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山下 良之

山下 良之 (YAMASHITA, Yoshiyuki) 0000-0003-0994-8095

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論文 TSV

2024
  1. Yuhua Tsai, Yusuke Hashimoto, ZeXu Sun, Takuya Moriki, Takashi Tadamura, Takahiro Nagata, Piero Mazzolini, Antonella Parisini, Matteo Bosi, Luca Seravalli, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita. Photoelectron Holographic Study for Atomic Site Occupancy for Si Dopants in Si-Doped κ-Ga2O3(001). Nano Letters. 24 [13] (2024) 3978-3985 10.1021/acs.nanolett.4c00482
  2. Yuhua Tsai, Masaaki Kobata, Tatsuo Fukuda, Hajime Tanida, Toru Kobayashi, Yoshiyuki Yamashita. Atomic position and the chemical state of an active Sn dopant for Sn-doped β-Ga2O3(001). Applied Physics Letters. 124 [11] (2024) 112105 10.1063/5.0198160 Open Access
  3. T.T. Suzuki, Y. Yamashita, I. Sakaguchi. Bias voltage induced-electrical conductivity at electrode interfaces of a rutile TiO2 single crystal: Two different mechanisms depending on temperature. Surfaces and Interfaces. 44 (2024) 103703 10.1016/j.surfin.2023.103703
2023
  1. 山下 良之. EUVメタルレジストの作製、物性評価と反応機構. MATERIAL STAGE. 22 [11] (2023) 37-41
  2. Valdi Rizki Yandri, Adhita Asma Nurunnizar, Rima Debora, Priastuti Wulandari, Natalita Maulani Nursam, Rahmat Hidayat, Efi Dwi Indari, Yoshiyuki Yamashita. Crystal structures and photoluminescence characteristics of cesium lead bromide perovskite nanoplatelets depending on the antisolvent and ligand used in their syntheses. Heliyon. (2023) e23276 10.1016/j.heliyon.2023.e23276 Open Access
  3. 山下 良之. メタルレジスト. 表面と真空. 66 [8] (2023) 502 10.1380/vss.66.502 Open Access
  4. Yuhua Tsai, Jingmin Tang, Yoshiyuki Yamashita. X-ray Absorption Fine Structural Study of Atomic Structures and Chemical States of Dopants in 4H-SiC(0001). ACS Applied Electronic Materials. 5 [7] (2023) 3843-3850 10.1021/acsaelm.3c00546
2022
  1. 山下 良之. 東北次世代放射光施設. 表面と真空. 65 [3] (2022) 156
  2. Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita. Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN. ACS Applied Electronic Materials. 4 [9] (2022) 4719-4723 10.1021/acsaelm.2c00912
  3. 山下 良之, タン ジンミン. Si ドープGaN(0001)におけるドーパントの活性サイト・ 不活性サイトの化学状態解明. 表面と真空. 65 [7] (2022) 309-314 10.1380/vss.65.309 Open Access
  4. Yoshiyuki Yamashita, Jun Nara, Efi Dwi Indari, Takahiro Yamasaki, Takahisa Ohno, Ryu Hasunuma. Experimental and theoretical studies on atomic structures of the interface states at SiO2/4H-SiC(0001) interface. Journal of Applied Physics. 131 [21] (2022) 215303 10.1063/5.0093267
2021
  1. 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, Ryu HASUNUMA. SiO2/4H-SiC における界面準位と界面構造の相関. 表面と真空. 64 [7] (2021) 312-317 10.1380/vss.64.312 Open Access
  2. Noriaki SANADA, 山下 良之. 実用表面分析の最近の進展. 表面と真空. (2021) 492 10.1380/vss.64.492 Open Access
  3. Benjamin Meunier, Eugénie Martinez, Raquel Rodriguez-Lamas, Dolors Pla, Monica Burriel, Carmen Jimenez, Yoshiyuki Yamashita, Olivier Renault. Unraveling the Resistive Switching Mechanisms in LaMnO3+δ-Based Memristive Devices by Operando Hard X-ray Photoemission Measurements. ACS Applied Electronic Materials. 3 [12] (2021) 5555-5562 10.1021/acsaelm.1c00968
  4. Jingmin Tang, Yoshiyuki Yamashita. Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Si-Doped GaN. ACS Applied Electronic Materials. 3 [10] (2021) 4618-4622 10.1021/acsaelm.1c00766
2020
  1. 山下 良之. [R-683] 電子分光スペクトルシミュレーター　SESSA：[R-684] プランベンとIV族単体原子層. Vacuum and Surface Science. 63 [7] (2020) 386 10.1380/vss.63.386 Open Access
  2. W. Hamouda, C. Lubin, S. Ueda, Y. Yamashita, O. Renault, F. Mehmood, T. Mikolajick, U. Schroeder, R. Negrea, N. Barrett. Interface chemistry of pristine TiN/La: Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 capacitors. Applied Physics Letters. 116 [25] (2020) 252903 10.1063/5.0012595
