufuku, Meiyong Liao, Toshihide Nabatame, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide. Boosting the doping efficiency of Mg in p-GaN grown on the free-standing GaN substrates. Applied Physics Letters. 115 [17] (2019) 172103 10.1063/1.5124904
  5. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Osami Sakata, Yasuo Koide. Hydrogen effect on Pt/Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [10] (2019) 100915 10.7567/1347-4065/ab476a
  6. Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Anh Tung Doan, Yoshiki Wada, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. An On‐Chip Quad‐Wavelength Pyroelectric Sensor for Spectroscopic Infrared Sensing. Advanced Science. 6 [20] (2019) 1900579 10.1002/advs.201900579 Open Access
  7. Ha Hoang, Kazutaka Sasaki, Tatsuki Hori, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Silicon-doped indium oxide – a promising amorphous oxide semiconductor material for thin-film transistor fabricated by spin coating method. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 625 (2019) 012002 10.1088/1757-899x/625/1/012002 Open Access
  8. Shinya Aikawa, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Si-incorporated amorphous indium oxide thin-film transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [9] (2019) 090506 10.7567/1347-4065/ab2b79
  9. Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Koji Shiozaki, Hajime Kiyono. Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111036 10.1016/j.mee.2019.111036
  10. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Akira Uedono, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yasuo Koide. Investigation of Al2O3/GaN interface properties by sub-bandgap photo-assisted capacitance-voltage technique. AIP Advances. 9 [8] (2019) 085319 10.1063/1.5098489 Open Access
  11. Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yoshihiro Irokawa, Hideo Iwai, Hideyuki Yasufuku, Satoshi Kawada, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Yasuo Koide, Hajime Kiyono. Influence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111040 10.1016/j.mee.2019.111040
  12. Thang Duy Dao, Chung Vu Hoang, Natsuki Nishio, Naoki Yamamoto, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Masakazu Aono, Tadaaki Nagao. Dark-Field Scattering and Local SERS Mapping from Plasmonic Aluminum Bowtie Antenna Array. Micromachines. 10 [7] (2019) 468 10.3390/mi10070468 Open Access
  13. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Atsushi Tanaka, Jun Chen, Kenji Watanabe, Yoshio Katsuya, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, Osami Sakata. Anisotropic mosaicity and lattice-plane twisting of an m-plane GaN homoepitaxial layer. CrystEngComm. 21 [27] (2019) 4036-4041 10.1039/c9ce00463g Open Access
  14. Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 3-13 10.1149/09203.0003ecst
  15. Toshihide Nabatame, Ippei Yamamoto, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi, Thang Duy Dao, Tomoji Ohishi, Tadaaki Nagao. Change of Electrical Properties of Rutile- and Anatase-TiO2 Films by Atomic Layer Deposited Al2O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 15-21 10.1149/09203.0015ecst
  16. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition. Microelectronic Engineering. 215 (2019) 111013 10.1016/j.mee.2019.111013 Open Access
  17. Thang Duy Dao, Anh Tung Doan, Satoshi Ishii, Takahiro Yokoyama, Handegård Sele Ørjan, Dang Hai Ngo, Tomoko Ohki, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Chisato Niikura, Shinsuke Miyajima, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. MEMS-Based Wavelength-Selective Bolometers. Micromachines. 10 [6] (2019) 416 10.3390/mi10060416 Open Access
  18. Anh Tung Doan, Takahiro Yokoyama, Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Yoshiki Wada, Shigenao Maruyama, Tadaaki Nagao. A MEMS-Based Quad-Wavelength Hybrid Plasmonic–Pyroelectric Infrared Detector. Micromachines. 10 [6] (2019) 413 10.3390/mi10060413 Open Access
  19. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers. APL Materials. 7 [6] (2019) 061107 10.1063/1.5096626 Open Access
  20. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Lattice-plane bending angle modulation of Mg-doped GaN homoepitaxial layer observed by X-ray diffraction topography. CrystEngComm. 21 [14] (2019) 2281-2285 10.1039/c8ce01906a Open Access
  21. Fumikazu Mizutani, Shintaro Higashi, Mari Inoue, Toshihide Nabatame. Atomic layer deposition of stoichiometric In2O3 films using liquid ethylcyclopentadienyl indium and combinations of H2O and O2 plasma. AIP Advances. 9 [4] (2019) 045019 10.1063/1.5081727 Open Access
  22. Atsushi Goto, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Masataka Tansho, Kenjiro Hashi, Shinobu Ohki, Tadashi Shimizu, Yasuo Koide. 71Ga NMR characterization of an n-doped free-standing gallium nitride wafer. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [3] (2019) 031003 10.7567/1347-4065/aafd1a
  23. Ahmed A.M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Masaru Nakamura, Xiuwei Fu, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Ecofriendly Mg2Si-based photodiode for short-wavelength IR sensing. Materials Science in Semiconductor Processing. 91 (2019) 222-229 10.1016/j.mssp.2018.11.033
  24. Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Tomoji Ohishi. Characteristics of Al2O3/native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 034001 10.1088/1361-6641/aafdbd
  25. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Mapping of a Lattice-Plane Tilting in a GaN Wafer Using Energy-Resolved X-Ray Diffraction Topography. Physical Review Applied. 11 [2] (2019) 024072 10.1103/physrevapplied.11.024072 Open Access
  26. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Koji Shiozaki, Naoki Ikeda, Tomoji Ohishi, Akihiko Ohi. Hafnium silicate gate dielectrics in GaN metal oxide semiconductor capacitors. Applied Physics Express. 12 [1] (2019) 011009 10.7567/1882-0786/aaf62a
  27. Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasuda, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Si-doping effect on solution-processed In-O thin-film transistors. Materials Research Express. 6 [2] (2019) 026410 10.1088/2053-1591/aaecf9
2018
  1. IROKAWA, Yoshihiro, MITSUISHI, Kazutaka, NABATAME, Toshihide, KIMOTO, Koji, KOIDE, Yasuo. Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 57 [11] (2018)
  2. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Yanna Chen, Satoshi Hiroi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Characterization of a 4-inch GaN wafer by X-ray diffraction topography. CrystEngComm. 20 [48] (2018) 7761-7765 10.1039/c8ce01440j Open Access
  3. Ashutosh Kumar, Kazutaka Mitsuishi, Toru Hara, Koji Kimoto, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Yasuo Koide. Comparative Analysis of Defects in Mg-Implanted and Mg-Doped GaN Layers on Freestanding GaN Substrates. Nanoscale Research Letters. 13 [1] (2018) 10.1186/s11671-018-2804-y Open Access
  4. Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto, Yasuo Koide. Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001). Japanese Journal of Applied Physics. 57 [9] (2018) 098003 10.7567/jjap.57.098003
  5. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Lattice-plane orientation mapping of homo-epitaxial GaN(0001) thin films via grazing-incidence X-ray diffraction topography in 2-in. wafer. Applied Physics Express. 11 [8] (2018) 081002 10.7567/apex.11.081002 Open Access
  6. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Kazunori Kurishima, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated Using TiN Stressor and ZrO2 Nucleation Techniques. ECS Transactions. 86 [6] (2018) 31-38 10.1149/08606.0031ecst
  7. Okkyun Seo, Jae Myung Kim, Chulho Song, Yanfang Lou, L. S. R. Kumara, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshio Katsuya, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Evaluation of lattice curvature and crystalline homogeneity for 2-inch GaN homo-epitaxial layer. AIP Advances. 8 [7] (2018) 075318 10.1063/1.5042098 Open Access
  8. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improved leakage current properties of ZrO 2 /(Ta/Nb)O x -Al 2 O 3 /ZrO 2 nanolaminate insulating stacks for dynamic random access memory capacitors. Thin Solid Films. 655 (2018) 48-53 10.1016/j.tsf.2018.02.010 Open Access
  9. Yanfang Lou, Chulho Song, Yanna Chen, Loku Singgappulige Rosantha Kumara, Natalia Palina, Okkyun Seo, Satoshi Hiroi, Kentaro Kajiwara, Masato Hoshino, Kentaro Uesugi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Synchrotron X-ray diffraction characterization of the inheritance of GaN homoepitaxial thin films grown on selective growth substrates. CrystEngComm. 20 [20] (2018) 2861-2867 10.1039/c8ce00229k Open Access
  10. 生田目 俊秀, 木村 将之, 弓削 雅津也, 井上万里, 池田 直樹, 大石友司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の酸化ガスがAl2O3膜の電気特性へ及ぼす影響. JOURNAL OF THE SURFACE SCIENCE SOCIETY OF JAPAN. 61 [5] (2018) 280-285
  11. Akira Uedono, Toshihide Nabatame, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Masatomo Sumiya, Shoji Ishibashi. Vacancy-type defects in Al2O3/GaN structure probed by monoenergetic positron beams. Journal of Applied Physics. 123 [15] (2018) 155302 10.1063/1.5026831
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  13. 生田目 俊秀. 原子層堆積法を用いた酸化物薄膜スタックの電気特性制御と多値メモリー. 応用物理. 87 [1] (2018) 25-28
2017
  1. Yoshihiro Irokawa, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto, Tsuyoshi Ohnishi, Kazutaka Mitsuishi, Yasuo Koide. Low-energy ion scattering spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction of native oxides on GaN(0001). Japanese Journal of Applied Physics. 56 [12] (2017) 128004 10.7567/jjap.56.128004
