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生田目 俊秀
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  • 論文・発表

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研究論文 TSV

2019
  1. Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasuda, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Si-doping effect on solution-processed In-O thin-film transistors. Materials Research Express. 6 [2] (2019) 026410 10.1088/2053-1591/aaecf9
  2. Anh Tung Doan, Takahiro Yokoyama, Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Yoshiki Wada, Shigenao Maruyama, Tadaaki Nagao. A MEMS-Based Quad-Wavelength Hybrid Plasmonic–Pyroelectric Infrared Detector. Micromachines. 10 [6] (2019) 413 10.3390/mi10060413
  3. Thang Duy Dao, Anh Tung Doan, Satoshi Ishii, Takahiro Yokoyama, Handegård Sele Ørjan, Dang Hai Ngo, Tomoko Ohki, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Chisato Niikura, Shinsuke Miyajima, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. MEMS-Based Wavelength-Selective Bolometers. Micromachines. 10 [6] (2019) 416 10.3390/mi10060416
  4. Sumio Sugisaki, Tokiyoshi Matsuda, Mutsunori Uenuma, Toshihide Nabatame, Yasuhiko Nakashima, Takahito Imai, Yusaku Magari, Daichi Koretomo, Mamoru Furuta, Mutsumi Kimura. Memristive characteristic of an amorphous Ga-Sn-O thin-film device. Scientific Reports. 9 [1] (2019) 10.1038/s41598-019-39549-9
  5. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Osami Sakata, Yasuo Koide. Hydrogen effect on Pt/Al2O3/GaN metal-oxide-semiconductor capacitors. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [10] (2019) 100915 10.7567/1347-4065/ab476a
  6. Ha Hoang, Kazutaka Sasaki, Tatsuki Hori, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Silicon-doped indium oxide – a promising amorphous oxide semiconductor material for thin-film transistor fabricated by spin coating method. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 625 (2019) 012002 10.1088/1757-899x/625/1/012002
  7. Shinya Aikawa, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Si-incorporated amorphous indium oxide thin-film transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [9] (2019) 090506 10.7567/1347-4065/ab2b79
  8. Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Akira Uedono, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yasuo Koide. Investigation of Al2O3/GaN interface properties by sub-bandgap photo-assisted capacitance-voltage technique. AIP Advances. 9 [8] (2019) 085319 10.1063/1.5098489
  9. Masafumi Hirose, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Erika Maeda, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Yoshihiro Irokawa, Hideo Iwai, Hideyuki Yasufuku, Satoshi Kawada, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Yasuo Koide, Hajime Kiyono. Influence of post-deposition annealing on characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111040 10.1016/j.mee.2019.111040
  10. Erika Maeda, Toshihide Nabatame, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Mari Inoue, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Koji Shiozaki, Hajime Kiyono. Change of characteristics of n-GaN MOS capacitors with Hf-rich HfSiOx gate dielectrics by post-deposition annealing. Microelectronic Engineering. 216 (2019) 111036 10.1016/j.mee.2019.111036
  11. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Atsushi Tanaka, Jun Chen, Kenji Watanabe, Yoshio Katsuya, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, Osami Sakata. Anisotropic mosaicity and lattice-plane twisting of an m-plane GaN homoepitaxial layer. CrystEngComm. 21 [27] (2019) 4036-4041 10.1039/c9ce00463g
  12. Toshihide Nabatame, Ippei Yamamoto, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi, Thang Duy Dao, Tomoji Ohishi, Tadaaki Nagao. Change of Electrical Properties of Rutile- and Anatase-TiO2 Films by Atomic Layer Deposited Al2O3. ECS Transactions. 92 [3] (2019) 15-21 10.1149/09203.0015ecst
  13. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition. Microelectronic Engineering. 215 (2019) 111013 10.1016/j.mee.2019.111013
  14. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films using top- and bottom-ZrO2 nucleation layers. APL Materials. 7 [6] (2019) 061107 10.1063/1.5096626
  15. Fumikazu Mizutani, Shintaro Higashi, Mari Inoue, Toshihide Nabatame. Atomic layer deposition of stoichiometric In2O3 films using liquid ethylcyclopentadienyl indium and combinations of H2O and O2 plasma. AIP Advances. 9 [4] (2019) 045019 10.1063/1.5081727
  16. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Lattice-plane bending angle modulation of Mg-doped GaN homoepitaxial layer observed by X-ray diffraction topography. CrystEngComm. 21 [14] (2019) 2281-2285 10.1039/c8ce01906a
  17. Atsushi Goto, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Masataka Tansho, Kenjiro Hashi, Shinobu Ohki, Tadashi Shimizu, Yasuo Koide. 71Ga NMR characterization of an n-doped free-standing gallium nitride wafer. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [3] (2019) 031003 10.7567/1347-4065/aafd1a
  18. Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Yoshihiro Irokawa, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Liwen Sang, Yasuo Koide, Tomoji Ohishi. Characteristics of Al2O3/native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing. Semiconductor Science and Technology. 34 [3] (2019) 034001 10.1088/1361-6641/aafdbd
  19. Ahmed A.M. El-Amir, Takeo Ohsawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Yoshiki Wada, Masaru Nakamura, Xiuwei Fu, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Ecofriendly Mg2Si-based photodiode for short-wavelength IR sensing. Materials Science in Semiconductor Processing. 91 (2019) 222-229 10.1016/j.mssp.2018.11.033
  20. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Mapping of a Lattice-Plane Tilting in a GaN Wafer Using Energy-Resolved X-Ray Diffraction Topography. Physical Review Applied. 11 [2] (2019) 10.1103/physrevapplied.11.024072
  21. Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Koji Shiozaki, Naoki Ikeda, Tomoji Ohishi, Akihiko Ohi. Hafnium silicate gate dielectrics in GaN metal oxide semiconductor capacitors. Applied Physics Express. 12 [1] (2019) 011009 10.7567/1882-0786/aaf62a
2018
  1. 色川芳宏, 三石和貴, 生田目俊秀, 木本浩司, 小出康夫. Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 57 [11] (2018)
  2. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Yanna Chen, Satoshi Hiroi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Characterization of a 4-inch GaN wafer by X-ray diffraction topography. CrystEngComm. 20 [48] (2018) 7761-7765 10.1039/c8ce01440j
  3. Ashutosh Kumar, Kazutaka Mitsuishi, Toru Hara, Koji Kimoto, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Yasuo Koide. Comparative Analysis of Defects in Mg-Implanted and Mg-Doped GaN Layers on Freestanding GaN Substrates. Nanoscale Research Letters. 13 [1] (2018) 10.1186/s11671-018-2804-y
  4. Yoshihiro Irokawa, Kazutaka Mitsuishi, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tsuyoshi Ohnishi, Koji Kimoto, Yasuo Koide. Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001). Japanese Journal of Applied Physics. 57 [9] (2018) 098003 10.7567/jjap.57.098003
  5. Jaemyung Kim, Okkyun Seo, Chulho Song, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Lattice-plane orientation mapping of homo-epitaxial GaN(0001) thin films via grazing-incidence X-ray diffraction topography in 2-in. wafer. Applied Physics Express. 11 [8] (2018) 081002 10.7567/apex.11.081002
  6. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Kazunori Kurishima, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated Using TiN Stressor and ZrO2 Nucleation Techniques. ECS Transactions. 86 [6] (2018) 31-38 10.1149/08606.0031ecst
  7. Okkyun Seo, Jae Myung Kim, Chulho Song, Yanfang Lou, L. S. R. Kumara, Satoshi Hiroi, Yanna Chen, Yoshio Katsuya, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Evaluation of lattice curvature and crystalline homogeneity for 2-inch GaN homo-epitaxial layer. AIP Advances. 8 [7] (2018) 075318 10.1063/1.5042098
  8. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improved leakage current properties of ZrO 2 /(Ta/Nb)O x -Al 2 O 3 /ZrO 2 nanolaminate insulating stacks for dynamic random access memory capacitors. Thin Solid Films. 655 (2018) 48-53 10.1016/j.tsf.2018.02.010
  9. Yanfang Lou, Chulho Song, Yanna Chen, Loku Singgappulige Rosantha Kumara, Natalia Palina, Okkyun Seo, Satoshi Hiroi, Kentaro Kajiwara, Masato Hoshino, Kentaro Uesugi, Yoshihiro Irokawa, Toshihide Nabatame, Yasuo Koide, Osami Sakata. Synchrotron X-ray diffraction characterization of the inheritance of GaN homoepitaxial thin films grown on selective growth substrates. CrystEngComm. 20 [20] (2018) 2861-2867 10.1039/c8ce00229k
  10. 生田目 俊秀, 木村 将之, 弓削 雅津也, 井上万里, 池田 直樹, 大石友司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の酸化ガスがAl2O3膜の電気特性へ及ぼす影響. JOURNAL OF THE SURFACE SCIENCE SOCIETY OF JAPAN. 61 [5] (2018) 280-285
  11. Akira Uedono, Toshihide Nabatame, Werner Egger, Tönjes Koschine, Christoph Hugenschmidt, Marcel Dickmann, Masatomo Sumiya, Shoji Ishibashi. Vacancy-type defects in Al2O3/GaN structure probed by monoenergetic positron beams. Journal of Applied Physics. 123 [15] (2018) 155302 10.1063/1.5026831