  3. Kazunori Kurishima, Kota Tatejima, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Setsu Suzuki, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow, Takahiro Nagata. Band alignment at non-polar AlN/MnS interface investigated by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [SI] (2020) SIIG07 10.35848/1347-4065/ab769c
  4. Takahiro Nagata, Tomohiro Yamaguchi, Shigenori Ueda, Wei Yi, Jun Chen, Takuya Kobayashi, Hirokazu Yokoo, Tohru Honda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study on electronic state of corundum In2O3 epitaxial thin film grown by mist-CVD. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [SI] (2020) SIIG12 10.35848/1347-4065/ab84b2
  5. Toru Nakamura, Ryosuke Kikuchi, Yoshiyuki Yamashita, Takashi Kuroda, Toyohiro Chikyow, Yasushi Kaneko. Evaluation of Band Alignment of SrNbO2N Using Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. The Journal of Physical Chemistry C. 124 [10] (2020) 5528-5532 10.1021/acs.jpcc.9b10878
  6. Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Origin of Fermi level pinning in high-k gate stack structures studied by operando hard x-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. 238 (2020) 146890 10.1016/j.elspec.2019.146890
2019
  1. Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Spectroscopic Observation of the Interface States at the SiO2/4H-SiC(0001) Interface. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17 [0] (2019) 56-60 10.1380/ejssnt.2019.56 Open Access
  2. Efi Dwi Indari, Yoshiyuki Yamashita, Ryu Hasunuma, Hiroshi Oji, Kikuo Yamabe. Relationship between electrical properties and interface structures of SiO2/4H-SiC prepared by dry and wet oxidation. AIP Advances. 9 [10] (2019) 105018 10.1063/1.5126050 Open Access
  3. Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Zbigniew Galazka, Shigenori Ueda, Masataka Imura, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study on electronic state and electrical properties of SnO2 single crystals. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [8] (2019) 080903 10.7567/1347-4065/ab2c1e
  4. Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Zbigniew Galazka, Masataka Imura, Shigenori Ueda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study of electronic states and surface structure of an in situ cleaved In2O3 (111) single crystal. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SD] (2019) SDDG06 10.7567/1347-4065/ab0ff0
  5. Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow, Julius Joseph Santillan, Toshiro Itani. Reaction mechanism of ZrO x metal resists with extreme ultraviolet irradiation. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [SD] (2019) SDDC01 10.7567/1347-4065/ab0542
  6. Efi Dwi Indari, Yoshiyuki Yamashita, Ryu Hasunuma, Takahiro Nagata, Shigenori Ueda, Kikuo Yamabe. Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface. AIP Advances. 9 [4] (2019) 045002 10.1063/1.5088541 Open Access
2018
  1. C. Zborowski, O. Renault, A. Torres, C. Guedj, Y. Yamashita, S. Ueda, G. Grenet, S. Tougaard. Quantitative determination of elemental diffusion from deeply buried layers by photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 124 [8] (2018) 085115 10.1063/1.5033453
  2. Yoshiyuki Yamashita, Anli Yang, Keisuke Kobayashi. Near Surface Structures and the Electronic States of Polar InN. ECS Transactions. 86 [3] (2018) 103-108 10.1149/08603.0103ecst
  3. Takahiro Nagata, Yoshihisa Suzuki, Yoshiyuki Yamashita, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Study of Sn and Mg doping effects on TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [4S] (2018) 04FJ04 10.7567/jjap.57.04fj04
  4. Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Hiroyuki Takeda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, AnLi Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Ke Wang, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi. Surface and bulk electronic structures of unintentionally and Mg-doped In0.7Ga0.3N epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 123 [9] (2018) 095701 10.1063/1.5016574