  2. Kazutaka Mitsuishi, Koji Kimoto, Yoshihiro Irokawa, Taku Suzuki, Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kiyokazu Nakagawa, Yasuo Koide. Electron microscopy studies of the intermediate layers at the SiO2/GaN interface. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [11] (2017) 110312 10.7567/jjap.56.110312
  3. Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Thang Duy Dao, Ippei Yamamoto, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Kazuyuki Kohama, Tomoji Ohishi, Atsushi Ogura, Tadaaki Nagao. Improvement of smooth surface of RuO2 bottom electrode on Al2O3 buffer layer and characteristics of RuO2/TiO2/Al2O3/TiO2/RuO2 capacitors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 35 [6] (2017) 061503 10.1116/1.4998425
  4. Liwen Sang, Bing Ren, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Atsushi Tanaka, Yujin Cho, Yoshitomo Harada, Toshihide Nabatame, Takashi Sekiguchi, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes. Applied Physics Letters. 111 [12] (2017) 122102 10.1063/1.4994627
  5. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of Hf x Zr1− x O2 thin films using ZrO2 seed layer. Applied Physics Express. 10 [8] (2017) 081501 10.7567/apex.10.081501
  6. Kunji Shigeto, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame. Radial Interference Contrast in in-situ SEM Observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization. Microscopy and Microanalysis. 23 [S1] (2017) 1512-1513 10.1017/s1431927617008224
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  9. Xu Gao, Meng-Fang Lin, Bao-Hua Mao, Maki Shimizu, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Wei Ou-Yang, Toshihide Nabatame, Zhi Liu, Kazuhito Tsukagoshi, Sui-Dong Wang. Correlation between active layer thickness and ambient gas stability in IGZO thin-film transistors. Journal of Physics D: Applied Physics. 50 [2] (2017) 025102 10.1088/1361-6463/50/2/025102
2016
  1. Kexiong Zhang, Meiyong Liao, Masataka Imura, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, Liwen Sang. Electrical hysteresis in p-GaN metal–oxide–semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3as gate dielectric. Applied Physics Express. 9 [12] (2016) 121002 10.7567/apex.9.121002
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  7. Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Takahiro Yokoyama, Tomomi Sawada, Ramu Pasupathi Sugavaneshwar, Kai Chen, Yoshiki Wada, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Hole Array Perfect Absorbers for Spectrally Selective Midwavelength Infrared Pyroelectric Detectors. ACS Photonics. 3 [7] (2016) 1271-1278 10.1021/acsphotonics.6b00249
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  9. Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Thin-film growth of (110) rutile TiO2on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GG06 10.7567/jjap.55.06gg06
  10. Kattareeya Taweesup, Ippei Yamamoto, Toyohiro Chikyow, Gobboon Lothongkum, Kazutoshi Tsukagoshi, Tomoji Ohishi, Sukkaneste Tungasmita, Patama Visuttipitukul, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Toshihide Nabatame. Improvement of the effective work function and transmittance of thick indium tin oxide/ultrathin ruthenium doped indium oxide bilayers as transparent conductive oxide. Thin Solid Films. 598 (2016) 126-130 10.1016/j.tsf.2015.11.070 Open Access
2015
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  3. Takahiro Nagata, Kazuyoshi Kobashi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Chinnamuthu Paulsamy, Yoshihisa Suzuki, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Ge incorporated epitaxy of (110) rutile TiO2 on (100) Ge single crystal at low temperature by pulsed laser deposition. Thin Solid Films. 591 (2015) 105-110 10.1016/j.tsf.2015.08.031
  4. Thang Duy Dao, Kai Chen, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Masahiro Kitajima, Tadaaki Nagao. Infrared Perfect Absorbers Fabricated by Colloidal Mask Etching of Al–Al2O3–Al Trilayers. ACS Photonics. 2 [7] (2015) 964-970 10.1021/acsphotonics.5b00195
  5. Shimaa A. Abdellatef, Riho Tange, Takeshi Sato, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. Nanostructures Control the Hepatocellular Responses to a Cytotoxic Agent “Cisplatin”. BioMed Research International. 2015 (2015) 1-10 10.1155/2015/925319 Open Access
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  7. Yongxun Liu, Toshihide Nabatame, Num Nguyen, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O’uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Wataru Mizubayashi, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Toyohiro Chikyow, Meishoku Masahara. Channel shape and interpoly dielectric material effects on electrical characteristics of floating-gate-type three-dimensional fin channel flash memories. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DD04 10.7567/jjap.54.04dd04
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  10. Meng-Fang Lin, Xu Gao, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Wei Ou-Yang, Shinya Aikawa, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Reduction of the interfacial trap density of indium-oxide thin film transistors by incorporation of hafnium and annealing process. AIP Advances. 5 [1] (2015) 017116 10.1063/1.4905903 Open Access
  11. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Toyohiro Chikyo. Role of the (Ta/Nb)Ox/Al2O3 interface on the flatband voltage shift for Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multilayer charge trap capacitors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [1] (2015) 01A118 10.1116/1.4901231
2014
  1. Wei Ou-Yang, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Xu Gao, Meng-Fang Lin, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Controllable film densification and interface flatness for high-performance amorphous indium oxide based thin film transistors. Applied Physics Letters. 105 [16] (2014) 163503 10.1063/1.4898815
  2. I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, F. Ganss, G. Beddies, M. Albrecht, I. M. Makogon. Influence of the substrate choice on the L10phase formation of post-annealed Pt/Fe and Pt/Ag/Fe thin films. Journal of Applied Physics. 116 [4] (2014) 044310 10.1063/1.4891477
  3. Xu Gao, Shinya Aikawa, Nobuhiko Mitoma, Meng-Fang Lin, Takio Kizu, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Self-formed copper oxide contact interlayer for high-performance oxide thin film transistors. Applied Physics Letters. 105 [2] (2014) 023503 10.1063/1.4890312
  4. Yongxun Liu, Toshihide Nabatame, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Wataru Mizubayashi, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Toyohiro Chikyow, Meishoku Masahara. Comparative Study of Charge Trapping Type SOI-FinFET Flash Memories with Different Blocking Layer Materials. Journal of Low Power Electronics and Applications. 4 [2] (2014) 153-167 10.3390/jlpea4020153 Open Access
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  6. Takio Kizu, Shinya Aikawa, Nobuhiko Mitoma, Maki Shimizu, Xu Gao, Meng-Fang Lin, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Low-temperature processable amorphous In-W-O thin-film transistors with high mobility and stability. Applied Physics Letters. 104 [15] (2014) 152103 10.1063/1.4871511
  7. Shimaa Abdellatef, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. The Effect of Physical and Chemical Cues on Hepatocellular Function and Morphology. International Journal of Molecular Sciences. 15 [3] (2014) 4299-4317 10.3390/ijms15034299 Open Access
  8. Nobuhiko Mitoma, Shinya Aikawa, Xu Gao, Takio Kizu, Maki Shimizu, Meng-Fang Lin, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Stable amorphous In2O3-based thin-film transistors by incorporating SiO2 to suppress oxygen vacancies. Applied Physics Letters. 104 [10] (2014) 102103 10.1063/1.4868303
  9. Shimaa A. Abdellatef, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. Induction of hepatocyte functional protein expression by submicron/nano-patterning substrates to mimic in vivo structures. Biomater. Sci.. 2 [3] (2014) 330-338 10.1039/c3bm60191a
2013
  1. I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, F. Ganss, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, G. Beddies, M. Albrecht, Iu. M. Makogon. Influence of the annealing atmosphere on the structural properties of FePt thin films. Journal of Applied Physics. 114 [16] (2013) 164314 10.1063/1.4827202
  2. Shinya Aikawa, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Effects of dopants in InOx-based amorphous oxide semiconductors for thin-film transistor applications. Applied Physics Letters. 103 [17] (2013) 172105 10.1063/1.4822175
  3. Kazuyoshi Kobashi, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura, Toshihide Nabatame, Toyohiro Chikyow. Reduction of interfacial SiO2 at HfO2/Si interface with Ta2O5 cap. Journal of Applied Physics. 114 [1] (2013) 014106 10.1063/1.4811691
  4. Shinya Aikawa, Peter Darmawan, Keiichi Yanagisawa, Toshihide Nabatame, Yoshiyuki Abe, Kazuhito Tsukagoshi. Thin-film transistors fabricated by low-temperature process based on Ga- and Zn-free amorphous oxide semiconductor. Applied Physics Letters. 102 [10] (2013) 102101 10.1063/1.4794903
2012
  1. Toshihide Nabatame, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Akihiko Ohi, Tomoji Ohishi, Toyohiro Chikyow. Influence of Oxygen Transfer in Hf-based High-k Dielectrics on Flatband Voltage Shift. Thin Solid Films. 520 [8] (2012) 3387-3391 10.1016/j.tsf.2011.10.086
2011
  1. Pattira Homhuan, Toshihide Nabatame, Toyohiro Chikyow, Sukkaneste Tungasmita. Effect of Y Content in (TaC)$_{1-x}$Y$_{x}$ Gate Electrodes on Flatband Voltage Control for Hf-Based High-$k$ Gate Stacks. Japanese Journal of Applied Physics. 50 [10] (2011) 10PA03 10.1143/jjap.50.10pa03

書籍 TSV

2022
  1. 長尾 忠昭, ダオ デュイ タン, ドアン タン アン, 石井 智, 生田目 俊秀. Wavelength-Selective Photothermal Infrared Sensors. Springer, 2022, 28.