  12. Ramu Pasupathi Sugavaneshwar, Satoshi Ishii, Thang Duy Dao, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Fabrication of Highly Metallic TiN Films by Pulsed Laser Deposition Method for Plasmonic Applications. ACS Photonics. 5 [3] (2018) 814-819 10.1021/acsphotonics.7b00942
  13. 生田目 俊秀. 原子層堆積法を用いた酸化物薄膜スタックの電気特性制御と多値メモリー. 応用物理. 87 [1] (2018) 25-28
2017
  1. 津谷 大樹, 渡辺 英一郎, 生田目 俊秀. NIMSが提供するマスクレス露光プロセス技術. 金属. 87 [12] (2017) 1033-1038
  2. Yoshihiro Irokawa, Taku T. Suzuki, Kazuya Yuge, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Koji Kimoto, Tsuyoshi Ohnishi, Kazutaka Mitsuishi, Yasuo Koide. Low-energy ion scattering spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction of native oxides on GaN(0001). Japanese Journal of Applied Physics. 56 [12] (2017) 128004 10.7567/jjap.56.128004
  3. Kazutaka Mitsuishi, Koji Kimoto, Yoshihiro Irokawa, Taku Suzuki, Kazuya Yuge, Toshihide Nabatame, Shinya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Kiyokazu Nakagawa, Yasuo Koide. Electron microscopy studies of the intermediate layers at the SiO2/GaN interface. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [11] (2017) 110312 10.7567/jjap.56.110312
  4. Tomomi Sawada, Toshihide Nabatame, Thang Duy Dao, Ippei Yamamoto, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Kazuyuki Kohama, Tomoji Ohishi, Atsushi Ogura, Tadaaki Nagao. Improvement of smooth surface of RuO2 bottom electrode on Al2O3 buffer layer and characteristics of RuO2/TiO2/Al2O3/TiO2/RuO2 capacitors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 35 [6] (2017) 061503 10.1116/1.4998425
  5. Liwen Sang, Bing Ren, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Atsushi Tanaka, Yujin Cho, Yoshitomo Harada, Toshihide Nabatame, Takashi Sekiguchi, Shigeyoshi Usami, Yoshio Honda, Hiroshi Amano. Initial leakage current paths in the vertical-type GaN-on-GaN Schottky barrier diodes. Applied Physics Letters. 111 [12] (2017) 122102 10.1063/1.4994627
  6. Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improvement in ferroelectricity of Hf x Zr1− x O2 thin films using ZrO2 seed layer. Applied Physics Express. 10 [8] (2017) 081501 10.7567/apex.10.081501
  7. Kunji Shigeto, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame. Radial Interference Contrast in in-situ SEM Observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization. Microscopy and Microanalysis. 23 [S1] (2017) 1512-1513 10.1017/s1431927617008224
  8. Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Effect of Y and Mn doping into rutile type TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [6S1] (2017) 06GF11 10.7567/jjap.56.06gf11
  9. Hani Esmael Jan, Ha Hoang, Tsubasa Nakamura, Tomoaki Koga, Toshiaki Ina, Tomoya Uruga, Takio Kizu, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Akihiko Fujiwara. Amorphous In-Si-O Films Fabricated via Solution Processing. Journal of Electronic Materials. 46 [6] (2017) 3610-3614 10.1007/s11664-017-5506-9
  10. Toshihide Nabatame. (Invited) Trapping Mechanism of Charge Trap Capacitor with Al 2 O 3 /High-k/Al 2 O 3 Multilayer . ECS Transactions. 79 [1] (2017) 131-138 10.1149/07901.0131ecst
  11. Xu Gao, Meng-Fang Lin, Bao-Hua Mao, Maki Shimizu, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Wei Ou-Yang, Toshihide Nabatame, Zhi Liu, Kazuhito Tsukagoshi, Sui-Dong Wang. Correlation between active layer thickness and ambient gas stability in IGZO thin-film transistors. Journal of Physics D: Applied Physics. 50 [2] (2017) 025102 10.1088/1361-6463/50/2/025102
2016
  1. Kexiong Zhang, Meiyong Liao, Masataka Imura, Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Masatomo Sumiya, Yasuo Koide, Liwen Sang. Electrical hysteresis in p-GaN metal–oxide–semiconductor capacitor with atomic-layer-deposited Al2O3as gate dielectric. Applied Physics Express. 9 [12] (2016) 121002 10.7567/apex.9.121002
  2. Nobuhiko Mitoma, Bo Da, Hideki Yoshikawa, Toshihide Nabatame, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, Takio Kizu, Akihiko Fujiwara, Kazuhito Tsukagoshi. Phase transitions from semiconductive amorphous to conductive polycrystalline in indium silicon oxide thin films. Applied Physics Letters. 109 [22] (2016) 221903 10.1063/1.4968810
  3. Tung S. Bui, Thang D. Dao, Luu H. Dang, Lam D. Vu, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, YoungPak Lee, Tadaaki Nagao, Chung V. Hoang. Metamaterial-enhanced vibrational absorption spectroscopy for the detection of protein molecules. Scientific Reports. 6 [1] (2016) 10.1038/srep32123
  4. Tomoji Ohishi, Yoshimi Yamazaki, Toshihide Nabatame. Preparation, structure and gas barrier characteristics of poly silazane-derived silica thin film formed on PET by simultaneously applying ultraviolet-irradiation and heat-treatment. Frontiers in Nanoscience and Nanotechnology. 2 [4] (2016) 10.15761/fnn.1000126
  5. Liudmila Alekseeva, Toshihide Nabatame, Toyohiro Chikyow, Anatolii Petrov. Resistive switching characteristics in memristors with Al2O3/TiO2and TiO2/Al2O3bilayers. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [8S2] (2016) 08PB02 10.7567/jjap.55.08pb02
  6. Takio Kizu, Shinya Aikawa, Toshihide Nabatame, Akihiko Fujiwara, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Kazuhito Tsukagoshi. Homogeneous double-layer amorphous Si-doped indium oxide thin-film transistors for control of turn-on voltage. Journal of Applied Physics. 120 [4] (2016) 045702 10.1063/1.4959822
  7. Thang Duy Dao, Satoshi Ishii, Takahiro Yokoyama, Tomomi Sawada, Ramu Pasupathi Sugavaneshwar, Kai Chen, Yoshiki Wada, Toshihide Nabatame, Tadaaki Nagao. Hole Array Perfect Absorbers for Spectrally Selective Midwavelength Infrared Pyroelectric Detectors. ACS Photonics. 3 [7] (2016) 1271-1278 10.1021/acsphotonics.6b00249
  8. Yu Wang, Takio Kizu, Lei Song, Yujia Zhang, Sai Jiang, Jun Qian, Qijing Wang, Yi Shi, Youdou Zheng, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi, Yun Li. High-performance non-volatile field-effect transistor memories using an amorphous oxide semiconductor and ferroelectric polymer. Journal of Materials Chemistry C. 4 [34] (2016) 7917-7923 10.1039/c6tc01768a
  9. Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Thin-film growth of (110) rutile TiO2on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GG06 10.7567/jjap.55.06gg06
  10. Kattareeya Taweesup, Ippei Yamamoto, Toyohiro Chikyow, Gobboon Lothongkum, Kazutoshi Tsukagoshi, Tomoji Ohishi, Sukkaneste Tungasmita, Patama Visuttipitukul, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Toshihide Nabatame. Improvement of the effective work function and transmittance of thick indium tin oxide/ultrathin ruthenium doped indium oxide bilayers as transparent conductive oxide. Thin Solid Films. 598 (2016) 126-130 10.1016/j.tsf.2015.11.070
2015
  1. Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Maki Shimizu, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Shinya Aikawa, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [6] (2015) 061506 10.1116/1.4928763
  2. Takio Kizu, Nobuhiko Mitoma, Miki Miyanaga, Hideaki Awata, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Codoping of zinc and tungsten for practical high-performance amorphous indium-based oxide thin film transistors. Journal of Applied Physics. 118 [12] (2015) 125702 10.1063/1.4931422
  3. Takahiro Nagata, Kazuyoshi Kobashi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Chinnamuthu Paulsamy, Yoshihisa Suzuki, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Ge incorporated epitaxy of (110) rutile TiO2 on (100) Ge single crystal at low temperature by pulsed laser deposition. Thin Solid Films. 591 (2015) 105-110 10.1016/j.tsf.2015.08.031
  4. Thang Duy Dao, Kai Chen, Satoshi Ishii, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Masahiro Kitajima, Tadaaki Nagao. Infrared Perfect Absorbers Fabricated by Colloidal Mask Etching of Al–Al2O3–Al Trilayers. ACS Photonics. 2 [7] (2015) 964-970 10.1021/acsphotonics.5b00195
  5. Shimaa A. Abdellatef, Riho Tange, Takeshi Sato, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. Nanostructures Control the Hepatocellular Responses to a Cytotoxic Agent “Cisplatin”. BioMed Research International. 2015 (2015) 1-10 10.1155/2015/925319
  6. Shinya Aikawa, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Suppression of excess oxygen for environmentally stable amorphous In-Si-O thin-film transistors. Applied Physics Letters. 106 [19] (2015) 192103 10.1063/1.4921054
  7. T. Nabatame. (Invited) Hetero Interface of Ionic/Covalent Oxides for Nano-Electronics. ECS Transactions. 67 [1] (2015) 173-181 10.1149/06701.0173ecst
  8. Yongxun Liu, Toshihide Nabatame, Num Nguyen, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O’uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Wataru Mizubayashi, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Toyohiro Chikyow, Meishoku Masahara. Channel shape and interpoly dielectric material effects on electrical characteristics of floating-gate-type three-dimensional fin channel flash memories. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [4S] (2015) 04DD04 10.7567/jjap.54.04dd04
  9. Thang Duy Dao, Gui Han, Nono Arai, Toshihide Nabatame, Yoshiki Wada, Chung Vu Hoang, Masakazu Aono, Tadaaki Nagao. Plasmon-mediated photocatalytic activity of wet-chemically prepared ZnO nanowire arrays. Physical Chemistry Chemical Physics. 17 [11] (2015) 7395-7403 10.1039/c4cp05843g
