HOME > 口頭発表 > 書誌詳細強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの界面反応に起因する 分極疲労抑制メカニズムに関する考察(Considerations on possible mechanism of suppression of fatigue properties induced by interface reaction at ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN)女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 山下 良之, 塚越 一仁, 喜多 浩之. 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2024年01月31日-2024年02月02日.NIMS著者生田目 俊秀長田 貴弘山下 良之塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2024-02-09 03:10:28 +0900更新時刻: 2024-02-09 03:10:28 +0900