会議録 TSV

2023
  1. Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, Kazuhito Tsukagoshi. (Invited) Characteristics of GaN/High-k Capacitors Under Positive Bias Stress. ECS Transactions. 112 [1] (2023) 109-117 10.1149/11201.0109ecst
2019
  1. Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
2017
  1. Toshihide Nabatame. Trapping mechanism of charge trap capacitor with Al2O3/High-k/Al2O3 multilayer. ECS transactions. (2017) 131-138 10.1149/07901.0131ecst
2016
  1. Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Kai Chen, Takahiro Yokoyama, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Aluminum infrared plasmonic perfect absorbers for wavelength selective devices. SPIE Proceedings . (2016) 10.1117/12.2238514
2015
  1. DAO, Duy Thang, CHEN, Kai, ISHII, Satoshi, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, KITAJIMA, Masahiro, NAGAO, Tadaaki. Aluminum Infrared Plasmonic Perfect Absorbers Fabricated by Colloidal Lithography. Proceedings of CLEO-PR 2015. (2015) 25E3_7-1-25E3_7-2
  2. T. Nabatame. Hetero interface of ionic/covalent oxides for Nano-electronics. ECS TRANSACTIONS. (2015) 173-181 10.1149/06701.0173ecst
2012
  1. NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, Tomoji Ohishi. Mechanism of Vfb shift in HfO2 gate stack by Al diffusion from (TaC)1-xAlx gate electrode. ECS TRANSACTIONS. (2012) 49-59
2011
  1. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of oxygen transfer for high-k/SiO2/Si stack structure on Vfb shift. ECS TRANSACTIONS. (2011) 10.1149/1.3572296
2010
  1. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of hetero interface of ionic/covalent oxides for Pt/high-k/SiO2/Si MOS capacitors on Vfb shift. ECS TRANSACTIONS. (2010) 10.1149/1.3481592
  2. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of Oxygen in Hf-based High-k Gate Stacks on Vfb Shifts. Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2010 10th IEEE International Conference . (2010) 10.1109/icsict.2010.5667509
2009
  1. Toriumi Akira, NABATAME, Toshihide. Anomalous Vfb shift in High-k Gate Stacks - Is its origin at the top or bottom interface? -. ECS TRANSACTIONS. (2009) 3-16

口頭発表 TSV

2024
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 山下 良之, 塚越 一仁, 喜多 浩之. 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの界面反応に起因する 分極疲労抑制メカニズムに関する考察. 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2024
  2. 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 色川 芳宏, 宮本 真奈美, 三浦 博美, 小出 康夫, 塚越 一仁. SiO2ダミープロセスを用いたc及びm面のGaN/Al2O3/PtキャパシタのPBS特性の改善. 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2024
2023
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Y. Morita, H. Ota, S. Migita, K. Kita. Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom-Electrode. 54th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2023
  2. NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, IROKAWA, Yoshihiro, 宮本 真奈美, 三浦 博美, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Improvement of PBS properties for c- and m-GaN/Al2O3/Pt capacitors using a dummy SiO2 layer. 54th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2023
  3. 生田目 俊秀. 原子層堆積技術がリードする電子デバイス. 日本電子材料技術協会　2023年第60回秋期講演大会. 2023 招待講演
  4. Takashi Onaya, NABATAME, Toshihide, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Koji Kita. Impact of ALD-ZrO2 nucleation layers on leakage current properties and dielectric constant of ferroelectric HfxZr1−xO2-thin films. 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023). 2023
  5. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Koji Kita. Impact of ALD-ZrO2 nucleation layers on leakage current properties and dielectric constant of ferroelectric HfxZr1−xO2-thin films. 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023). 2023
  6. NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, SAWADA, Tomomi, 宮本 真奈美, 三浦 博美, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Improvement of characteristics for n-GaN/Al2O3/Pt capacitor with the GaN surface modified by the dummy SiO2 process. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices. 2023
  7. ONAYA, Takashi, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Koji Kita. Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices. 2023
  8. NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Characteristics of GaN/High-k capacitors under positive bias stress. 244th ECS Meeting. 2023 招待講演
  9. 生田目 俊秀, 小林 陸, 塚越 一仁. 原子層堆積法で作製したInOxチャネルを用いた 酸化物トランジスタの特性. 第87回半導体・集積回路技術シンポジウム. 2023 招待講演
  10. Makoto Mizui, Nobutaka Takahashi, Fumikazu Mizutani, NABATAME, Toshihide. Atomic Layer Deposition of Tin Oxide Thin Films Using a New Liquid Precursor Bis(ethylcyclopentadienyl) Tin. ALD2023 (AVS 23rd International Conference on Atomic Layer Deposition). 2023
  11. SAWADA, Tomomi, NABATAME, Toshihide, 高橋 誠, 伊藤 和博, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Crystalline structure of Ga2O3 films on GaN(0001) and sapphire(0001) substrates after annealing process. THERMEC 2023 International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications. 2023
  12. NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, IROKAWA, Yoshihiro, YASUFUKU, Hideyuki, NISHIO, Mitsuaki, KAWADA, Satoshi, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Ga diffusion profile and electrical properties of GaN capacitors with high-k gate insulators. THERMEC 2023 International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced MaterialsProcessing, Fabrication, Properties, Applications. 2023 招待講演
  13. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, K. Kita. Role of interface reaction layer between ferroelectric HfxZr1−xO2 thin film and TiN electrode on endurance properties. INFOS2023 23rd CONFERENCE ON INSULATING FILMS ON SEMICONDUCTORS. 2023
  14. NABATAME, Toshihide, KOBAYASHI, Riku, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Characteristics of oxide TFT using atomic-layer deposited InOx-based metal oxide channel. 2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors. 2023 招待講演
  15. 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  16. 生田目 俊秀. 酸化物半導体デバイスにおける原子層堆積技術の最前線. 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023 招待講演
  17. 武田 大樹, 女屋 崇, 生田目 俊秀, 喜多 浩之. 界面形成手法によるSiO2/β-Ga2O3(001)バンドアライメントの違いの考察. 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
  18. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 松川 貴. TiN下部電極の表面酸化による強誘電体TiN/HfxZr1−xO2/TiNキャパシタの分極疲労の抑制. 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
  19. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 高橋 誠, 伊藤 和博, 女屋 崇, 色川 芳宏, 小出 康夫, 塚越 一仁. GaN(0001)基板上でのアモルファスGa2O3膜の熱処理による高配向結晶成長. 第28回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2023
2022
  1. Fumikazu Mizutani, Makoto Mizui, Nobutaka Takahashi, INOUE, Mari, NABATAME, Toshihide. Plasma-enhanced atomic layer deposition of zinc oxide thin films using a liquid cyclopentadienyl-based precursor and oxygen plasma. MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  2. NABATAME, Toshihide. Study of gate insulator for GaN power device using atomic layer deposition. MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022 招待講演
  3. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Koji Kita, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Takashi Matsukawa. Ferroelectric HfxZr1−xO2-based capacitors with controlled-oxidation surface of TiN bottom-electrode. MNC 2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  4. SAWADA, Tomomi, NABATAME, Toshihide, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, ONAYA, Takashi, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Structural change of Ga2O3 film on GaN(0001) substrate by atomic layer deposition and post-deposition annealing. MNC2022, 35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2022
  5. NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, ONAYA, Takashi, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Growth of Ga2O3 films on Si and GaN substrates by atomic layer deposition and post-deposition annealing. Visual-JW 2022 & DEJI2MA-2. 2022 招待講演
  6. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, 喜多 浩之, 右田 真司, 太田 裕之, 森田 行則. 異なる酸化剤を用いた原子層堆積法により作製した 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの構造評価. 2022年　第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  7. 水谷 文一, 水井 誠, 高橋 伸尚, 井上 万里, 生田目 俊秀. 新規液体原料（Zn(Cppm)2）によるZnO薄膜の原子層堆積. 2022年　第83回応用物理学会秋季学術講演会. 2022
  8. KOIDE, Yasuo, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, MITSUISHI, Kazutaka. Surface and oxide interface characterization of n and p-GaN for power electronics. 19th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors: DRIP XIX. 2022 招待講演
  9. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 太田 裕之, 森田 行則. 強誘電性の向上へ向けたTiN/HfxZr1−xO2界面のTiOxNy層の重要性. 第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2022
2021
  1. 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 井上 万里, 廣瀨 雅史, Ryota Ochi, 澤田 朋実, 色川 芳宏, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, 塚越 一仁, 小出 康夫. Study of HfO2-based High-k gate insulators for GaN power device. 240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021 招待講演
  2. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁. Importance of Annealing Step on Dielectric Constant of ZrO2 Layer of MIM Capacitors with Al2O3/ZrO2 and ZrO2/Al2O3 Stack Structures. 240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021
  3. 女屋崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, 澤田 朋実, 太田裕之, 森田行則. Study of SiO2 Interfacial Layer Growth during Fabrication Process of Ferroelectric HfxZr1−xO2-Based Metal-Ferroelectric-Semiconductor. 240th ECS Meeting / https://www.electrochem.org/240/. 2021
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, 澤田 朋実, 太田 裕之, 森田 行則. TiN/HfxZr1−xO2/Si-MFS作製におけるSiO2界面層成長の抑制. 第82回応用物理学会秋季学術講演会 / https://meeting.jsap.or.jp/. 2021
  5. 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 井上 万里, 廣瀨 雅史, Ryota Ochi, 色川 芳宏, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, 小出 康夫. Investigation of HfSiOx gate insulator formed by changing fabrication process conditions for GaN power device. AWAD2021. 2021 招待講演
  6. Fumikazu Mizutani, Makoto Mizui, Nobutaka Takahashi, 井上 万里, 生田目 俊秀. Growth Mechanism of the Atomic Layer Deposition of ZnO Thin Films Using Bis(n-propyltetramethylcyclopentadienyl)Zinc. 21st International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2021). 2021
  7. 生田目 俊秀, 井上 万里, 前田 瑛里香, 女屋 崇, 廣瀨 雅史, 小林 陸, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塚越 一仁. Study of SiO2 growth mechanism between a single SiO2 and (HfO2)/(SiO2) nanolaminate formation by ALD using TDMAS and H2O gas. 21st International Conference on Atomic Layer Deposition. 2021