  10. Nobuhiko Mitoma, Shinya Aikawa, Wei Ou-Yang, Xu Gao, Takio Kizu, Meng-Fang Lin, Akihiko Fujiwara, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Dopant selection for control of charge carrier density and mobility in amorphous indium oxide thin-film transistors: Comparison between Si- and W-dopants. Applied Physics Letters. 106 [4] (2015) 042106 10.1063/1.4907285
  11. Meng-Fang Lin, Xu Gao, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Wei Ou-Yang, Shinya Aikawa, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Reduction of the interfacial trap density of indium-oxide thin film transistors by incorporation of hafnium and annealing process. AIP Advances. 5 [1] (2015) 017116 10.1063/1.4905903
  12. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, Toyohiro Chikyo. Role of the (Ta/Nb)Ox/Al2O3 interface on the flatband voltage shift for Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multilayer charge trap capacitors. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 33 [1] (2015) 01A118 10.1116/1.4901231
2014
  1. Wei Ou-Yang, Nobuhiko Mitoma, Takio Kizu, Xu Gao, Meng-Fang Lin, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Controllable film densification and interface flatness for high-performance amorphous indium oxide based thin film transistors. Applied Physics Letters. 105 [16] (2014) 163503 10.1063/1.4898815
  2. I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, F. Ganss, G. Beddies, M. Albrecht, I. M. Makogon. Influence of the substrate choice on the L10 phase formation of post-annealed Pt/Fe and Pt/Ag/Fe thin films. Journal of Applied Physics. 116 [4] (2014) 044310 10.1063/1.4891477
  3. Xu Gao, Shinya Aikawa, Nobuhiko Mitoma, Meng-Fang Lin, Takio Kizu, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Self-formed copper oxide contact interlayer for high-performance oxide thin film transistors. Applied Physics Letters. 105 [2] (2014) 023503 10.1063/1.4890312
  4. Yongxun Liu, Toshihide Nabatame, Takashi Matsukawa, Kazuhiko Endo, Shinichi O'uchi, Junichi Tsukada, Hiromi Yamauchi, Yuki Ishikawa, Wataru Mizubayashi, Yukinori Morita, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Toyohiro Chikyow, Meishoku Masahara. Comparative Study of Charge Trapping Type SOI-FinFET Flash Memories with Different Blocking Layer Materials. Journal of Low Power Electronics and Applications. 4 [2] (2014) 153-167 10.3390/jlpea4020153
  5. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyo, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Tomoji Ohishi. Electrical properties of anatase TiO2 films by atomic layer deposition and low annealing temperature. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena. 32 [3] (2014) 03D121 10.1116/1.4869059
  6. Takio Kizu, Shinya Aikawa, Nobuhiko Mitoma, Maki Shimizu, Xu Gao, Meng-Fang Lin, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Low-temperature processable amorphous In-W-O thin-film transistors with high mobility and stability. Applied Physics Letters. 104 [15] (2014) 152103 10.1063/1.4871511
  7. Shimaa Abdellatef, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. The Effect of Physical and Chemical Cues on Hepatocellular Function and Morphology. International Journal of Molecular Sciences. 15 [3] (2014) 4299-4317 10.3390/ijms15034299
  8. Nobuhiko Mitoma, Shinya Aikawa, Xu Gao, Takio Kizu, Maki Shimizu, Meng-Fang Lin, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Stable amorphous In2O3-based thin-film transistors by incorporating SiO2 to suppress oxygen vacancies. Applied Physics Letters. 104 [10] (2014) 102103 10.1063/1.4868303
2013
  1. Shimaa A. Abdellatef, Akihiko Ohi, Toshihide Nabatame, Akiyoshi Taniguchi. Induction of hepatocyte functional protein expression by submicron/nano-patterning substrates to mimic in vivo structures. Biomater. Sci.. 2 [3] (2013) 330-338 10.1039/c3bm60191a
  2. I. A. Vladymyrskyi, M. V. Karpets, F. Ganss, G. L. Katona, D. L. Beke, S. I. Sidorenko, T. Nagata, T. Nabatame, T. Chikyow, G. Beddies, M. Albrecht, Iu. M. Makogon. Influence of the annealing atmosphere on the structural properties of FePt thin films. Journal of Applied Physics. 114 [16] (2013) 164314 10.1063/1.4827202
  3. Shinya Aikawa, Toshihide Nabatame, Kazuhito Tsukagoshi. Effects of dopants in InOx-based amorphous oxide semiconductors for thin-film transistor applications. Applied Physics Letters. 103 [17] (2013) 172105 10.1063/1.4822175
  4. Kazuyoshi Kobashi, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura, Toshihide Nabatame, Toyohiro Chikyow. Reduction of interfacial SiO2 at HfO2/Si interface with Ta2O5 cap. Journal of Applied Physics. 114 [1] (2013) 014106 10.1063/1.4811691
  5. Shinya Aikawa, Peter Darmawan, Keiichi Yanagisawa, Toshihide Nabatame, Yoshiyuki Abe, Kazuhito Tsukagoshi. Thin-film transistors fabricated by low-temperature process based on Ga- and Zn-free amorphous oxide semiconductor. Applied Physics Letters. 102 [10] (2013) 102101 10.1063/1.4794903
2012
  1. Toshihide Nabatame, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Akihiko Ohi, Tomoji Ohishi, Toyohiro Chikyow. Influence of oxygen transfer in Hf-based high-k dielectrics on flatband voltage shift. Thin Solid Films. 520 [8] (2012) 3387-3391 10.1016/j.tsf.2011.10.086

書籍 TSV

会議録 TSV

2019
  1. Toshihide Nabatame, Ippei Yamamoto, Tomomi Sawada, Akihiko Ohi, Thang Duy Dao, Tomoji Ohishi, Tadaaki Nagao. Change of Electrical Properties of Rutile- and Anatase-TiO2 Films by Atomic Layer Deposited Al2O3. ECS Transactions 2019, 15-21
  2. Characteristics of Several High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions , 109-117
  3. Ha Hoang, Kazutaka Sasaki, Tatsuki Hori, Kazuhito Tsukagoshi, Toshihide Nabatame, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Silicon-doped indium oxide – a promising amorphous oxide semiconductor material for thin-film transistor fabricated by spin coating method. IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 2019, 012002-1-IOP Conference Series: Materials Science and Engineering-5
  4. Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 2019, -
2012
  1. NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, Tomoji Ohishi. Mechanism of Vfb shift in HfO2 gate stack by Al diffusion from (TaC)1-xAlx gate electrode. ECS TRANSACTIONS 2012, 49-59
  2. Toshihide Nabatame, Masayuki Kimura, Hiroyuki Yamada, Akihiko Ohi, Tomoji Ohishi, Toyohiro Chikyow. Influence of oxygen transfer in Hf-based high-k dielectrics on flatband voltage shift. THIN SOLID FILMS 2012, 3387-3391
2010
  1. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of oxygen in Hf-based high-k gate stacks on Vfb shifts. Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2010 10th IEEE International Conference 2010, -
  2. Toshihide Nabatame, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow. Role of Hetero Interface of Ionic/Covalent Oxides for Pt/High-k/SiO. ECS TRANSACTIONS 2010, -

口頭発表 TSV

2019
  1. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 前田 瑛里香, 池田 直樹, 色川 芳宏, 安福 秀幸, 岩井 秀夫, 川田 哲, 高橋誠, 伊藤和博, 小出 康夫, 清野肇. Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOSキャパシタの熱処理温度による電気特性の変化. 第80回応用物理学会秋季学術講演. 2019
  2. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 塩崎宏司, 池田 直樹, 大井 暁彦, 清野肇. GaN/HfSiOx/PtキャパシタでGaN/HfSiOx界面が電気特性に及ぼす影響. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  3. 水谷 文一, 東 慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 液体原料(GaCp*)を用いた高純度Ga2O3薄膜の原子層堆積. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  4. 生田目 俊秀, 大石 知司, 井上 万里, 高橋 誠, 池田 直樹, 伊藤 和博, 大井 暁彦. Al2O3/TiO2二層構造を用いたフレキシブル抵抗変化型メモリの抵抗スイッチング特性. 2019年日本金属学会秋期講演大会. 2019
  5. 水谷 文一, 東 慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. GaCp*を原料とした高純度Ga2O3 薄膜の原子層堆積. 第140回講演大会 表面技術協会. 2019
  6. 生田目 俊秀. Hf-Si-O系GaNゲート絶縁膜. IG-GaN研究会. 2019
  7. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 池田 直樹, 大井 暁彦, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 清野 肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  8. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, 清野 肇. Fundamental study on the SiO2 growth mechanism of electronegativity difference of Metal-O in the high-k underlayers by PE-ALD method. ALD2019. 2019
  9. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 池田 直樹, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 岩井 秀夫, 小出 康夫, 安福 秀幸, 川田 哲. Influence of post-deposition annealing on electrical characteristics of Pt/Al2O3/β-Ga2O3 MOS capacitors. INFOS 2019. 2019
  10. 生田目 俊秀. 原子層堆積法によるHf系酸化膜の作製とその特性. 第4回原子層プロセスワークショップ. 2019
  11. Ha Hoang, Kazutaka Sasaki, Tatsuki Hori1, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, Bui Nguyen Quoc Trinh. Silicon-doped indium oxide – a promising amorphous oxide semiconductor material for thin-film transistor fabricated by spin coating method. International Conference on Materials Engineering and Nano Sciences (ICMENS 2019). 2019
  12. 水谷 文一, 東 慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 新規原料( GaCp*)によるGa2O3薄膜の原子層堆積. 第139回講演大会 表面技術協会. 2019
  13. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. IEEE EDTM 2019. 2019
