研究内容
- Keywords
デバイスの新評価法、界面電子状態、分光
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- [R-683] 電子分光スペクトルシミュレーター SESSA：[R-684] プランベンとIV族単体原子層. Vacuum and Surface Science. 63 [7] (2020) 386-386 10.1380/vss.63.386
- Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Spectroscopic Observation of the Interface States at the SiO<sub>2</sub>/4H-SiC(0001) Interface. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17 [0] (2019) 56-60 10.1380/ejssnt.2019.56
- 山下 良之. 東北次世代放射光施設. 表面と真空. (2022) 156-156
会議録
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, CHIKYOW, Toyohiro. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Resistive random access memory. ECS TRANSACTIONS. 2017, 39-47
- Minoru Toriumi, Yuta Sato, Reiji Kumai, Yoshiyuki Yamashita, Koichi Tsukiyama, Toshiro Itani. Characterization of 'metal resist' for EUV lithography. Proc. SPIE 9779. 2016
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, K. Kobayashi, CHIKYOW, Toyohiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. ECS TRANSACTIONS. 2014, 301-310
口頭発表
- 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆. Interfacial Atomic Structures and Interface States at SiO2/4H-SiC. The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9). 2021
- 山下 良之, タン ジンミン. SiドープGaN中ドーパント活性サイトの化学状態・原子構造 . 2021年 日本表面真空学会 学術講演会. 2021
- 山下 良之. Band-offset, Band-gap, Atomic Structures, Leakage Current, and Interface States of SiO2/4H-SiC Interface. The 9th Asian Physics Symposium 2021. 2021
その他の文献
- Yoshiyuki YAMASHITA. 光電子分光詳論 基礎から学ぶ原子配列・電子構造イメージング. Vacuum and Surface Science. 64 [1] (2021) 51-51 10.1380/vss.64.51
- W Hamouda,, C. Lubin, 上田 茂典, 山下 良之, O. Renault, F. Mehmood, T. Mikolajick, U. Schroeder, R. Negrea, N. Barrett. Laboratory Based Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Buried Interface Analysis of Microelectronic Components. Scienta Omicron Result of the Month. (2021) 1-1
- Yoshiyuki YAMASHITA. 1 year study in Grenoble. Vacuum and Surface Science. 61 [12] (2018) 813-814 10.1380/vss.61.813
特許
- 特許第6099251号 耐酸化性NiAlナノ粒子及びその製造方法、耐酸化性NiAlナノ粒子含有ボンドコート層 (2017)
- 特許第5728780号 ナノ粒子包接デンドリマー蛍光体及びその製造方法 (2015)
- 特許第5991670号 小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子及びその製造方法、小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子含有電極触媒及びその製造方法 (2016)
- 特開2012041460号 ナノ粒子包接デンドリマー蛍光体及びその製造方法 (2012)
- 特開2013215695号 ナノ粒子包摂デンドリマー集積電極触媒及びその製造方法 (2013)
- 特開2014101266号 小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子及びその製造方法、小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子含有電極触媒及びその製造方法 (2014)