  8. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Effect of Ti Scavenging Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Atomic Layer Deposition Using Hf/Zr Cocktail Precursor. AVS 21st International Conference on Atomic Layer Deposition (ALD 2021) / https://ald2021.avs.org/. 2021
  9. 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 井上 万里, Ryota Och, 色川 芳宏, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, 小出 康夫. Study of HfSiOx film as gate insulator for GaN power device. 20th International Workshop on Junction Technology 2021. 2021 招待講演
  10. 生田目 俊秀, 色川 芳宏, Akira Uedono, 大井 暁彦, 池田 直樹, 小出 康夫. Investigation of Al2O3/GaN interface using photo-assisted capacitance-voltage technique. INTERNATIONAL CONFERENCE ON PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS（THERMEC'2021). 2021 招待講演
  11. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, OHI, Akihiko, 塩崎宏司, 清野肇, IKEDA, Naoki. Characteristics of GaN/HfSiOx interface for n-GaN/HfSiOx/Pt MOS capacitor. International Conference on PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS (THERMEC'2021). 2021
  12. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. 放射光X線による低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の直方晶相同定の検討. 第68回応用物理学会春季学術講演会. 2021
  13. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Control of ferroelectric phase formation in HfxZr1−xO2 thin films using nano-ZrO2 nucleation layer technique. MANA International Symposium 2021/https://www.nims.go.jp/mana/2021/index.html. 2021
  14. 越智亮太, 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 塩﨑宏司, 橋詰　保. HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価. 電子デバイス研究会「化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス／マイクロ波一般 」. 2021
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Study on Ferroelectric Switching Properties and Fatigue Mechanism of Low-Temperature Fabricated HfxZr1−xO2 Thin Films using Pulse Measurement. 第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－ (EDIT26). 2021
2020
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Possibility of Above 20-nm-Thick HfxZr1−xO2/ZrO2 and HfxZr1−xO2/HfO2 Bilayers for High Polarization and Breakdown Voltage. 51th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2020
  2. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Influence of Adsorbed O2 on The Gate-Bias Stress Stability of Back-Gate-Type TFT with Carbon-Doped In2O3 Channel. 33rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference/https://mnc2020.award-con.com/LOGIN.php. 2020
  3. NABATAME, Toshihide, 大石知司, INOUE, Mari, 高橋　誠, 伊藤和博, IKEDA, Naoki, OHI, Akihiko. Characteristic of flexible ReRAM with Al2O3/TiO2 active layer by ALD and PDA process at low temperature. PRime2020. 2020
  4. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1−xO2/ZrO2 Bi-layer. Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid-State Science 2020 (PRiME 2020). 2020
  5. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 橋詰保, 清野肇. GaNパワーデバイス用HfAlOx、HfSiOx、AlSiOx、Al2O3及びHfO2 絶縁膜の特性比較. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  6. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 井上 万里, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison S. Kim, 澤本 直美, 長田 貴弘, Jiyoung Kim, 小椋 厚志. HfxZr1−xO2/ZrO2積層構造による強誘電体厚膜の強誘電性の向上. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  7. 越智 亮太, 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 塩崎 宏司, 橋詰 保. HfSiOxゲートAlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート制御性. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  8. 小林 陸, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. Air及びN2雰囲気のバイアスストレスによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTのトランジスタ特性. 第81回応用物理学会秋季学術講演会. 2020
  9. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. Ferroelectricity of Ferroelectric HfxZr1−xO2/Antiferroelectric ZrO2 Stack Structure Fabricated by Atomic Layer Deposition. 20th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2020
  10. NABATAME, Toshihide, Takashi Onaya, Erika Maeda, Masashi Hirose, IROKAWA, Yoshihiro, Koji Shiozaki, KOIDE, Yasuo. Study of ALD HfO2-based high-k for GaN power devices and Ferroelectric devices. 20th International conference on Atomic Layer Deposition (ALD/ALE 2020). 2020 招待講演
  11. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, NAGATA, Takahiro, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. Ferroelectricity of 300°C Low Temperature Fabricated HfxZr1−xO2 Thin Films by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition using Hf/Zr Cocktail Precursor. 20th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2020
  12. KANO, Emi, MITSUISHI, Kazutaka, IROKAWA, Yoshihiro, NABATAME, Toshihide, KIMOTO, Koji, 加地徹, KOIDE, Yasuo. Crystallization differences of Al2O3 on GaN planes. 日本顕微鏡学会第76回学術講演会. 2020
  13. 女屋 崇, 生田目 俊秀, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, 澤本 直美, 長田 貴弘, R. M. Wallace, J. Kim, 小椋 厚志. プラズマ原子層堆積法で300 °C低温形成した強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の疲労特性. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  14. 杉山 直之, 生田目 俊秀, 上杉 文彦, 内城貴則, 川崎直彦. 半導体メモリ絶縁膜特性解明に対する 電子顕微鏡を中心とした分析的アプローチ . 第67回応用物理学会春季学術講演会 . 2020
  15. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫, 清野肇. PDA雰囲気ガスがn-β-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  16. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. NBS及びPBSによるアモルファスCarbon-doped In2O3TFTの信頼性特性. 2020年第67回応用物理春季学術講演会. 2020
  17. 越智 亮太, 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 塩崎 宏司, 橋詰 保. HfSiOxゲート AlGaN/GaN MOS-HEMT の電気的特性評価 . 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  18. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. GaN/HfSiOx界面でSiO2及びHfO2初期成長層が電気特性へ及ぼす影響. 第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
  19. KOBAYASHI, Riku, NABATAME, Toshihide, 栗島 一徳, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Comparison of Oxide TFT with C-doped and C-free In2O3 Channels by ALD. MANA INTERNATIONAL SYMPOSIUM 2020/https://www.nims.go.jp/mana/2020/. 2020
  20. NGO, Hai Dang , CHEN, Kai, DOAN, Tung Anh, HANDEGARD, Orjan Sele, NGO, Duc Thien, DAO, Duy Thang, IKEDA, Naoki, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Nanoantenna structure with mid-infrared plasmonic niobium doped titanium oxide. The 13th MANA International Symposium 2020 jointly with ICYS. 2020
  21. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. ALD法で作製したC-doped及びC-free In2O3膜を チャネルとした酸化物TFTの比較. 「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第25回）. 2020
  22. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. GaN/HfSiOxキャパシタの電気特性に対するHfSiOx絶縁膜の膜厚依存性. 第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2020
  23. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫, 清野肇. Al2O3/β-Ga2O3スタック構造のPMA効果と界面特性の関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー. 2020
  24. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 池田 直樹, 色川 芳宏, 小出 康夫, 清野肇. Al2O3/β-Ga2O3スタック構造のPMA効果と界面特性の関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会　ー材料・プロセス・デバイス特性の物理ー. 2020
2019
  1. NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, 塩崎 宏司, KOIDE, Yasuo. Electrical properties of GaN MOS capacitors with ALD-High-k gate insulators. MATERIALS RESEARCH MEETING 2019. 2019 招待講演
  2. ONAYA, Takashi, Y. C. Jung, NABATAME, Toshihide, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, H. S. Kim, A. Khosravi, N. Sawamoto, R. M. Wallace, NAGATA, Takahiro, J. Kim, 小椋 厚志. Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using 300°C Low Temperature Process with Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition. 50th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2019
  3. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 堀江 智之, 池田 直樹, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 塩崎宏司, 清野肇. HfSiO x 絶縁膜 の GaN パワーデバイス における n GaN/HfSiO x 界面の構造解析. 第2回結晶工学×ISYSE合同研究会. 2019
  4. 廣瀨 雅史, NABATAME, Toshihide, 前田 瑛里香, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, 清野肇. Influence of post-metallization annealing on the characteristics of Pt/Al2O3/n-β-Ga2O3 capacitors after post-deposition annealing. 2019 IWDTF. 2019
  5. SANG, Liwen, 任 兵, ENDO, Raimu, MASUDA, Takuya, NABATAME, Toshihide, SUMIYA, Masatomo, KOIDE, Yasuo, LIAO, Meiyong. Enhanced doping efficiency of p-GaN grown on free standing GaN substrates. The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors. 2019
  6. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, Y. C. Jung, H. Hernandez-Arriaga, J. Mohan, N. Sawamoto, H. S. Kim, R. M. Wallace, J. Kim, A. Khosravi, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Comparison of Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Several Processes with Plasma-Enhanced and Thermal Atomic Layer Deposition. The 19th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium. 2019
  7. NGO, Hai Dang , HANDEGARD, Orjan Sele, NGO, Duc Thien, DAO, Duy Thang, DOAN, Tung Anh, NAGAO, Tadaaki, NABATAME, Toshihide. Structure, optical and electrical properties of sputter deposited LaB6 thin films. Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2019 日本表面真空学会学術講演会. 2019
  8. NABATAME, Toshihide, 前田 瑛里香, INOUE, Mari, 廣瀨 雅史, 清野肇, IROKAWA, Yoshihiro, 塩崎宏司, KOIDE, Yasuo. Characteristics of several High-k gate insulators for GaN power device. 236th ECS Meeting. 2019 招待講演
  9. 小林 陸, NABATAME, Toshihide, 栗島 一徳, 女屋 崇, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, 小椋 厚志. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated By Low-Temperature ALD Using Ιn-Etcp and H2O&O3 . 236th ECS Meeting. 2019
  10. NGO, Hai Dang , CHEN, Kai, DOAN, Tung Anh, HANDEGARD, Orjan Sele, DAO, Duy Thang, NGO, Duc Thien, NABATAME, Toshihide, IKEDA, Naoki, NAGAO, Tadaaki, OHI, Akihiko. Nanoantenna structure with mid-infrared plasmonic niobium-doped titanium dioxide. ICSFS19-The 19th International Conference on Solid Films and Surfaces . 2019
  11. 三石 和貴, 木本 浩司, 色川 芳宏, 生田目 俊秀, 小出 康夫. 電子顕微鏡による電子材料評価技術の最近の発展. 第 38 回電子材料シンポジウム （EMS38). 2019 招待講演
  12. NGO, Hai Dang , CHEN, Kai, DOAN, Tung Anh, HANDEGARD, Orjan Sele, NGO, Duc Thien, IKEDA, Naoki, DAO, Duy Thang, OHI, Akihiko, NAGAO, Tadaaki, NABATAME, Toshihide. Fabrication of Plasmonic Nanoantenna with Mid-infrared Niobium-Doped Titanium Dioxide . 応用物理学会秋季学術講演会/JSAP Autumn Meeting 2019. 2019
  13. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 前田 瑛里香, 池田 直樹, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 岩井 秀夫, 安福 秀幸, 川田 哲, 高橋誠, 伊藤和博, 小出 康夫, 清野肇. Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOSキャパシタの熱処理温度による電気特性の変化. 第80回応用物理学会秋季学術講演. 2019
  14. 水谷 文一, 東 慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 液体原料（GaCp*）を用いた高純度Ga2O3薄膜の原子層堆積. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  15. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. GaN/HfSiOx/PtキャパシタでGaN/HfSiOx界面が電気特性に及ぼす影響. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  16. 生田目 俊秀, 大石 知司, 井上 万里, 高橋 誠, 伊藤 和博, 池田 直樹, 大井 暁彦. Al2O3/TiO2二層構造を用いたフレキシブル抵抗変化型メモリの抵抗スイッチング特性. 2019年日本金属学会秋期講演大会. 2019