  14. 堀 龍輝, Ha Hong, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 藤原 明比古. アモルファス酸化物薄膜半導体 In-Si-O 薄膜の相安定性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本 直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋 厚志. 300 °C低温形成したHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  16. Ha Hoang, Kazutaka Sasaki, Tatsuki Hori, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, Bui Nguyen Quoc Trinh, Aikihiko Fujiwara1. Silicon-doped indium oxide thin-film transistor fabricated via spin coating. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  17. SEO Okkyun, KIM Jaemyung, HIROI Satoshi, IROKAWA Yoshihiro, NABATAME Toshihide, KOIDE Yasuo, SAKATA Osami. Characterization of a GaN wafer and a homo-epitaxial layer by synchrotron X-ray topography techniques. The 66th JSAP Spring Meeting, 2019. 2019
  18. 生田目 俊秀, 霜垣 幸浩, 百瀬 健, 出浦 桃子, 入沢 寿史, 遠藤 和彦, 岡田 直也, 有本 宏, 佐藤 宗英. 原子層プロセス(ALP)技術開発推進を目指した包括的な産学連携体の構築. TIA光・量子計測シンポジウム. 2019
  19. 廣瀨雅史, 生田目俊秀, 弓削雅津也, 池田直樹, 色川芳宏, 前田瑛里香, 小出康夫, 大井暁彦. Al2O3絶縁膜を用いたn-GaN及びn-β-Ga2O3キャパシタの電気特性の比較. 第24回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
  20. 小林 陸, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 木津 たきお, 女屋 崇, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 塚越 一仁, 小椋 厚志. 低温度ALD法を用いてAl2O3及びSiO2下地基板へ形成したIn2O3膜の特性. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2019
2018
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWAMOTONaomi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, OGURAAtsushi. Improvement of Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films by New ZrO2 Nucleation Technique. 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2018
  2. 生田目 俊秀. ALD法を用いた電子デバイスの強誘電体/高誘電体薄膜の作製技術. 薄膜実践セミナーIV. 2018
  3. KIM, Jaemyung, SEO, Okkyun, SONG, ChulHo, HIROI, Satoshi, CHEN, Yanna, IROKAWA, Yoshihiro, NABATAME, Toshihide, KOIDE, Yasuo, SAKATA, Osami. Lattice-plane orientation mapping of 2-inch homo-epitaxial GaN (0001) thin films by grazing incident x-ray diffraction topography. IWN 2018. 2018
  4. NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, Koji Shiozaki, KOIDE, Yasuo. Study of High-k gate insulator for GaN power device by atomic layer deposition. 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2018
  5. 色川 芳宏, 三石 和貴, 生田目 俊秀, 木本 浩司, 小出 康夫. Crystalline intermediate layers in oxides/GaN(0001). International Workshop on Nitride Semiconductors 2018. 2018
  6. IROKAWA, Yoshihiro, MITSUISHI, Kazutaka, SUZUKI, Taku, YUGE, Kazuya, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, OHNISHI, Tsuyoshi, KIMOTO, Koji, KOIDE, Yasuo. Comprehensive Study of Native Oxides on GaN(0001). International Workshop on Nitride Semiconductors 2018. 2018
  7. 陳 君, イ ウェイ, 木村 隆, 生田目 俊秀, 関口 隆史. Wafer-Scale Analysis of GaN by Imaging CL Technique. The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018). 2018
  8. 生田目 俊秀. 原子層堆積法の基礎とそれを用いた応用. 日本学術振興会「先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会」. 2018
  9. 坂田 修身, キム ジェミョン, ソ オッキュン, ソン チョルホ, チェン ヤナ, 廣井 慧, 色川 芳宏, 生田目 俊秀, 小出 康夫. ホモエピタキシャルGaN (0001)格子面の方位マッピング. 日本結晶学会2018年度年会. 2018
  10. エルアミル アアハメド モハメド エルサイド アハメド, 大澤 健男, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 和田 芳樹, 中村 優, 島村 清史, 大橋 直樹. IR photoresponse characteristics of Mg2Si pn-junction diode fabricated by RTA. JCCG47. 2018
  11. NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Erika Maeda, Kazuya Yuge, Masafumi Hirose, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, IKEDA, Naoki, Tomoji Ohishi, OHI, Akihiko. Growth mechanism and characteristics of Hf-Si-O film by PE-ALD using TDMAS and TDMAH precursors and oxygen plasma gas. AVS 65th International symposium & Exhibition. 2018
  12. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, NAGATA, Takahiro, OGURAAtsushi. Reliability of Al2O3/In-Si-O-C thin-film transistors with an Al2O3 passivation layer under gate-bias stress. AiMES 2018. 2018
  13. 女屋崇, 生田目俊秀, 澤本直美, 栗島一徳, 大井暁彦, 池田直樹, 長田貴弘, 小椋厚志. Ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films fabricated using TiN stressor layer and ZrO2 nucleation layer. AiMES 2018. 2018
  14. 前田 瑛里香, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 廣瀨 雅史, 井上 万里, 大井 暁彦, 池田 直樹, 塩崎宏司, 大石知司. HfSiOx絶縁膜を用いたn-GaN MOSキャパシタの高耐圧特性. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  15. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  16. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. ナノZrO2核生成層を用いた強誘電体HfxZr1−xO2薄膜の作製技術. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  17. 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫, 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司. GaN(0001)自然酸化膜の複合的評価. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  18. キム ジェミョン, ソ オッキュン, ソン チョルホ, 廣井 慧, チェン ヤナ, 色川 芳宏, 生田目 俊秀, 小出 康夫, 坂田 修身. Lattice-plane orientation mapping of 2-inch homo-epitaxial GaN (0001) thin films by grazing incident x-ray diffraction topography. JSAP Autumn Meeting 2018. 2018
  19. 生田目 俊秀, 女屋 崇, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 小椋厚志. ZrO2シード層による強誘電体HfxZr1−xO2薄膜形成. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  20. 水谷文一, 東慎太郎, 井上 万里, 生田目 俊秀. 新規原料(GaCp*)による酸化ガリウム薄膜の原子層堆積. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  21. 廣瀨 雅史, 生田目 俊秀, 弓削 雅津也, 前田 瑛里香, 大井 暁彦, 色川 芳宏, 小出 康夫, 池田 直樹. 表面処理方法がβ-Ga2O3/Al2O3/Pt MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす影響. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  22. 小出 康夫, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 三石 和貴. GaN系絶縁膜制御技術. 応用物理学会 特別シンポジウム:GaNのエピタキシャル成長とデバイス. 2018
  23. YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, IROKAWA, Yoshihiro, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, Akira Uedono, SANG, Liwen, KOIDE, Yasuo, Tomoji Ohishi. Analysis of deep traps at Al2O3/n-GaN interface using photo-assisted C-V measurement. Solid State Devices and Materials. 2018
  24. Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasada, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide, Bui Nguyen Quoc Trinh, A.Fujiwara. Characterization of solution-processed In-Si-O thin-film transistors. International Conference on Solid State Devices and Materials (S. 2018
  25. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 長田 貴弘, 小椋厚志. Impact of Top-ZrO2 Nucleation Layer on Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 Thin Films for Ferroelectric Field Effect Transistor Application. SSDM2018. 2018
  26. Kunji Shigeto, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide. In-situ SEM observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization. Royal Society of Chemistry-Tokyo International Conference (RSC-T. 2018
  27. NABATAME, Toshihide, INOUE, Mari, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, IKEDA, Naoki, OHI, Akihiko. Different growth mechanism of SiO2 layer on various High-k films by PE-ALD using Tris(dimethylamino)silane and oxygen plasma. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  28. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWAMOTONaomi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Effect of ZrO2 capping-layer on ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films by ALD using Hf/Zr cocktail precursor. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  29. Fumikazu Mizutani, Shintaro Higashi, INOUE, Mari, NABATAME, Toshihide. Reaction Mechanisms of the Atomic Layer Deposition of Indium Oxide Thin Films Using Ethylcycropentadienyl Indium. 18th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2018
  30. Ha Hoang, Tatsuki Hori, To-oru Yasuda, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide, Bui Nguyen Quoc Trinh, Akihiko Fujiwara. Investigation on solution-processed In-Si-O thin film transistor via spin-coating method. 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays. 2018
  31. 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 小出 康夫, 大石知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの自然酸化膜層が電気特性へ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2018
  32. 小出 康夫, 坂田 修身, 渡邊 賢司, 三石 和貴, 生田目 俊秀, 色川 芳宏. p-GaN中の結晶欠陥の複合的な評価. 応用物理学会 結晶工学分科 会第149回結晶工学分科会研究会. 2018
  33. 生田目 俊秀. ALD-Al2O3成長におけるAl2O3/基板界面の解析. 第28回シンポジウム「アトミックレイヤープロセッシングの基礎と最新. 2018
  34. 生田目 俊秀, 木村将之, 弓削 雅津也, 井上 万里, 池田 直樹, 大石知司, 大井 暁彦. 原子層堆積法の成長条件がAl2O3膜の特性へ及ぼす影響. 2018春期(第162回)日本金属学会講演大会. 2018
  35. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  36. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 色川 芳宏, 大井 暁彦, 池田 直樹, サン リウエン, 知京 豊裕, 小出 康夫, 大石 知司. Al2O3/n-GaNキャパシタの酸化ガリウム界面層が電気特性へ及ぼす影響. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  37. 陳 君, イ ウェイ, 関口 隆史, 生田目 俊秀, 江戸雅晴. 電子線誘起電流法によるGaN Schottky領域の転位と電流リーク箇所の観察. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  38. DAO, Duy Thang, CHEN, Kai, ISHII, Satoshi, YOKOYAMA, Takahiro, SAWADA, Tomomi, RAMU PASUPATHI, Sugavaneshwar, SHINDE, Satish Laxman, DOAN, Anh Tung, WADA, Yoshiki, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Large-Area Perfect Absorbers for Infrared Spectroscopic Devices . MANA International Symposium 2018. 2018
  39. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の向上. 第23回電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイ. 2018
  40. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Influence of Al2O3/In0.76Si0.24O0.99C0.01 interface on reliability for oxide thin film transistor. PCSI-45. 2018
2017
  1. 色川 芳宏, 鈴木 拓, 弓削 雅津也, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 木本 浩司, 大西 剛, 三石 和貴, 小出 康夫. Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study. 第18回「イオンビームによる表面・界面解析」特別研究会. 2017
