研究内容
- Keywords
デバイスの新評価法、界面電子状態、分光
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 電子分光シュミレーターSESSA. 表面と真空. 63 [7] (2020) 386-386 10.1380/vss.63.386
- C. Zborowski, O. Renault, A. Torres, C. Guedj, Y. Yamashita, S. Ueda, G. Grenet, S. Tougaard. Quantitative determination of elemental diffusion from deeply buried layers by photoelectron spectroscopy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 124 [8] (2018) 085115-1-085115-12 10.1063/1.5033453
- Yoshiyuki Yamashita, Anli Yang, Keisuke Kobayashi. Near surface structures and the electronic states of polar InN. ECS TRANSACTIONS. 86 [3] (2018) 103-108 10.1149/08603.0103ecst
会議録
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, CHIKYOW, Toyohiro. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Resistive random access memory. ECS TRANSACTIONS. 2017, 39-47
- Minoru Toriumi, Yuta Sato, Reiji Kumai, Yoshiyuki Yamashita, Koichi Tsukiyama, Toshiro Itani. Characterization of 'metal resist' for EUV lithography. Proc. SPIE 9779. 2016
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, K. Kobayashi, CHIKYOW, Toyohiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. ECS TRANSACTIONS. 2014, 301-310
口頭発表
- 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆. SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関 . Symposium on Practical Surface Analysis 2020. 2020
- 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫. SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関. 日本表面・真空学会. 2020
- 山下 良之, ヤン アンリ, 小林 啓介. 実験室硬X線光電子回折法によるInN表面近傍の化学状態選別構造. 第54回表面分析研究会. 2020
その他の文献
- 山下 良之. 光電子分光詳論 基礎から学ぶ原子配列・電子構造イメージング. Vacuum and Surface Science. 64 [1] (2021) 51-51 10.1380/vss.64.51
- Yoshiyuki YAMASHITA. Grenobleでの一年間の在外派遣. 表面と真空. 61 [12] (2018) 813-814 10.1380/vss.61.813
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 吉武 道子, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向 物質・材料研究のための先進計測テクノロジー. 調査分析室レポートNIMS-RAO-FY2016-3 [ISBN] 978-4-9900563-7-7. 1 (2016) 42-51
特許
- 特許第6099251号 耐酸化性NiAlナノ粒子及びその製造方法、耐酸化性NiAlナノ粒子含有ボンドコート層 (2017)
- 特許第5728780号 ナノ粒子包接デンドリマー蛍光体及びその製造方法 (2015)
- 特許第5991670号 小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子及びその製造方法、小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子含有電極触媒及びその製造方法 (2016)