  17. 水谷 文一, 東　慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. GaCp*を原料とした高純度Ga2O3 薄膜の原子層堆積. 第140回講演大会　表面技術協会. 2019
  18. 生田目 俊秀. Hf-Si-O系GaNゲート絶縁膜. IG-GaN研究会. 2019 招待講演
  19. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 清野　肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  20. 廣瀨 雅史, NABATAME, Toshihide, 前田 瑛里香, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, IROKAWA, Yoshihiro, KOIDE, Yasuo, 清野肇. Influence of surface cleaning process on initial growth of ALD-Al2O3 and electrical properties of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. ALD2019. 2019
  21. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, OHI, Akihiko, Makoto Takahashi, IKEDA, Naoki, Kazuhiro Ito, 清野　肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  22. HIROSE, Masafumi, NABATAME, Toshihide, YUGE, Kazuya, MAEDA, Erika, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, IROKAWA, Yoshihiro, IWAI, Hideo, 安福 秀幸, KAWADA, Satoshi, KOIDE, Yasuo. Influence of post-deposition annealing on electrical characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. INFOS 2019. 2019
  23. ONAYA, Takashi, 澤本 直美, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated using plasma-enhanced atomic layer deposition and low temperature annealing process. 21th Conference of “Insulating Films on Semiconductors”. 2019
  24. MAEDA, Erika, NABATAME, Toshihide, HIROSE, Masafumi, INOUE, Mari, YUGE, Kazuya, OHI, Akihiko, 清野肇, IKEDA, Naoki, 塩崎宏司. Change of characteristics for n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by various post-deposition annealing. INFOS 2019. 2019
  25. 生田目 俊秀. 原子層堆積法によるHf系酸化膜の作製とその特性. 第４回原子層プロセスワークショップ. 2019 招待講演
  26. Ha Hoang, Kazutaka Sasaki, Tatsuki Hori1, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide, Bui Nguyen Quoc Trinh. Silicon-doped indium oxide – a promising amorphous oxide semiconductor material for thin-film transistor fabricated by spin coating method. International Conference on Materials Engineering and Nano Sciences (ICMENS 2019). 2019
  27. 水谷　文一, 東　慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 新規原料（ GaCp*)によるGa2O3薄膜の原子層堆積. 第139回講演大会　表面技術協会. 2019
  28. YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, 上殿 明良, SANG, Liwen, KOIDE, Yasuo, 大石 知司. Influence of post-deposition annealing on interface characteristics at Al2O3/n-GaN. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference. 2019
  29. 栗島 一徳, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋 厚志. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. IEEE EDTM 2019. 2019
  30. 堀 龍輝, Ha Hong, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 藤原 明比古. アモルファス酸化物薄膜半導体 In-Si-O 薄膜の相安定性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  31. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. 300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  32. Ha Hoang, Kazutaka Sasaki, Tatsuki Hori, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide, Bui Nguyen Quoc Trinh, Aikihiko Fujiwara1. Silicon-doped indium oxide thin-film transistor fabricated via spin coating. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  33. SEO, Okkyun, KIM, Jaemyung, HIROI, Satoshi, IROKAWA, Yoshihiro, NABATAME, Toshihide, KOIDE, Yasuo, SAKATA, Osami. Characterization of a GaN wafer and a homo-epitaxial layer by synchrotron X-ray topography techniques. The 66th JSAP Spring Meeting, 2019. 2019
  34. 生田目 俊秀, 百瀬 健, 霜垣 幸浩, 出浦 桃子, 遠藤 和彦, 入沢 寿史, 岡田 直也, 有本 宏, 佐藤 宗英. 原子層プロセス（ALP）技術開発推進を目指した包括的な産学連携体の構築. TIA光・量子計測シンポジウム. 2019
  35. NGO, Hai Dang , NGO, Duc Thien, TAMANAI, Akemi, CHEN, Kai, HANDEGARD, Orjan Sele, NGUYEN, Cuong Thanh, UMEZAWA, Naoto, Annemarie Pucci, NAGAO, Tadaaki, NABATAME, Toshihide. Structure and optical properties of sputter deposited pseudobrookite Fe2TiO5 thin films. MANA International Symposium 2019. 2019
  36. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, 上殿明殿, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司. Al2O3/n-GaN界面での伝導帯/価電子帯近傍の界面準位密度に関する研究. 膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会. 2019
  37. 廣瀨雅史, 生田目俊秀, 大井暁彦, 前田瑛里香, 弓削雅津也, 池田直樹, 色川芳宏, 小出康夫. Al2O3絶縁膜を用いたn-GaN及びn-β-Ga2O3キャパシタの電気特性の比較. 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
  38. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
  39. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 清野肇. Hfリッチな組成のHfSiOxゲート絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの特性. 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
2018
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Improvement of Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films by New ZrO2 Nucleation Technique. 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2018
  2. 生田目 俊秀. ALD法を用いた電子デバイスの強誘電体/高誘電体薄膜の作製技術. 薄膜実践セミナーIV. 2018 招待講演
  3. キム ジェミョン, ソ オッキュン, ソン チョルホ, 廣井 慧, チェン ヤナ, 色川 芳宏, 生田目 俊秀, 小出 康夫, 坂田 修身. Lattice-plane orientation mapping of 2-inch homo-epitaxial GaN (0001) thin films by grazing incident x-ray diffraction topography. IWN 2018. 2018
  4. IROKAWA, Yoshihiro, MITSUISHI, Kazutaka, NABATAME, Toshihide, KIMOTO, Koji, KOIDE, Yasuo. Crystalline intermediate layers in oxides/GaN(0001). International Workshop on Nitride Semiconductors 2018. 2018
  5. 生田目 俊秀, 色川 芳宏, Koji Shiozaki, 小出 康夫. Study of High-k gate insulator for GaN power device by atomic layer deposition. 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2018 招待講演
  6. CHEN, Jun, YI, Wei, KIMURA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SEKIGUCHI, Takashi. Wafer-Scale Analysis of GaN by Imaging CL Technique. The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018). 2018
  7. 色川 芳宏, 三石 和貴, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 大西 剛, 木本 浩司, 小出 康夫. Comprehensive Study of Native Oxides on GaN(0001). International Workshop on Nitride Semiconductors 2018. 2018
  8. 生田目 俊秀. 原子層堆積法の基礎とそれを用いた応用. 日本学術振興会「先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会」. 2018 招待講演
  9. 坂田 修身, キム ジェミョン, ソ オッキュン, ソン チョルホ, チェン ヤナ, 廣井 慧, 色川 芳宏, 生田目 俊秀, 小出 康夫. ホモエピタキシャルGaN (0001)格子面の方位マッピング. 日本結晶学会2018年度年会. 2018
  10. ELAMIR, Ahmed Mohamed Elsayed Ahmed, OHSAWA, Takeo, NABATAME, Toshihide, OHI, Akihiko, WADA, Yoshiki, NAKAMURA, Masaru, SHIMAMURA, Kiyoshi, OHASHI, Naoki. IR photoresponse characteristics of Mg2Si pn-junction diode fabricated by RTA. JCCG47. 2018
  11. 生田目 俊秀, 井上 万里, 前田瑛里香, 弓削雅津也, 廣瀨雅文, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 池田 直樹, Tomoji Ohishi, 大井 暁彦. Growth mechanism and characteristics of Hf-Si-O film by PE-ALD using TDMAS and TDMAH precursors and oxygen plasma gas. AVS 65th International symposium & Exhibition. 2018
  12. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ゲートバイアスストレスにおけるAl2O3パッシベーション層を用いたAl2O3/In-SI-O-C薄膜トランジスタの信頼性. AiMES 2018. 2018
  13. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, 澤本直美, 栗島一徳, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, 小椋厚志. Ferroelectricity of HfxZr1－xO2 thin films fabricated using TiN stressor layer and ZrO2 nucleation layer. AiMES 2018. 2018
  14. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  15. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 大石知司. HfSiOx絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの高耐圧特性. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  16. キム ジェミョン, ソ オッキュン, ソン チョルホ, 廣井 慧, チェン ヤナ, 色川 芳宏, 生田目 俊秀, 小出 康夫, 坂田 修身. Lattice-plane orientation mapping of 2-inch homo-epitaxial GaN (0001) thin films by grazing incident x-ray diffraction topography. JSAP Autumn Meeting 2018. 2018
  17. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 小椋厚志. ZrO2シード層による強誘電体HfxZr1−xO2薄膜形成. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018 招待講演
  18. 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司, 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫. GaN(0001)自然酸化膜の複合的評価. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  19. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  20. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ナノZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の作製技術. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018 招待講演
  21. 水谷文一, 東慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 新規原料（GaCp*）による酸化ガリウム薄膜の原子層堆積. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  22. 小出 康夫, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 三石 和貴. GaN系絶縁膜制御技術. 応用物理学会 特別シンポジウム：GaNのエピタキシャル成長とデバイス. 2018 招待講演
  23. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, 上殿 明良, サン リウエン, 小出 康夫, 大石 知司. 光支援C-V法を用いたAl2O3/n-GaN界面ディープトラップの分析. Solid State Devices and Materials. 2018
  24. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application. SSDM2018. 2018
  25. Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasada, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, Bui Nguyen Quoc Trinh, A.Fujiwara. Characterization of solution-processed In-Si-O thin-film transistors. International Conference on Solid State Devices and Materials (S. 2018
  26. 重藤　訓志, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀. In-situ SEM observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization. Royal Society of Chemistry-Tokyo International Conference (RSC-T. 2018
  27. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Effect of ZrO2 capping-layer on ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films by ALD using Hf/Zr cocktail precursor. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  28. 生田目 俊秀, 井上 万里, 高橋誠, 伊藤和博, 池田 直樹, 大井 暁彦. Different growth mechanism of SiO2 layer on various High-k films by PE-ALD using Tris(dimethylamino)silane and oxygen plasma. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  29. 水谷文一, 東 慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. Reaction Mechanisms of the Atomic Layer Deposition of Indium Oxide Thin Films Using Ethylcycropentadienyl Indium. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  30. Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasuda, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Investigation on solution-processed In-Si-O thin film transistor via spin-coating method. 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays. 2018
  31. 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの自然酸化膜層が電気特性へ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2018
  32. 小出 康夫, 坂田 修身, 渡邊 賢司, 三石 和貴, 生田目 俊秀, 色川 芳宏. p-GaN中の結晶欠陥の複合的な評価. 応用物理学会 結晶工学分科　会第１４９回結晶工学分科会研究会. 2018 招待講演
  33. 生田目 俊秀. ALD-Al2O3成長におけるAl2O3/基板界面の解析. 第28回シンポジウム「アトミックレイヤープロセッシングの基礎と最新. 2018 招待講演
  34. 生田目 俊秀, 木村将之, 弓削 雅津也, 井上 万里, 池田 直樹, 大石知司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の成長条件がAl2O3膜の特性へ及ぼす影響. 2018春期（第162回）日本金属学会講演大会. 2018