  2. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWAMOTONaomi, KURISHIMA, Kazunori, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Improvement in ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin films using double nanocrystal ZrO2 layers. 2017 IWDTF. 2017
  3. 生田目 俊秀. 電子デバイスにおける原子層堆積技術の有効性. 第5回エレクトロニクス薄膜材料研究会. 2017
  4. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2シード層がHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性へ及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会-プロセス科学と新プロセス技術-. 2017
  5. CHEN, Jun, YI, Wei, CHO, Yujin, NABATAME, Toshihide, SEKIGUCHI, Takashi, CHIKYOW, Toyohiro. Investigation of GaN MIS Interfaces by Electron-beam-induced Current. The 17th conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics . 2017
  6. NABATAME, Toshihide. Characteristics of RuO2/TiO2/Al2O3/TiO2/RuO2 Capacitors. 232nd ECS MEETING. 2017
  7. 水谷 文一, 東慎太郎, 生田目 俊秀. 液体原料を用いた高純度インジウム酸化膜の原子層堆積. 第136回表面技術協会講演大会. 2017
  8. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤本直美, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ナノ結晶ZrO2シード層を用いた厚膜HfxZr1-xO2の強誘電性. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  9. 木津 たきお, 相川 慎也, 池田幸弘, 上野啓司, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. ALDで形成したInOx高移動度TFT. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  10. 相川 慎也, 木津 たきお, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 急峻なサブスレッショルドスロープを持つALD-AlOx ゲート絶縁膜アモルファス. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  11. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 女屋 崇, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-k/In1-xSixO1-yCyチャネル界面がトランジスタ特性に及ぼす影響. 2017年 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
  12. Jan Hani Esmael, Hoang Ha, 中村 翼, 古賀 友彰, 伊奈 稔哲, 宇留賀 朋哉, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, 藤原明比古. Structural characteristics of In-Si-O films fabricated via solution processing. IUMRS-ICAM 2017. 2017
  13. Hoang Ha, Jan Hani Esmael, 古賀友彰, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀, 藤原明比古. Characterization of doped In2O3 thin films by spin-coating technique. IUMRS-ICAM 2017. 2017
  14. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, KURISHIMA, Kazunori, SAWAMOTONaomi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Effect of ZrO2-seed-layer on ferroelectricity of HfxZr1-xO2 thin film for memory applications. XXVI International Materials Research Congress. 2017
  15. NABATAME, Toshihide. Resistive switching characteristics in memristors with Al2O3-TiO2 bilayers. XXVI International Materials Research Congress. 2017
  16. 生田目 俊秀. 熱ALD及びPE-ALD法で形成したHigh-k絶縁膜. 2017年真空・表面科学合同講演会. 2017
  17. Kunji Shigeto, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide. Radial Interference Contrast in in-situ SEM Observation of Metal Oxide Semiconductor Film Crystallization. Microscopy & Microanalysis 2017 Meeting. 2017
  18. Fumikazu Mizutani, Shintaro Higashi, NABATAME, Toshihide. High purity indium oxide films prepared by modified ALD using liquid ethylcyclopentadienyl indium. 17th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2017
  19. DAO, Duy Thang, ISHII, Satoshi, YOKOYAMA, Takahiro, SAWADA, Tomomi, RAMU PASUPATHI, Sugavaneshwar, CHEN, Kai, WADA, Yoshiki, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Spectrally-Selective Infrared Detectors using Hole Array Perfect Absorbers. The 8th International Conference on Surface Plasmon Photonics. 2017
  20. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, ONAYA, Takashi, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Negative bias stress instability in C-doped In-Si-O thin film transistors. ULSIC vs TFT 2017. 2017
  21. 山崎祥美, 大石知司, 生田目 俊秀. 光照射とポリシラザン塗布膜による高ガスバリア膜低温形成技術の開発. 日本セラミックス協会 2017年会. 2017
  22. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ALD-ZrO2シード層によるHfxZr1-xO2膜の強誘電性の改良. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  23. YUGE, Kazuya, NABATAME, Toshihide, OHI, Akihiko, IKEDA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Tomoji Ohishi. Characteristics of Al2O3 film by introducing additional oxygen and oxygen vacancy using Pt catalytic effect. APS March Meeting. 2017
  24. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響. 第64回 応用物理学会春季学術講演会. 2017
  25. DAO, Duy Thang, ISHII, Satoshi, YOKOYAMA, Takahiro, SAWADA, Tomomi, RAMU PASUPATHI, Sugavaneshwar, CHEN, Kai, WADA, Yoshiki, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Hole Array Perfect Absorbers for Spectrally Selective Infrared Detectors . MANA International Symposium 2017. 2017
  26. 弓削 雅津也, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 大石知司. Pt触媒効果を用いたALD-Al2O3膜の熱処理雰囲気とVfbシフトの関係. 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
  27. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. High-kシード層がHfZrO2膜の強誘電性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会 材料・プロセス・デバイス特性. 2017
  28. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 木津 たきお, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 池田 直樹, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタにおけるCドープIn-Si-OとIn-Si-Oチャネルの信頼性の比較. 第22回電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2017
2016
  1. NABATAME, Toshihide. Trapping mechanism of charge trap capacitors with various high-k multilayers. ENGE 2016. 2016
  2. NABATAME, Toshihide. Characteristics of charge trap capacitors with high-k multilayer. Nano Science & Technology-2016. 2016
  3. NABATAME, Toshihide. Effect of TMA on resistive switching characteristics in memristors with TiO2/Al2O3 bilayer. 2016 China ALD conference. 2016
  4. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, KURISHIMA, Kazunori, SAWAMOTO Naomi, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OGURA Atsushi. Role of Interlayer in ZrO2/high-k/ZrO2 Insulating Multilayer on Electrical Properties for DRAM Capacitor. PRiME 2016 (2016年電気化学会(ECSJ)秋季大会). 2016
  5. DAO, Duy Thang, ISHII, Satoshi, YOKOYAMA, Takahiro, SAWADA, Tomomi, RAMU PASUPATHI, Sugavaneshwar, CHEN, Kai, WADA, Yoshiki, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Plasmonic Hole Array Perfect Absorbers for Wavelength-Selective Infrared Pyroelectric Detectors. 2016 Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2016). 2016
  6. 生田目 俊秀, 伊藤 和博, 高橋 誠, 弓削 雅津也, 女屋 崇, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石 知司, 小椋 厚志, 知京 豊裕. Al2O3/ZrO2/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける電子トラップのメカニズム. 日本金属学会2016年秋期大会. 2016
  7. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/high-k/ZrO2多層絶縁膜を用いたDRAMキャパシタにおけるhigh-k層間絶縁層の役割. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  8. ダオ デュイ タン, 石井 智, 横山 喬大, 澤田 朋実, ラム パスパティ スガヴァネシュワー, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Hole Array Perfect Absorbers for Spectrally Selective Midwavelength Infrared Pyroelectric Detectors. The 77rd JSAP Autumn Meeting, 2016. 2016
  9. ダオ デュイ タン, 横山 喬大, 石井 智, 澤田 朋実, チェン カイ, 和田 芳樹, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Utilizing Efficient Light - Heat Conversion in Aluminum Perfect Absorbers for Spectrally Selective Infrared Detectors. The 77rd JSAP Autumn Meeting (5th JSAP-OSA Joint Symposia), 2016. 2016
  10. DAO, Duy Thang, ISHII, Satoshi, YOKOYAMA, Takahiro, SAWADA, Tomomi, RAMU PASUPATHI, Sugavaneshwar, CHEN, Kai, WADA, Yoshiki, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Hole Array Plasmonic Perfect Absorbers for Selective Mid-Wavelength Infrared Pyroelectric Dectector. The 14th Int. Conf. Near-Field Optics, Nanophotonics (NFO-14). 2016
  11. NABATAME, Toshihide. Characteristics of high-k thin films by atomic layer deposition. PRICM9. 2016
  12. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, KURISHIMA, Kazunori, OHI, Akihiko, SAWAMOTONaomi, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Improvement of leakage current properties of ZrO2/(Ta/Nb)Ox-Al2O3/ZrO2 nano-laminate insulating stacks for DRAM capacitor. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  13. NABATAME, Toshihide, ONAYA, Takashi, Makoto Takahashi, Kazuhiro Ito, OHI, Akihiko, KURISHIMA, Kazunori, Atsushi Ogura, CHIKYOW, Toyohiro. Comparison of tapping mechanism of ZrO2 and (Ta/Nb)x charge trapping layers for charge trap capacitor with high-k multilayers. 16th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2016
  14. 重藤訓志, 木津 たきお, 塚越 一仁, 生田目 俊秀. 金属酸化物半導体薄膜結晶化プロセスのその場SEM観察. 第26回電子顕微鏡大学. 2016
  15. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 澤本直美, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果. シリコン材料・デバイス研究会. 2016
  16. NABATAME, Toshihide, YAMAMOTO, Ippei, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, CHIKYOW, Toyohiro, Atsushi Ogura, Tomoji Ohishi. Electrical properties of anatase-TiO2 films due to the oxygen vacancy introduced by oxidation of trimethylaluminium. 2016 MRS Spring Meeting. 2016
  17. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. XPSを用いたトリメチルアルミニウムガスによるTiO2膜からの自己制御型の酸素脱離メカニズムの解析. 日本金属学会 2016年春季講演大会. 2016
  18. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋 崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2キャパシタにおけるPE-ALD RuO2とTiN電極の耐圧特性の比較. 日本金属学会 2016年春期(第158回)講演大会. 2016
  19. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 酸化物薄膜トランジスタへ向けたCドープしたIn-W-Oチャネル材料の特性. 第63回 応用物理学会春季学術講演会. 2016
  20. ダオ デュイ タン, 石井 智, チェン カイ, 横山 喬大, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Aluminum Infrared Perfect Absorbers for Wavelength Selective Devices. The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016. 2016
