研究内容
- Keywords
デバイスの新評価法、界面電子状態、分光
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 山下 良之. EUVメタルレジストの作製、物性評価と反応機構. MATERIAL STAGE. (2023) 37-41
- 山下 良之. [R-683] 電子分光スペクトルシミュレーター SESSA：[R-684] プランベンとIV族単体原子層. Vacuum and Surface Science. 63 [7] (2020) 386-386 10.1380/vss.63.386
- Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Spectroscopic Observation of the Interface States at the SiO2/4H-SiC(0001) Interface. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17 [0] (2019) 56-60 10.1380/ejssnt.2019.56
書籍
- 山下 良之. EUV メタルレジストの反応メカニズム. フォトレジストの最先端技術. シーエムシー出版, 2022, 10.
- 山下 良之. ナノ電子デバイスの動作下における電子状態の直接観測法の開発. ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基盤・界面効果ー, 2013, 434-442.
会議録
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, CHIKYOW, Toyohiro. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Resistive random access memory. ECS TRANSACTIONS. (2017) 39-47
- Minoru Toriumi, Yuta Sato, Reiji Kumai, Yoshiyuki Yamashita, Koichi Tsukiyama, Toshiro Itani. Characterization of ’metal resist’ for EUV lithography. Proc. SPIE 9779. (2016) 10.1117/12.2219030
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, K. Kobayashi, CHIKYOW, Toyohiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. ECS TRANSACTIONS. (2014) 301-310 10.1149/06102.0jolecs
口頭発表
- YAMASHITA, Yoshiyuki. Atomic Structures and Chemical States for Active and Inactive Dopant Sites in GaN (0001). The 14-th International Symposium on Modern Optics and Its Applications. 2023
- 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
- YAMASHITA, Yoshiyuki, TANG, Jingmin. Photoelectron Holographic Study of Atomic Structure and Chemical State for Active Dopant Site in Mg-Doped GaN (0001). 14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Drvices '22 (ALC '22). 2022
その他の文献
- 山下 良之. 光電子分光詳論 基礎から学ぶ原子配列・電子構造イメージング. Vacuum and Surface Science. 64 [1] (2021) 51-51 10.1380/vss.64.51
- W Hamouda,, C. Lubin, 上田 茂典, 山下 良之, O. Renault, F. Mehmood, T. Mikolajick, U. Schroeder, R. Negrea, N. Barrett. Laboratory Based Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Buried Interface Analysis of Microelectronic Components. Scienta Omicron Result of the Month. (2021) 1-1
- 山下 良之. 1 year study in Grenoble. Vacuum and Surface Science. 61 [12] (2018) 813-814 10.1380/vss.61.813
特許
- 特許第6300219号 ナノ粒子包摂デンドリマー集積電極触媒及びその製造方法 (2018)
- 特許第6099251号 耐酸化性ＮｉＡｌナノ粒子及びその製造方法、耐酸化性ＮｉＡｌナノ粒子含有ボンドコート層 (2017)
- 特許第5728780号 ナノ粒子包接デンドリマー蛍光体及びその製造方法 (2015)
- 特開2012041460号 ナノ粒子包接デンドリマー蛍光体及びその製造方法 (2012)
- 特開2013215695号 ナノ粒子包摂デンドリマー集積電極触媒及びその製造方法 (2013)
- 特開2014101266号 小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子の製造方法、小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子含有電極触媒及びその製造方法 (2014)