  35. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  36. 陳 君, イ ウェイ, 関口 隆史, 生田目 俊秀, 江戸雅晴. 電子線誘起電流法によるGaN Schottky領域の転位と電流リーク箇所の観察. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  37. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 知京 豊裕, 小出 康夫, 大石 知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  38. ダオ デュイ タン, チェン カイ, 石井 智, 横山 喬大, 澤田 朋実, ラム パスパティ スガヴァネシュワー, シンデ サティッシュ ラクスマン, ドアン アン ツン, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Large-Area Perfect Absorbers for Infrared Spectroscopic Devices . MANA International Symposium 2018. 2018
  39. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上. 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ. 2018
  40. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスターに対する信頼性へのAl2O3/In0.76Si0.24O0.99C0.01界面の影響. PCSI-45. 2018
2017
  1. 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司, 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫. Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study. 第18回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会. 2017
  2. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films using double nanocrystal ZrO2 layers. 2017 IWDTF. 2017
  3. 生田目 俊秀. 電子デバイスにおける原子層堆積技術の有効性. 第5回エレクトロニクス薄膜材料研究会. 2017 招待講演
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会-プロセス科学と新プロセス技術-. 2017
  5. 陳 君, イ ウェイ, ジョ ユージン, 生田目 俊秀, 関口 隆史, 知京 豊裕. EBIC法によってGaN MISデバイス界面の観察. The 17th conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics . 2017
  6. 生田目 俊秀. Characteristics of RuO2/TiO2/Al2O3/TiO2/RuO2 Capacitors. 232nd ECS MEETING. 2017 招待講演
  7. 水谷　文一, 東慎太郎, 生田目 俊秀. 液体原料を用いた高純度インジウム酸化膜の原子層堆積. 第136回表面技術協会講演大会. 2017
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ナノ結晶ZrO2シード層を用いた厚膜HfxZr1-xO2の強誘電性. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  9. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響. 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  10. 木津 たきお, 相川 慎也, 池田幸弘, 上野啓司, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. ALDで形成したInOx高移動度TFT. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  11. 相川 慎也, 木津 たきお, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 急峻なサブスレッショルドスロープを持つALD-AlOx ゲート絶縁膜アモルファス. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  12. Jan Hani Esmael, Hoang Ha, 中村 翼, 古賀 友彰, 伊奈 稔哲, 宇留賀 朋哉, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, 藤原明比古. Structural characteristics of In-Si-O films fabricated via solution processing. IUMRS-ICAM 2017. 2017
  13. Hoang Ha, Jan Hani Esmael, 古賀友彰, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, 藤原明比古. Characterization of doped In2O3 thin films by spin-coating technique. IUMRS-ICAM 2017. 2017
  14. JAN Esmael Hani, HOANG Ha, NAKAMURA Tsubasa, KOGA Tomoaki , INA　Toshiaki , URUGA Tomoya, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide, FUJIWARA Akihiko. Structural characteristics of In-Si-O films fabricated via solution processing. IUMRS-ICAM 2017. 2017
  15. HOANG Ha, JAN Esmael Hani, KOGA Tomoaki , KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide, FUJIWARA Akihiko. Characterization of doped In2O3 thin films by spin-coating technique. IUMRS-ICAM 2017. 2017
  16. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. Effect of ZrO2-seed-layer on ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin film for memory applications. XXVI International Materials Research Congress. 2017
  17. 生田目 俊秀. Resistive switching characteristics in memristors with Al2O3-TiO2 bilayers. XXVI International Materials Research Congress. 2017 招待講演
  18. 生田目 俊秀. 熱ALD及びPE-ALD法で形成したHigh-k絶縁膜. 2017年真空・表面科学合同講演会. 2017 招待講演
  19. Kunji Shigeto, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀. Radial Interference Contrast in in-situ SEM Observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization. Microscopy & Microanalysis 2017 Meeting. 2017
  20. Fumikazu Mizutani, Shintaro Higashi, 生田目 俊秀. High purity indium oxide films prepared by modified ALD using liquid ethylcyclopentadienyl indium. 17th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2017
  21. ダオ デュイ タン, 石井 智, 横山 喬大, 澤田 朋実, ラム パスパティ スガヴァネシュワー, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Spectrally-Selective Infrared Detectors using Hole Array Perfect Absorbers. The 8th International Conference on Surface Plasmon Photonics. 2017
  22. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープIn-Si-O薄膜トランジスタの負バイアス不安定性. ULSIC vs TFT 2017. 2017
  23. NABATAME, Toshihide. Trapping mechanism of charge trap capacitor with Al2O3/High-k/Al2O3 multilayer. ULSI vs. TFT6. 2017 招待講演
  24. 山崎祥美, 大石知司, 生田目 俊秀. 光照射とポリシラザン塗布膜による高ガスバリア膜低温形成技術の開発. 日本セラミックス協会　2017年会. 2017
  25. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 大石知司. Pt触媒効果により酸素欠陥及び酸素を導入したAl2O3膜の特性. APS March Meeting. 2017
  26. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ALD-ZrO2シード層によるHfxZr1-xO2膜の強誘電性の改良. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  27. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響. 第64回 応用物理学会春季学術講演会. 2017
  28. ダオ デュイ タン, 石井 智, 横山 喬大, 澤田 朋実, ラム パスパティ スガヴァネシュワー, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Hole Array Perfect Absorbers for Spectrally Selective Infrared Detectors . MANA International Symposium 2017. 2017
  29. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 大石知司. Pt触媒効果を用いたALD-Al2O3膜の熱処理雰囲気とVfbシフトの関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
  30. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較. 第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
  31. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-kシード層がHfZrO2膜の強誘電性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. 2017
2016
  1. 生田目 俊秀. Trapping mechanism of charge trap capacitors with various high-k multilayers. ENGE 2016. 2016 招待講演
  2. 生田目 俊秀. Characteristics of charge trap capacitors with high-k multilayer. Nano Science & Technology-2016. 2016 招待講演
  3. 生田目 俊秀. Effect of TMA on resistive switching characteristics in memristors with TiO2/Al2O3 bilayer. 2016 China ALD conference. 2016 招待講演
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. Role of Interlayer in ZrO2/high-k/ZrO2 Insulating Multilayer on Electrical Properties for DRAM Capacitor. PRiME 2016 (2016年電気化学会(ECSJ)秋季大会). 2016
  5. ダオ デュイ タン, 石井 智, 横山 喬大, 澤田 朋実, ラム パスパティ スガヴァネシュワー, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Plasmonic Hole Array Perfect Absorbers for Wavelength-Selective Infrared Pyroelectric Detectors. 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2016). 2016
  6. 生田目 俊秀, 伊藤　和博, 高橋　誠, 弓削　雅津也, 女屋 崇, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石　知司, 小椋　厚志, 知京 豊裕. Al2O3/ZrO2/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける電子トラップのメカニズム. 日本金属学会2016年秋期大会. 2016
  7. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  8. ダオ デュイ タン, 石井 智, 横山 喬大, 澤田 朋実, ラム パスパティ スガヴァネシュワー, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Hole Array Perfect Absorbers for Spectrally Selective Midwavelength Infrared Pyroelectric Detectors. The 77rd JSAP Autumn Meeting, 2016. 2016
  9. ダオ デュイ タン, 横山 喬大, 石井 智, 澤田 朋実, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Utilizing Efficient Light - Heat Conversion in Aluminum Perfect Absorbers for Spectrally Selective Infrared Detectors. The 77rd JSAP Autumn Meeting (5th JSAP-OSA Joint Symposia), 2016. 2016
  10. ダオ デュイ タン, 石井 智, 横山 喬大, 澤田 朋実, ラム パスパティ スガヴァネシュワー, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Hole Array Plasmonic Perfect Absorbers for Selective Mid-Wavelength Infrared Pyroelectric Dectectors. The 14th Int. Conf. Near-Field Optics, Nanophotonics (NFO-14). 2016
  11. 生田目 俊秀. Characteristics of high-k thin films by atomic layer deposition. PRICM9. 2016
  12. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 澤本直美, 知京 豊裕, 小椋厚志. Improvement of leakage current properties of ZrO2/(Ta/Nb)Ox-Al2O3/ZrO2 nano-laminate insulating stacks for DRAM capacitor. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  13. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 栗島 一徳, 小椋厚志, 知京 豊裕. Comparison of tapping mechanism of ZrO2 and (Ta/Nb)x charge trapping layers for charge trap capacitor with high-k multilayers. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  14. 重藤訓志, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀. 金属酸化物半導体薄膜結晶化プロセスのその場SEM観察. 第26回電子顕微鏡大学. 2016
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会. 2016
  16. 生田目 俊秀, 山本 逸平, 澤田 朋実, 大井 暁彦, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋　厚志, 大石　知司. Electrical properties of anatase-TiO2 films due to the oxygen vacancy introduced by oxidation of trimethylaluminium. 2016 MRS Spring Meeting. 2016
  17. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2キャパシタにおけるPE-ALD RuO2とTiN電極の耐圧特性の比較. 日本金属学会 2016年春期（第158回）講演大会. 2016
  18. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. XPSを用いたトリメチルアルミニウムガスによるTiO2膜からの自己制御型の酸素脱離メカニズムの解析. 日本金属学会 2016年春季講演大会. 2016
  19. ダオ デュイ タン, 石井 智, チェン カイ, 横山 喬大, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Aluminum Infrared Perfect Absorbers for Wavelength Selective Devices. The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016. 2016
  20. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性. 第63回 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  21. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおける リーク電流特性の改善. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  22. 生田目 俊秀. 原子層堆積法で作製した金属酸化物薄膜の電子デバイスへの展開. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016 招待講演
  23. 木津 たきお, 相川 慎也, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 二層 InSiO 薄膜トランジスタ の水素還元とオゾン酸化効果. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  24. 山崎祥美, 大石知司, 生田目 俊秀, 伊藤和博, 高橋誠. ポリシラザン塗布膜への光照射により作製した高ガスバリア膜形成PETフィルムの性質と構造. 日本セラミックス協会　2016年春季年会. 2016
  25. ダオ デュイ タン, 石井 智, チェン カイ, 横山 敬郎, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Infrared Plasmonic Perfect Absorbers-Based Selective Infrared Devices. MANA International Symposium 2016. 2016
  26. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善. 電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）. 2016
  27. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料とTiO2膜の酸素の自己制御型反応によるアナターゼTiO2膜への酸素欠損の形成のメカニズム. 電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）. 2016
  28. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会−材料・プロセス・デバイス特性. 2016
2015
  1. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋, 知京 豊裕. TiO2/Ge 界面のGe拡散による影響. Materials Research Society of Japan. 2015
  2. 生田目 俊秀, 大井 暁彦. 金属/酸化物接合界面のナノオーダーレベル構造解析. 大阪大学接合科学研究所東京セミナー、アディティブ・マニュファクチ. 2015 招待講演
  3. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. Self-limiting Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Trimethylaluminium. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  4. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物TFTのCドープInSiOチャネル材料の研究. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  5. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋, 知京 豊裕. Ge上ルチル型TiO2成膜条件の最適化の検討. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2015