  21. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおける リーク電流特性の改善. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  22. 生田目 俊秀. 原子層堆積法で作製した金属酸化物薄膜の電子デバイスへの展開. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  23. 木津 たきお, 相川 慎也, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 二層 InSiO 薄膜トランジスタ の水素還元とオゾン酸化効果. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  24. 山崎祥美, 大石知司, 生田目 俊秀, 伊藤和博, 高橋誠. ポリシラザン塗布膜への光照射により作製した高ガスバリア膜形成PETフィルムの性質と構造. 日本セラミックス協会 2016年春季年会. 2016
  25. DAO, Duy Thang, ISHII, Satoshi, CHEN, Kai, YOKOYAMA, Yoshiro, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Infrared Plasmonic Perfect Absorbers-Based Selective Infrared Devices. MANA International Symposium 2016. 2016
  26. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープIn-Si-Oチャネルの酸化物TFTのバイアスストレス特性の改善. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016
  27. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料とTiO2膜の酸素の自己制御型反応によるアナターゼTiO2膜への酸素欠損の形成のメカニズム. 電子デバイス界面テクノロジー研究会(第21回). 2016
  28. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3及びZrO2膜厚がリーク電流特性へ及ぼす影響. 電子デバイス界面テクノロジー研究会−材料・プロセス・デバイス特性. 2016
2015
  1. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋, 知京 豊裕. TiO2/Ge 界面のGe拡散による影響. Materials Research Society of Japan. 2015
  2. 生田目 俊秀, 大井 暁彦. 金属/酸化物接合界面のナノオーダーレベル構造解析. 大阪大学接合科学研究所東京セミナー、アディティブ・マニュファクチ. 2015
  3. YAMAMOTO, Ippei, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, KURISHIMA, Kazunori, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, CHIKYOW, Toyohiro, Ogura Atsushi, Ohishi Tomoji. Self-limiting Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Trimethylaluminium. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  4. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, MITOMA, Nobuhiko, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, YAMAMOTO, Ippei, OHISHITomoji, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Study of C-doped InSiO as a novel channel material for oxide TFT. 46th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2015
  5. SUZUKI, Yoshihisa, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, NABATAME, Toshihide, 厚志, CHIKYOW, Toyohiro. Thin film growth of (110) RutileTiO2 on (100) Ge Substrate by Pulsed Laser Deposition. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2015
  6. SAWADA, Tomomi, NABATAME, Toshihide, YAMAMOTO, Ippei, KURISHIMA, Kazunori, ONAYA Takashi, OHI, Akihiko, ITO Kazuhiro, TAKAHASHI Makoto, KOHAMA Kazuyuki, OHISHI Tomoji, OGURA Atsushi, NAGAO, Tadaaki. Characteristic of TiO2/Al2O3/TiO2 capacitors with plasma-enhanced ALD RuO2 bottom electrode for DRAM. IWDTF 2015. 2015
  7. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, MITOMA, Nobuhiko, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, YAMAMOTO, Ippei, OHISHITomoji, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Improvement of bias stress reliability by Carbon-doping in In-Si-O channel TFT. 2015 IWDTF. 2015
  8. YAMAMOTO, Ippei, NABATAME, Toshihide, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, KURISHIMA, Kazunori, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, CHIKYOW, Toyohiro, Ogura Atsushi, Tomoji Ohishi. Oxygen Vacancy formation into Anatase-TiO2 Films by Oxidation of Trimethylaluminium. IWDTF 2015. 2015
  9. Liudmila Alekseeva, Dmitry Chigirev, Eugeny Osachev, Anatoly Petrov, Alexander Romanov, CHIKYOW, Toyohiro, NABATAME, Toshihide. Resistive switching and memory effects in BE-Pt/Al2O3/TiO2/Pt-TE and BE-Pt/TiO2/Al2O3/Pt-TE systems fabricated by atomic layer deposition. 2015 IWDTF. 2015
  10. FUJIWARA Akihiko, MITOMA, Nobuhiko, KIZU, Takio, NABATAME, Toshihide, TSUKAGOSHI, Kazuhito, TAMENORI Yusuke, KATO Kenichi  , INA Toshiaki, URUGA Tomoya, OHARA Koji, LOKU SINGGAPPULIGE, Rosantha Kumara, SONG, ChulHo, SAKATA, Osami, KOHARA, Shinji. Structure and Tolerance to Thermal Stress of Doped In2O3 Thin-Films. 9th Intl C on Science and Technology for AdvancedCeramic(STAC-9). 2015
  11. KIZU, Takio, AIKAWA, Shinya, MITOMA, Nobuhiko, SHIMIZU, Maki, GAO, Xu, LIN, Meng-Fang, NABATAME, Toshihide, TSUKAGOSHI, Kazuhito. Low-temperature Processable Amorphous In-W-O thin-film transistors. 9th Intl C on Science and Technology for AdvancedCeramic(STAC-9). 2015
  12. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 女屋崇, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. TiO2/Al2O3/TiO2スタック絶縁膜を用いたMIMキャパシタの電気特性に対するAl2O3膜厚の影響. 日本金属学会 2015年秋期(第157回)講演大会. 2015
  13. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるanatase-TiO2膜への酸素欠損導入のメカニズムの解明. 日本金属学会 2015年秋季講演大会. 2015
  14. 木津 たきお, 相川 慎也, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 二層InSiO構造を用いた薄膜トランジスタ. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  15. 相川 慎也, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 過剰酸素の抑制による真空環境で安定なIn-Si-O TFT. 第76回応用物理学会秋季学術講演会. 2015
  16. 川喜多 仁, 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 大木 知子. ガルバニ作用に基づく結露応答センサ. 2015年電気化学秋季大会 ・第59回化学センサ研究発表会 . 2015
  17. SAWADA, Tomomi, NABATAME, Toshihide, DAO, Duy Thang, YAMAMOTO, Ippei, KURISHIMA, Kazunori, OHI, Akihiko, OHISHI Tomojoi, OGURA Atsushi, NAGAO, Tadaaki. Growth of RuO2 films on SiO2, Al2O3 and TiO2 layers by plasma-enhanced ALD. ALD2015 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  18. NABATAME, Toshihide, YAMAMOTO, Ippei, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, DAO, Duy Thang, NAGAO, Tadaaki, Atsushi Ogura, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Control of oxygen vacancy in TiO2 films introduced by ALD using TMA precursor. 15th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2015
  19. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) . 2015
  20. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, MITOMA, Nobuhiko, KIZU, Takio, TSUKAGOSHI, Kazuhito, SAWADA, Tomomi, OHI, Akihiko, YAMAMOTO, Ippei, OHISHI Tomoji, CHIKYOW, Toyohiro, OGURA Atsushi. Impact of carbon-doped In-Si-O channel for future TFT. 227th ECS Meeting. 2015
  21. 梁田和也, 山本逸平, 大石知司, 生田目 俊秀. 光照射による循環式ポリイミド上への高ガスバリア膜低温形成技術. 2015年 日本セラミックス協会 年会. 2015
  22. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるAnatase-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会 2015春期大会. 2015
  23. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, 石井 智, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. 反応性スパッタリング法によるMoドープした酸化スズ膜の形成. 金属学会 2015年春期(第156回)講演大会. 2015
  24. 木津 たきお, 宮永 美紀, 粟田 英章, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. アモルファスInWO TFTの微量Zn添加効果. 応用物理学会春季学術講演会. 2015
  25. 三苫 伸彦, 相川 慎也, オウヤン ウェイ, 高 旭, 木津 たきお, 林 孟 芳, 藤原明比古, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. アモルファス酸化インジウム薄膜トランジスタにおける電荷密度および移動度の添加元素依存性. 応用物理学会春季学術講演会. 2015
  26. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 2元スパッタリング法で作製したInSiO系チャネル材料の電気特性. 2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  27. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, パウルサミー チナマトゥ, 生田目 俊秀, 小橋 和義, 小椋厚志, 知京 豊裕. Ge上ルチル型TiO2_High-k層へのYドープ濃度の依存性. ゲートスタック研究会. 2015
  28. 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 伊藤 和博, 高橋 誠, 知京 豊裕. Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3チャージトラップキャパシタにおける(Ta/Nb)Ox/Al2O3ブロッキング層の界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理 第20回. 2015
  29. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA/H2O-ALD法によるRutile-TiO2膜へ酸素欠損の形成による電気特性. 第20回ゲート・スタック研究会. 2015
  30. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響. ゲートスタック研究会. 2015
2014
  1. NABATAME, Toshihide, OHI, Akihiko, Kazuhiro Ito, Makoto Takahashi, CHIKYOW, Toyohiro. Charge trap mechanism of memory capacitors with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. Visual-JW 2014. 2014
  2. NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Influence of oxygen diffusion in transparent In0.9Sn0.1Ox film on effective work function change. AVS 61st International Symposium & Exhibition. 2014
  3. YAMAMOTO, Ippei, Kattareeya Taweesup, CHIKYOW, Toyohiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Tomoji Ohishi, NABATAME, Toshihide. Improvement of effective work function and transmittance of ITO/ultra-thin In1-xRuxOy stack structure. 61st AVS. 2014
  4. DAO, Duy Thang, CHEN, Kai, ISHII, Satoshi, GANDHAM, Lakshminarayana, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Large Area, Aluminum Metamaterial Perfect Absorbers for Tunable Thermal Radiation . The 7th International Symposium on Surface Science, 2014. 2014
  5. NABATAME, Toshihide. Design of Insulators by Atomic Layer Deposition for Semiconductor Devices. Materials Science-2014. 2014
  6. 生田目 俊秀. ALD成膜技術によるナノ薄膜作製と半導体プロセスへの利用. 日本金属学会2014年度秋期講演大会. 2014
  7. 澤田 朋実, 生田目 俊秀, ダオ デュイ タン, 山本 逸平, 栗島 一徳, 大井 暁彦, 大石知司, 小椋厚志, 長尾 忠昭. RuO2シードを用いたPE-ALD法で作製したRuO2膜の特性. 金属学会 2014年秋期(第155回)講演大会. 2014
  8. 山本 逸平, 生田目 俊秀, 澤田朋実, 大井 暁彦, 栗島 一徳, ダオ デュイ タン, 長尾 忠昭, 知京 豊裕, 小椋厚志, 大石知司. TMA原料によるRutile-TiO2膜への酸素欠損の導入とその電気特性. 日本金属学会 2014年秋季講演大会. 2014
  9. 木津 たきお, 相川 慎也, 三苫 伸彦, 清水 麻希, 高 旭, 林 孟 芳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. 低温プロセスで高移動度かつ高安定なa-InWO TFT. 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  10. 三苫 伸彦, 相川 慎也, 高 旭, 木津 たきお, 清水 麻希, 林 孟 芳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. シリコン添加により制御された酸化インジウム薄膜トランジスタ. 2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  11. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 三苫 伸彦, 木津 たきお, 塚越 一仁, 澤田 朋実, 大井 暁彦, 山本 逸平, 大石知司, 知京 豊裕, 小椋厚志. 炭素添加したInSiOチャネル材料の特性. 応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  12. ダオ デュイ タン, チェン カイ, 石井 智, ガンダム ラクシミナラヤナ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長尾 忠昭. Large Area, Aluminum Metal-Insulator-Metal Infrared Perfect Absorber. The 75th JSAP Autumn Meeting, (JSAP-OSA Joint Symposium) 2014. 2014
  13. TSUKAGOSHI, Kazuhito, NABATAME, Toshihide. Silicon induced metal oxide thin film transistor with reproducible operation . The 14th International Meeting on Information Disply (IMID 2014. 2014
  14. 木津 たきお, 相川 慎也, 三苫 伸彦, 清水 麻希, 高 旭, 林 孟 芳, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. Amorphous InWO TFT with High Mobility and Stability by Low-temperature Process . Materials Architectonics for Sustainable Actions (MASA) 2014. 2014
  15. 高 旭, 相川 慎也, 三苫 伸彦, 林 孟 芳, 木津 たきお, 生田目 俊秀, 塚越 一仁. Probing the effects of self-formed copper oxide contact interlayer in oxide thin film transistors. Materials Architectonics for Sustainable Actions (MASA) 2014. 2014
  16. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. ALD法で作製したAl2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価. 平成26年度6月度シリコン材料デバイス研究会. 2014
  17. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, SHIMIZU, Maki, AIKAWA, Shinya, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method. 14th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2014
  18. 生田目 俊秀. Characteristics of Higher-k films fabricated by ALD and low annealing temperature process. The AVS Topical Conference on Atomic Layer Deposition 2014 . 2014
  19. KURISHIMA, Kazunori, NABATAME, Toshihide, SHIMIZU, Maki, AIKAWA, Shinya, TSUKAGOSHI, Kazuhito, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OGURAAtsushi. Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor. 225th ECS Meeting. 2014
  20. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕. Characteristics of charge trap flash memory with Al2O3/(Ta/Nb)Ox/Al2O3 multi-layer. 225th ECS Meeting. 2014
  21. 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 有機EL用陽極としての極薄膜RuO2膜の特性. 日本金属学会2014年春期(第154回)講演大会. 2014
  22. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性. 応用物理学会春季学術講演会. 2014
  23. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 大毛利 健治. ナノエレクトロニクス分野における国際連携の取り組み. 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  24. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2 界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  25. 長田 貴弘, 小橋 和義, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究. ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―(第19回). 2014
  26. 山本逸平, 生田目 俊秀, Katareeya Taweesup, 高橋誠, 伊藤和博, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 極薄膜RuO2膜の実効仕事関数. 第19回ゲートスタック研究会. 2014
  27. 栗島 一徳, 生田目 俊秀, 清水 麻希, 相川 慎也, 塚越 一仁, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 小椋厚志. PE-ALD法で作製したAl2O3絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性の変化. ゲートスタック研究会. 2014
2013
  1. アブデラリーム アブデラジム アブデルラテフ シーマ, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 谷口 彰良. Alteration in Hepatocytes Behaviors by the Manipulation of Chemical and Physical Cues on TiO2 Nanopatterns. 第35回日本バイオマテリアル学会大会. 2013
  2. 生田目 俊秀. ALD法によるHigher-k絶縁膜の低温作製とCMOSへの展開. 第21回シンポジウム「ALDプロセスの基礎と応用」. 2013
  3. KOBASHI, Kazuyoshi, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YAMASHITA, Yoshiyuki, Atsushi Ogura, CHIKYOW, Toyohiro. Effects of Rutile TiO2 Interlayer on HfO2/Ge MOS Structure. SSDM 2013. 2013
  4. DAO, Duy Thang, ARAI, Nono, HOANG, Vu Chung, HAN, Gui, NABATAME, Toshihide, AONO, Masakazu, NAGAO, Tadaaki. Plasmon-Assisted Photocatalitic Activity of the Metal-loaded Oxide Surfaces. The 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  5. ABDELALEEM, abdelazim Abdellatef Shimaa, NABATAME, Toshihide, TANIGUCHI, Akiyoshi. TIO2 NANOPATTERING THAT MIMICKS THE EXTRACELLULAR MATRIX INDUCED FUNCTIONS OF HUMAN LIVER CELLS. Advanced Materials world congress 2013. 2013
  6. NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, KIMURA, Masayuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Developments of ALD-(Ta/Nb)ON films as gate insulator for gate-last high-k CMOS process. 13th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2013
  7. KOBASHI, Kazuyoshi, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YAMASHITA, Yoshiyuki, Atsushi Ogura, CHIKYOW, Toyohiro. Effects of Rutile TiO2 Interlayer formation on HfO2/Ge MOS device. NIMS Conference 2013. 2013
  8. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Electrical Characteristics of Anatase-TiO2 Films by ALD Process. NIMS Conference 2013. 2013
  9. NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. ALD-TiO2 as gate insulator for Metal/High-k transistor. NIMS Conference 2013. 2013
  10. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Tomoji Ohishi, CHIKYOW, Toyohiro. Characterization of Al2O3 Films Grown by Plasma-Enhanced ALD Process. NIMS Conference 2013. 2013
  11. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2013
  12. Shinji Migita, Yukimune Watanabe, Yukinori Morita, Noriyuki Taoka, Wataru Mizubayashi, Meishoku Masahara, NABATAME, Toshihide, Akira Toriumi, Hiroyuki Ota. Instant and Slow Martensitic Transformation of Higher-k (k>50) Metastable HfO2 Films. The Sixth Int. Symposium on Control of Semiconductor Interface. 2013
  13. CHIKYOW, Toyohiro, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, CHEN, Jun, NGUYEN, Nam, SEKIGUCHI, Takashi, YAMASHITA, Yoshiyuki, YAGYU, Shinjiro, YOSHITAKE, Michiko, NGUYEN Nam. New materials discovery and their application for future nano electronics. INC9. 2013
  14. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 関口 隆史, 陳 君, Yongxun Lui, 昌原明植. ナノスケール機能性酸化物の多様性と次世代デバイスへの期待. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  15. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石 知司. 低温度作製したアナターゼ型TiO2膜の電気特性. 2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  16. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 伊藤和博, 高橋誠, 知京 豊裕, 大石知司. Anatase/Rutile型TiO2膜の酸素移動とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会2013年春期(第152回)講演大会. 2013
  17. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. ALD法で作製したTa-Nb-O-N絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2013年度春期講演大会. 2013
  18. SOMU, Kumaragurubaran, CHIKYOW, Toyohiro, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YOSHITAKE, Michiko, YAGYU, Shinjiro, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION FOR THE GATE STACK IN ADVANCED CMOS DEVICES. Second international workshop on advanced functional nanomateria. 2013
2012
  1. CHIKYOW, Toyohiro, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, YOSHITAKE, Michiko, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, OHMORI, Kenji. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION ON HIGH-K GATE OXIDE AND METAL GATE FOR FUTURE CMOS DEVICES. ISAEM-2012 -AMDI-3. 2012
  2. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OHISHI Tomoji. Electrical Characteristics of Anatase-TiO2 Films by Low Temperature Fabrication. 2012 International Conference on Solid State Devices and Materia. 2012
  3. YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, CHIKYOW, Toyohiro, NABATAME, Toshihide, KOBAYASHI, Keisuke. Bias dependent electronic states in gate stack structures: HXPES under device operation. International Conference on Electron Spectroscopy and Structure. 2012
  4. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 低温作製したルチル構造のTi1-X(Nb/Ta)XO絶縁膜の電気特性. 日本金属学会2012年秋期(第151回)大会. 2012
  5. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. High-k/SiO2スタック構造におけるHigh-k層の酸素拡散がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  6. DAO, Duy Thang, HOANG, Vu Chung, RANA, Md. Masud, ARAI, Nono, HAN, Gui, NABATAME, Toshihide, NAGAO, Tadaaki. Visible Light Plasmonic Enhancement of Photocatalytic Activity of ZnO Nanowires. The 73rd JSAP Autumn meeting, OSA-JSAP joint symposia. 2012
  7. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. (TaC)1-xAlx/High-kスタックにおけるHigh-k層の酸素及びAl拡散がVfbシフトへ果たす役割. 2012 Tsukuba Nanotechnology Symposium TNS. 2012
  8. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 先端CMOS向けメタル/High-kゲートスタック技術. 第76回半導体・集積回路技術シンポジウム. 2012
  9. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 成島 利弘, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2/SiO2ゲートスタックで熱処理温度に対するAl原子の評価. シリコン材料・デバイス(SDM)研究会. 2012
  10. NABATAME, Toshihide, KIMURA, Masayuki, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, Ohishi Tomoji, CHIKYOW, Toyohiro. Electrical properties of Al2O3, TiO2 and AlTiOx films grown by PE-ALD process for high-k CMOS. 12th International Conference on Atomic Layer Deposition. 2012
  11. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  12. KIMURA, Masayuki, NABATAME, Toshihide, YAMADA, Hiroyuki, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro, OHISHI Tomoji. Role of Al atoms in (TaC)1-xAlx on Vfb shift for HfO2 MOS capacitor. The Eighth International Nanotechnology Conference on Communicat. 2012
  13. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Ti1-X(Nb/Ta)XO2透明導電膜のNb/Taアロイが光学・電気特性に及ぼす影響. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  14. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. Plasma Enhanced ALD法によるhigh-k絶縁膜の低温度作製. 日本金属学会2012年春期(第150回)大会. 2012
  15. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. 酸化還元熱処理によるITO/HfO2 キャパシタのVfbシフトとITO膜の物性との関係. ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-(第17回). 2012