  6. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋　崇, 大井 暁彦, 伊藤　和博, 高橋　誠, 小濱　和之, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. PE-ALD法により作製したRuO2を下部電極に用いたTiO2/Al2O3/TiO2キャパシターの特性. IWDTF 2015. 2015
  7. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Oxidation of Trimethylaluminium. IWDTF 2015. 2015
  8. Liudmila Alekseeva, Dmitry Chigirev, Eugeny Osachev, Anatoly Petrov, Alexander Romanov, 知京 豊裕, 生田目 俊秀. Resistive switching and memory effects in BE-Pt/Al2O3/TiO2/Pt-TE and BE-Pt/TiO2/Al2O3/Pt-TE systems fabricated by atomic layer deposition. 2015 IWDTF. 2015
  9. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープしたInSiOチャネルによるバイアスストレス特性の改善. 2015 IWDTF. 2015
  10. 木津 たきお, 相川 慎也, 三苫 伸彦, 清水 麻希, 高 旭, 林 孟 芳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. Low-temperature Processable Amorphous In-W-O thin-film transistors. 9th Intl C on Science and Technology for AdvancedCeramic(STAC-9). 2015
  11. 藤原明比古, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 為則 雄祐, 加藤健一, 伊奈 稔哲, 宇留賀 朋哉, 尾原 幸治, ロク シンガプリゲ ロシャンタ クマーラ, ソン チョルホ, 坂田 修身, 小原 真司. Structure and Tolerance to Thermal Stress of Doped In2O3 Thin-Films. 9th Intl C on Science and Technology for AdvancedCeramic(STAC-9). 2015
  12. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるanatase-TiO2膜への酸素欠損導入のメカニズムの解明. 日本金属学会　2015年秋季講演大会. 2015
  13. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2スタック絶縁膜を用いたMIMキャパシタの電気特性に対するAl2O3膜厚の影響. 日本金属学会 2015年秋期(第157回)講演大会. 2015
  14. 木津 たきお, 相川 慎也, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 二層InSiO構造を用いた薄膜トランジスタ. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  15. 相川 慎也, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 過剰酸素の抑制による真空環境で安定なIn-Si-O TFT. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  16. 川喜多 仁, 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 大木 知子. ガルバニ作用に基づく結露応答センサ. 2015年電気化学秋季大会 ・第59回化学センサ研究発表会 . 2015
  17. 生田目 俊秀, 山本 逸平, 澤田 朋実, 大井 暁彦, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 小椋厚志, 大石知司, 知京 豊裕. Control of oxygen vacancy in TiO2 films introduced by ALD using TMA precursor. 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  18. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. PE-ALD法による、SiO2, Al2O3 ,そしてTiO2基板上でのRuO2膜の成長. ALD2015 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  19. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) . 2015
  20. NABATAME, Toshihide. Hetero interface of ionic/covalent oxides for Nano-electronics. ULSI vs. TFT 5. 2015 招待講演
  21. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 将来のTFTへおける炭素ドープしたIn-Si-Oチャネルのインパクト. 227th ECS Meeting. 2015
  22. 梁田和也, 山本逸平, 大石知司, 生田目 俊秀. 光照射による循環式ポリイミド上への高ガスバリア膜低温形成技術. 2015年　日本セラミックス協会　年会. 2015
  23. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるAnatase-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会　2015春期大会. 2015
  24. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 石井 智, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. 反応性スパッタリング法によるMoドープした酸化スズ膜の形成. 金属学会 2015年春期（第156回）講演大会. 2015
  25. 三苫 伸彦, 相川 慎也, オウヤン ウェイ, 高 旭, 木津 たきお, 林 孟 芳, 藤原明比古, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. アモルファス酸化インジウム薄膜トランジスタにおける電荷密度および移動度の添加元素依存性. 応用物理学会春季学術講演会. 2015
  26. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性. 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  27. 木津 たきお, 宮永 美紀, 粟田 英章, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. アモルファスInWO TFTの微量Zn添加効果. 応用物理学会春季学術講演会. 2015
  28. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA/H2O-ALD法によるRutile-TiO2膜へ酸素欠損の形成による電気特性. 第20回ゲート・スタック研究会. 2015
  29. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, パウルサミー チナマトゥ, 生田目 俊秀, 小橋 和義, 小椋厚志, 知京 豊裕. Ge上ルチル型TiO2_High-k層へのYドープ濃度の依存性. ゲートスタック研究会. 2015
  30. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響. ゲートスタック研究会. 2015
  31. 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 伊藤 和博, 高橋 誠, 知京 豊裕. Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける(Ta/Nb)Ox/Al2O3ブロッキング層の界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理 第20回. 2015
2014
  1. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Charge trap mechanism of memory capacitors with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. Visual-JW 2014. 2014 招待講演
  2. 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石　知司, 知京 豊裕. Influence of oxygen diffusion in transparent In0.9Sn0.1Ox film on effective work function change. AVS 61st International Symposium & Exhibition. 2014
  3. 山本 逸平, Kattareeya Taweesup, 知京 豊裕, 塚越 一仁, 大石知司, 生田目 俊秀. Improvement of effective work function and transmittance of ITO/ultra-thin In1-xRuxOy stack structure. 61st AVS. 2014
  4. ダオ デュイ タン, チェン カイ, 石井 智, ガンダム ラクシミナラヤナ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Large Area, Aluminum Metamaterial Perfect Absorbers for Tunable Thermal Radiation . The 7th International Symposium on Surface Science, 2014. 2014
  5. 生田目 俊秀. Design of Insulators by Atomic Layer Deposition for Semiconductor Devices. Materials Science-2014. 2014 招待講演
  6. 生田目 俊秀. ALD成膜技術によるナノ薄膜作製と半導体プロセスへの利用. 日本金属学会2014年度秋期講演大会. 2014 招待講演
  7. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるRutile-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会　2014年秋季講演大会. 2014
  8. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. RuO2シードを用いたPE-ALD法で作製したRuO2膜の特性. 金属学会　2014年秋期（第155回）講演大会. 2014
  9. 木津 たきお, 相川 慎也, 三苫 伸彦, 清水 麻希, 高 旭, 林 孟 芳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 低温プロセスで高移動度かつ高安定なa-InWO TFT. 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  10. 三苫 伸彦, 相川 慎也, 高 旭, 木津 たきお, 清水 麻希, 林 孟 芳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ. 2014年　第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  11. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 炭素添加したInSiOチャネル材料の特性. 応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  12. ダオ デュイ タン, チェン カイ, 石井 智, ガンダム ラクシミナラヤナ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Large Area, Aluminum Metal-Insulator-Metal Infrared Perfect Absorber. The 75th JSAP Autumn Meeting, (JSAP-OSA Joint Symposium) 2014. 2014
  13. 塚越 一仁, 生田目 俊秀. Silicon induced metal oxide thin film transistor with reproducible operation . The 14th International Meeting on Information Disply (IMID 2014. 2014 招待講演
  14. 木津 たきお, 相川 慎也, 三苫 伸彦, 清水 麻希, 高 旭, 林 孟 芳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. Amorphous InWO TFT with High Mobility and Stability by Low-temperature Process . Materials Architectonics for Sustainable Actions (MASA) 2014. 2014
  15. 高 旭, 相川 慎也, 三苫 伸彦, 林 孟 芳, 木津 たきお, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. Probing the effects of self-formed copper oxide contact interlayer in oxide thin film transistors. Materials Architectonics for Sustainable Actions (MASA) 2014. 2014
  16. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価. 平成26年度6月度シリコン材料デバイス研究会. 2014
  17. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO TFTの電気特性への影響. 14th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2014
  18. 生田目 俊秀. Characteristics of Higher-k films fabricated by ALD and low annealing temperature process. The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition 2014 . 2014 招待講演
  19. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor. 225th ECS Meeting. 2014
  20. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Characteristics of charge trap flash memory with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. 225th ECS Meeting. 2014 招待講演
  21. 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 有機EL用陽極としての極薄膜RuO2膜の特性. 日本金属学会2014年春期(第154回)講演大会. 2014
  22. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性. 応用物理学会春季学術講演会. 2014
  23. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2 界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  24. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 大毛利 健治. ナノエレクトロニクス分野における国際連携の取り組み. 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014 招待講演
  25. 長田 貴弘, 小橋 和義, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋　厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究. ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―（第19回）. 2014
  26. 山本逸平, 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 極薄膜RuO2膜の実効仕事関数. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
  27. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化. ゲートスタック研究会. 2014
2013
  1. アブデラリーム アブデラジム アブデルラテフ シーマ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 谷口 彰良. Alteration in Hepatocytes Behaviors by the Manipulation of Chemical and Physical Cues on TiO2 Nanopatterns. 第35回日本バイオマテリアル学会大会. 2013
  2. 生田目 俊秀. ALD法によるHigher-k絶縁膜の低温作製とCMOSへの展開. 第21回シンポジウム「ALDプロセスの基礎と応用」. 2013 招待講演
  3. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2界面層がHfO2/GeMOS構造に与える影響. SSDM　2013. 2013
  4. ダオ デュイ タン, 新井 暢野, ホアン ヴ チュン, 韓 貴, 生田目 俊秀, 青野 正和, 長尾 忠昭. Plasmon-Assisted Photocatalitic Activity of the Metal-loaded Oxide Surfaces. The 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  5. アブデラリーム アブデラジム アブデルラテフ シーマ, 生田目 俊秀, 谷口 彰良. TIO2 NANOPATTERING THAT MIMICKS THE EXTRACELLULAR MATRIX INDUCED FUNCTIONS OF HUMAN LIVER CELLS. Advanced Materials world congress 2013. 2013
  6. 生田目 俊秀, 山田 博之, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. ゲートラストhigh-k CMOSﾌﾟﾛｾｽにおけるゲート絶縁膜としてのALD-(Ta/Nb)ON膜の開発. 13th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2013
  7. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2界面層がHfO2/Ge MOSデバイスに与える影響. NIMS Conference 2013. 2013
  8. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. ALD法で作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性. NIMS Conference 2013. 2013
  9. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. メタル/High-kトランジスタにおけるゲート絶縁膜としてのALD-TiO2膜. NIMS Conference 2013. 2013 招待講演
  10. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. Plasma-Enhanced ALD法で作製したＡｌ２Ｏ３膜の特性. NIMS Conference 2013. 2013
  11. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2013
  12. 右田真司, 渡邉幸宗, 森田行則, 田岡則之, 水林亘, 昌原明植, 生田目 俊秀, 鳥海明, 太田裕之. Higher-k(k>50)な準安定HfO2膜の簡便でスローなマルテンサイト変化. The Sixth Int. Symposium on Control of Semiconductor Interface. 2013
  13. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 陳 君, ギュエン ナム, NGUYENNam, 関口 隆史, 山下 良之, 柳生 進二郎, 吉武 道子. New materials discovery and their application for future nano electronics. INC9. 2013
  14. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石 知司. 低温度作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性. 2013年　第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  15. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 関口 隆史, 陳 君, Yongxun Lui, 昌原明植. ナノスケール機能性酸化物の多様性と次世代デバイスへの期待. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013 招待講演