  16. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlx/HfO2ゲートスタックでVfbシフトへ及ぼすAl原子の役割. ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―(第17回). 2012
2011
  1. 生田目 俊秀, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司, 大井 暁彦, 知京 豊裕. 同位体18Oを用いて求められたIn0.9Sn0.1O膜の酸素拡散係数. 日本金属学会2011年秋期(第149回)大会. 2011
  2. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. (TaC)1-xAlxゲート電極のAl原子によるフラットバンド電圧の制御. 日本金属学会2011年秋季(第149回)大会. 2011
  3. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. ITO電極の酸素がHfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧へ及ぼす影響. 日本金属学会2011年秋期(第149回)大会. 2011
  4. NABATAME, Toshihide. Semiconductor research with CMOS of NIMS. 第2回日中電子材料シンポジウム. 2011
  5. 山田 博之, 生田目 俊秀, 木村 将之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. 酸化還元熱処理がITO/HfO2 MOSキャパシタのフラットバンド電圧に及ぼす影響. The 3ed NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  6. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割 . The 3rd NIMS(MANA)- Waseda International Symposium. 2011
  7. 木村 将之, 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石 知司. HfO2ゲートスタックにおける(TaC)1-xAlx電極のAl原子がVfbに果たす役割. 2011 SSDM. 2011
  8. 生田目 俊秀. CMOS技術の開発とその課題. 日本金属学会分科会シンポジウム 環境・医療・IT調和型デバイス及び. 2011
  9. 原田 善之, 大井 暁彦, 児子 精祐, 加藤 誠一, 北澤 英明, 生田目 俊秀, 木戸 義勇. 酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製2. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  10. 生田目 俊秀, 山田 博之, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 大石 知司. ITO/HfO2 MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響. シリコン材料・デバイス研究会. 2011
  11. 生田目 俊秀, 木村 将之, 山田 博之, 大井 暁彦, 大石知司, 知京 豊裕. Influence of Oxygen Transfer in Hf-based High-k Dielectrics on Flatband Voltage Shift. 6th Int. Symp. on Control of Semiconductor Interface. 2011
  12. CHIKYOW, Toyohiro, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YOSHITAKE, Michiko, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi. combinatorial materials research and screening for future nano electronics. the 6th CSIRO Advanced Materials Conference & Workshops . 2011
  13. CHIKYOW, Toyohiro, YOSHITAKE, Michiko, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, SEKIGUCHI, Takashi. New materials research for future nano electronics in NIMS. The 7th International Nanotechnology Conference. 2011
  14. 山田 博之, 大石 知司, 生田目 俊秀, 知京 豊裕. ITO/HfO2 MOSキャパシタのアニール雰囲気がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 2011年春期(第148回)大会. 2011
  15. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 山田 博之, 木村 将之, 大石知司. High-k酸化膜の酸素拡散とフラットバンド電圧シフトの関係. 日本金属学会 2011年春期大会. 2011
  16. Pattira Homhuan, NABATAME, Toshihide, CHIKYOW, Toyohiro, Sukkaneste Tungasmita. Effect of Y Content in Ta1-xYxC Gate Electrodes on Vfb Control for Hf-based High-k. IWDTF-11. 2011
2010
  1. CHIKYOW, Toyohiro, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, NGUYEN, Nam, YOSHITAKE, Michiko, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi. Combinatorial materials design and its application for nano device in future. International Workshop on Materials Discovery by Scale-Bridging . 2010
  2. 生田目 俊秀, 大井 暁彦, 知京 豊裕. High-k/SiO2酸化物のヘテロ界面がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 日本金属学会 2010年秋期大会. 2010
  3. Pattira Homhuan, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, Sukkaneste Tungasmita. n-メタルゲート電極としてHf-酸化物上へ形成したTa1-xYxC膜の電気特性. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  4. Tetsu Morooka, Motoyuki Sato, Takeo Matsuki, Takayuki Suzuki, Akira Uedono, Kenji Shiraishi, Seiichi Miyazaki, Kenji Ohmori, Keisaku Yamada, NABATAME, Toshihide, CHIKYOW, Toyohiro, Jiro Yugami, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji. Suppression of Anomalous Threshold Voltage Increase with Area Scaling. 2010 Symposia on VLSI Technology and Circuits. 2010
  5. NABATAME, Toshihide, OHI, Akihiko, CHIKYOW, Toyohiro. Hetero interface of ionic/covalent oxides for Nano-electronics. The Sixth Int. Nanotech. Conf. on Commun. and Cooperation INC6. 2010
  6. CHIKYOW, Toyohiro, NAGATA, Takahiro, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, YOSHITAKE, Michiko, NABATAME, Toshihide. Strategy for new materials discovery for future nano electronics. International Nanotechnology Conference 6 (INC6). 2010
  7. CHIKYOW, Toyohiro, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, UMEZAWA, Naoto, YOSHITAKE, Michiko, SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun. Landscape of Materials Design for Future Nano Electronics and High-throughput Materials Exploration. 1st Singapore-Japan Workshop on Advances in nanomaterials. 2010
  8. 生田目 俊秀, 原 眞一, 大井 暁彦, 知京 豊裕, 松木武雄, 由上二郎. HfO2ゲート絶縁膜中の酸素がフラットバンド電圧シフトへ及ぼす影響. 日本金属学会2010年度春期大会. 2010
  9. 岩下 祐太, 生田目 俊秀, 佐藤 岳志, 松本 弘昭, 小椋 厚志, 知京 豊裕. HfO2 膜へのTaOx キャップ層形成による各界面層の変化. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  10. 佐藤岳志, 松本弘昭, 生田目 俊秀, 知京 豊裕, 岩下祐太. In-situ透過電子顕微鏡及びEELS解析による. 2010年 春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  11. 松木武雄, 大毛利健治, 諸岡哲, 鈴木隆之, 佐藤基之, 木本 浩司, 生田目 俊秀, 宮崎誠一, 白石賢二, 知京 豊裕, 山田啓作, 由上二郎, 松井 良夫, 池田和人, 大路譲. Poly-Si/メタル窒化物/High-kゲートスタックにおける電極放出窒素によるフラットバンド電圧変動. 「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」(第15回研究. 2010
2009
  1. Takeo Matsuki, Kenji Ohmori, Testuo Morooka, Takayuki Suzuki, Motoyuki Sato, KIMOTO, Koji, NABATAME, Toshihide, Seiichi Miyazaki, Kenji Shirai, CHIKYOW, Toyohiro, Keisaku Yamada, Jiro Yugami, MATSUI, Yoshio, Kazuto Ikeda, Yuzuru Ohji. Oxidizing and Nitriding Reactions Originated with Nitrogen Released from TiN in Poly-Si/TiN/HfO2/SiO2 Gate Stack. 40th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference . 2009
  2. CHIKYOW, Toyohiro, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, UMEZAWA, Naoto, YOSHITAKE, Michiko, SEKIGUCHI, Takashi. Landscape of materials design for future nano electronics and high-throughput materials exploration。 . Nano Korea 2009. 2009
  3. 池田 稔, 生田目 俊秀, 鳥海 明, Georg Kresse. 次世代CMOSに用いられる高誘電体材料HfO2の第一原理計算を用いた研究. 第107回誘電体研究委員会. 2009

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第6448007号 高速応答・高感度乾湿応答センサー (2018)
  2. 特許第6440169号 有機EL素子及びその製造方法 (2018)
  3. 特許第6327548号 薄膜トランジスタ及びその製造方法 (2018)
  4. 特許第6308583号 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 (2018)
  5. 特許第6296463号 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2018)
  6. 特許第6292507号 水素拡散障壁を備える半導体デバイス及びその製作方法 (2018)
  7. 特許第6273606号 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 (2018)
  8. 特許第6260992号 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
  9. 特許第6261125号 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
  10. 特許第6252904号 酸化物半導体およびその製法 (2017)
  11. 特許第6252903号 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
  12. 特許第6241848号 薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 (2017)
  13. 特許第6120386号 薄膜トランジスタおよびその製造方法 (2017)
  14. 特許第5846563号 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 (2015)
  15. 特許第5757628号 界面層削減方法、高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法、高誘電率ゲート絶縁膜、及び高誘電率ゲート酸化膜を有するトランジスタ (2015)
  16. 特許第5598916号 ゲート電極及びその製造方法 (2014)
公開特許
  1. 特開2017011173号 多層構成の薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにアクティブマトリクス駆動ディスプレイ (2017)
  2. 特開2016131216号 抵抗変化型素子およびその製造方法 (2016)
外国特許
  1. No. US20160365455A1 Thin-Film Transistor and Method for Manufacturing Same (2016)
  2. No. WO2016114311A1 RESISTANCE CHANGE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME (2016)
  3. No. US20160118501A1 THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME (2016)
  4. No. US20160056409A1 ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME (2016)
  5. No. WO2016013544A1 DRYNESS/WETNESS RESPONSE SENSOR HAVING HIGH-SPEED RESPONSE AND HIGH SENSITIVITY (2016)
  6. No. WO2014181777A1 THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME (2014)
  7. No. WO2014157639A1 ORGANIC EL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME (2014)
  8. No. KR2014071491A THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD FOR PRODUCING A THIN-FILM TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR (2014)
  9. No. US20140061872A1 Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film (2014)
  10. No. WO2013187486A1 THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD FOR PRODUCING A THIN-FILM TRANSISTOR, AND SEMICONDUCTOR DEVICE (2013)
  11. No. US20120280372A1 Method for Reducing Thickness of Interfacial Layer, Method for Forming High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Insulating Film, High Dielectric Constant Gate Oxide Film, and Transistor Having High Dielectric Constant Gate Oxide Film (2012)
  12. No. KR2012095999A INTERFACE LAYER REDUCTION METHOD, METHOD FOR FORMING HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE INSULATING FILM, HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE INSULATING FILM, HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE OXIDE FILM, AND TRANSISTOR HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE OXIDE FILM (2012)
  13. No. WO2011068096A1 INTERFACE LAYER REDUCTION METHOD, METHOD FOR FORMING HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE INSULATING FILM, HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE INSULATING FILM, HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE OXIDE FILM, AND TRANSISTOR HAVING HIGH DIELECTRIC CONSTANT GATE OXIDE FILM (2011)

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