  16. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. ALD法で作製したTa-Nb-O-N絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2013年度春期講演大会. 2013
  17. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕, 大石知司. Anatase/Rutile型TiO2膜の酸素移動とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会2013年春期(第152回)講演大会. 2013
  18. ソム クマラグルバラン, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 陳 君, 関口 隆史. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION FOR THE GATE STACK IN ADVANCED CMOS DEVICES. Second international workshop on advanced functional nanomateria. 2013 招待講演
2012
  1. 知京 豊裕, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史, 大毛利 健治. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION ON HIGH-K GATE OXIDE AND METAL GATE FOR FUTURE CMOS DEVICES. ISAEM-2012 -AMDI-3. 2012 招待講演
  2. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 低温作製したアナターゼ構造のＴｉＯ2膜の電気特性. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materia. 2012
  3. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 小林 啓介. Bias dependent electronic states in gate stack structures: HXPES under device operation. International Conference on Electron Spectroscopy and Structure. 2012
  4. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 低温作製したルチル構造のTi1-X(Nb/Ta)XO絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2012年秋期（第151回）大会. 2012
  5. ダオ デュイ タン, ホアン ヴ チュン, ラナ エムディー マスド, 新井 暢野, 韓 貴, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Visible Light Plasmonic Enhancement of Photocatalytic Activity of ZnO Nanowires. The 73rd JSAP Autumn meeting, OSA-JSAP joint symposia. 2012
  6. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. High-k/SiO2スタック構造におけるHigh-k層の酸素拡散がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  7. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. (TaC)1-xAlx/High-kスタックにおけるHigh-k層の酸素及びAl拡散がVfbシフトへ果たす役割. 2012 Tsukuba Nanotechnology Symposium TNS. 2012 招待講演
  8. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 先端CMOS向けメタル/High-kゲートスタック技術. 第76回半導体・集積回路技術シンポジウム. 2012 招待講演
  9. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価. シリコン材料・デバイス(SDM)研究会. 2012
  10. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. high-k CMOSへ向けてPE-ALD法で作製したAl2O3, TiO2及びAlTiOx膜の電気特性. 12th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2012
  11. NABATAME, Toshihide. Mechanism of Vfb shift in HfO2 gate stack by Al diffusion from (TaC)1-xAlx gate electrode. 221st ECS Meeting. 2012 招待講演
  12. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  13. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2 MOSキャパシタでVfbシフトへ及ぼすAl原子の役割. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  14. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Plasma Enhanced ALD法によるhigh-k絶縁膜の低温度作製. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  15. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Ti1-X(Nb/Ta)XO2透明導電膜のNb/Taアロイが光学・電気特性に及ぼす影響. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  16. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2ゲートスタックでVfbシフトへ及ぼすAl原子の役割. ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―（第17回）. 2012
  17. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 酸化還元熱処理によるITO/HfO2 キャパシタのVfbシフトとITO膜の物性との関係. ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回). 2012
2011
  1. 生田目 俊秀, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 同位体18Oを用いて求められたIn0.9Sn0.1O膜の酸素拡散係数. 日本金属学会2011年秋期（第149回）大会. 2011
  2. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlxゲート電極のAl原子によるフラットバンド電圧の制御. 日本金属学会2011年秋季（第149回）大会. 2011
  3. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. ITO電極の酸素がHfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧へ及ぼす影響. 日本金属学会2011年秋期（第149回）大会. 2011
  4. 生田目 俊秀. NIMSのCMOSを含む半導体研究. 第2回日中電子材料シンポジウム. 2011 招待講演
  5. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The 3ed NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  6. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割 . The 3rd NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  7. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石　知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割. 2011 SSDM. 2011
  8. 生田目 俊秀. CMOS技術の開発とその課題. 日本金属学会分科会シンポジウム　環境・医療・IT調和型デバイス及び. 2011 招待講演
  9. 原田 善之, 大井 暁彦, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 生田目 俊秀, 木戸 義勇. 酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製２. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  10. NABATAME, Toshihide. Influence of Oxygen Transfer in Hf-based High-k Dielectrics on Flatband Voltage Shift. 7th International Conference on Si Epitaxy and Heterostructures. 2011 招待講演
  11. 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石 知司. ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会. 2011
  12. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. Influence of Oxygen Transfer in Hf-based High-k Dielectrics on Flatband Voltage Shift. 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interface. 2011 招待講演
  13. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史. combinatorial materials research and screening for future nano electronics. the 6th CSIRO Advanced Materials Conference & Workshops . 2011 招待講演
  14. 知京 豊裕, 吉武 道子, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 関口 隆史. New materials research for future nano electronics in NIMS. The 7th International Nanotechnology Conference. 2011
  15. NABATAME, Toshihide. Role of oxygen transfer for high-k/SiO2/Si stack structure on Vfb shift. 219th ECS Meeting. 2011 招待講演
  16. 山田 博之, 大石 知司, 生田目 俊秀, 知京 豊裕. ITO/HfO2 MOSキャパシタのアニール雰囲気がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 2011年春期（第148回）大会. 2011
  17. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司. High-k酸化膜の酸素拡散とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会　2011年春期大会. 2011
  18. Pattira Homhuan, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, Sukkaneste Tungasmita. Hf基本構造のHigh-kにおけるTaYCゲート電極のY量がVfb制御へ及ぼす効果. IWDTF-11. 2011
2010
  1. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, ギュエン ナム, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史. Combinatorial materials design and its application for nano device in future. International Workshop on Materials Discovery by Scale-Bridging . 2010 招待講演
  2. NABATAME, Toshihide. Role of Oxygen in Hf-based High-k Gate Stacks on Vfb Shifts. Int. Conf. on Solid-State and Integ. Circuit Tech. (ICSICT-2010). 2010 招待講演
  3. NABATAME, Toshihide. Role of hetero interface of ionic/covalent oxides for Pt/high-k/SiO2/Si MOS capacitors on Vfb shift. 218th ECS Meeting. 2010
  4. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. High-k/SiO2酸化物のヘテロ界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 日本金属学会　2010年秋期大会. 2010
  5. Pattira Homhuan, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, Sukkaneste Tungasmita. n-メタルゲート電極としてHf-酸化物上へ形成したTa1-xYxC膜の電気特性. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  6. 諸岡哲, 佐藤基之, 松木武雄, 鈴木隆之, 上殿明, 白石賢二, 宮崎誠一, 大毛利健治, 山田啓作, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, 由上二郎, 池田和人, 大路譲. スケーリングしたMg, La導入したHigh-k/メタルゲートnMISFETにおける面積スケーリングに伴うしきい値電圧増加の抑制. 2010 Symposia on VLSI Technology and Circuits. 2010
  7. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 陳 君, 関口 隆史, 吉武 道子, 生田目 俊秀. Strategy for new materials discovery for future nano electronics. International Nanotechnology Conference 6 (INC6). 2010
  8. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. ナノエレクトロニクスへ向けてイオン性/共有結合性酸化物のヘテロ界面. The Sixth Int. Nanotech. Conf. on Commun. and Cooperation INC6. 2010
  9. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 関口 隆史, 陳 君. Landscape of Materials Design for Future Nano Electronics and High-throughput Materials Exploration. 1st Singapore-Japan Workshop on Advances in nanomaterials. 2010 招待講演
  10. 生田目 俊秀, 原 眞一, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 松木武雄, 由上二郎. HfO2ゲート絶縁膜中の酸素がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 日本金属学会2010年度春期大会. 2010
  11. 岩下 祐太, 生田目 俊秀, 佐藤 岳志, 松本 弘昭, 小椋　厚志, 知京 豊裕. HfO2 膜へのTaOx キャップ層形成による各界面層の変化. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  12. 佐藤岳志, 松本弘昭, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, 岩下祐太. In-situ透過電子顕微鏡及びEELS解析による. 2010年 春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  13. 松木武雄, 大毛利健治, 諸岡哲, 鈴木隆之, 佐藤基之, 木本 浩司, 生田目 俊秀, 宮崎誠一, 白石賢二, 知京 豊裕, 山田啓作, 由上二郎, 松井 良夫, 池田和人, 大路譲. Poly-Si/メタル窒化物/High-kゲートスタックにおける電極放出窒素によるフラットバンド電圧変動. 「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」（第15回研究. 2010
2009
  1. Takeo Matsuki, Kenji Ohmori, Testuo Morooka, Takayuki Suzuki, Motoyuki Sato, 木本 浩司, 生田目 俊秀, Seiichi Miyazaki, Kenji Shirai, 知京 豊裕, Keisaku Yamada, Jiro Yugami, 松井 良夫, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji. Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2ゲートスタックのTiNからの窒素起因の窒化反応と酸化反応. 40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference . 2009
  2. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 関口 隆史. Landscape of materials design for future nano electronics and high-throughput materials exploration。 . Nano Korea 2009. 2009 招待講演
  3. 池田　稔, 生田目 俊秀, 鳥海　明, Georg Kresse. 次世代CMOSに用いられる高誘電体材料HfO2の第一原理計算を用いた研究. 第107回誘電体研究委員会. 2009 招待講演

その他の文献 TSV

2017
  1. 津谷 大樹, 渡辺 英一郎, 生田目 俊秀. NIMSが提供するマスクレス露光プロセス技術. 金属. 87 [12] (2017) 1033-1038
2015
  1. DAO, Duy Thang, CHEN, Kai, ISHII, Satoshi, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, KITAJIMA, Masahiro, NAGAO, Tadaaki. Aluminum Infrared Plasmonic Perfect Absorbers Fabricated by Colloidal Lithography. Proceedings of CLEO-PR 2015. (2015) 25E3_7-1-25E3_7-2

公開特許出願 TSV

  1. 半導体装置および半導体装置の製造方法 (2020)
  2. 半導体装置および半導体装置の製造方法 (2020)
  3. 半導体装置、半導体装置の使用方法およびその半導体装置の製造方法 (2020)
  4. 半導体基板の製造方法 (2020)
  5. 半導体層と絶縁体層との界面特性の測定方法 (2020)
  6. 乾湿応答センサー (2020)
  7. 半導体装置の製造方法 (2020)
  8. ガリウム窒化物半導体基板の製造方法、ガリウム窒化物半導体装置の製造方法および撮像素子の製造方法 (2019)
  9. 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法 (2019)
  10. 抵抗変化型素子およびその製造方法 (2017)
  11. 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
  12. 多層構成の薄膜トランジスタの製造方法 (2017)
  13. 第１の細線と第２の細線の間隔が５ｎｍ以上２０μｍ未満である乾湿応答センサー (2017)
  14. 抵抗変化型素子の製造方法 (2016)
  15. 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2015)
  16. 薄膜トランジスタ及びその製造方法 (2015)
  17. 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2015)
  18. 薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 (2015)
  19. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 (2015)
  20. 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 (2015)
  21. 水素拡散障壁を備える半導体デバイス及びその製作方法 (2015)
  22. 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2015)
  23. 酸化物半導体およびその製法 (2015)
  24. 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 (2013)
  25. ゲート電極及びその製造方法 (2012)
  26. 界面層削減方法、高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法、高誘電率ゲート絶縁膜、及び高誘電率ゲート酸化膜を有するトランジスタ (2011)

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