  5. M. Kazar Mendes. Forming mechanism of Te-based conductive-bridge memories. APPLIED SURFACE SCIENCE. 432A (2018) 34-40 10.1016/j apsusc.2017.07.187
  6. C. Zborowski, O. Renault, A. Torres, Y. Yamashita, G. Grenet, S. Tougaard. Determination of the input parameters for inelastic background analysis combined with HAXPES using a reference sample. Applied Surface Science. 432 (2018) 60-70 10.1016/j.apsusc.2017.06.081
2017
  1. 山下 良之, 蓮沼 隆, 長田 貴弘, 知京 豊祐. オペランド硬X線光電子分光法によるSiO2/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー分布観測. 表面科学. 38 [7] (2017) 347-350 10.1380/jsssj.38.347 Open Access
  2. Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Effect of Y and Mn doping into rutile type TiO2/Ge stack structure by combinatorial synthesis. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [6S1] (2017) 06GF11 10.7567/jjap.56.06gf11
  3. Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Takahiro Nagata, Ryan G. Banal, Hideki Yoshikawa, AnLi Yang, Yoshiyuki Yamashita, Keisuke Kobayashi, Yasuo Koide, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Ke Wang, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi. Surface and bulk electronic structures of heavily Mg-doped InN epilayer by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 121 [9] (2017) 095703 10.1063/1.4977201
  4. Evelyn Handick, Patrick Reinhard, Regan G. Wilks, Fabian Pianezzi, Thomas Kunze, Dagmar Kreikemeyer-Lorenzo, Lothar Weinhardt, Monika Blum, Wanli Yang, Mihaela Gorgoi, Eiji Ikenaga, Dominic Gerlach, Shigenori Ueda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow, Clemens Heske, Stephan Buecheler, Ayodhya N. Tiwari, Marcus Bär. Formation of a K—In—Se Surface Species by NaF/KF Postdeposition Treatment of Cu(In,Ga)Se2 Thin-Film Solar Cell Absorbers. ACS Applied Materials & Interfaces. 9 [4] (2017) 3581-3589 10.1021/acsami.6b11892 Open Access
  5. Takahiro Nagata, Oliver Bierwagen, Zbigniew Galazka, Masataka Imura, Shigenori Ueda, Hideki Yoshikawa, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study of electronic state and surface structure of In2O3 single crystals. Applied Physics Express. 10 [1] (2017) 011102 10.7567/apex.10.011102
  6. PINCELLA, Francesca. Evaluation by HAXPES of the Chemical State of the Components of a Close-packed Array of Bi-metallic (Au-Ag) Nanoparticles on ITO. Spring-8/SACLA利用研究成果集. 5 [1] (2017) 38-44 10.18957/rr.5.1.38
2016
  1. Y. Yamashita, R. Hasunuma, T. Nagata, T. Chikyow. Characterization of Interface State Density of SiO2/SiC (000-1) Based on Oxygen Concentration at the Interface during Thermal Oxidation. ECS Transactions. 75 [12] (2016) 201-206 10.1149/07512.0207ecst
  2. Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Kazuyoshi Kobashi, Toyohiro Chikyow. Bottom-electrode effect on switching behavior and interface reaction in nanoionic-based resistive changing memory. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [8S2] (2016) 08PC03 10.7567/jjap.55.08pc03
  3. Takahiro Nagata, Somu Kumaragurubaran, Yoshifumi Tsunekawa, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Kenichiro Takahashi, Sung-Gi Ri, Setsu Suzuki, Seungjun Oh, Toyohiro Chikyow. Interface stability of electrode/Bi-containing relaxor ferroelectric oxide for high-temperature operational capacitor. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GJ12 10.7567/jjap.55.06gj12
  4. Yoshihisa Suzuki, Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Thin-film growth of (110) rutile TiO2on (100) Ge substrate by pulsed laser deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 55 [6S1] (2016) 06GG06 10.7567/jjap.55.06gg06
  5. Takashi Tsuchiya, Kazuya Terabe, Masanori Ochi, Tohru Higuchi, Minoru Osada, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Masakazu Aono. In Situ Tuning of Magnetization and Magnetoresistance in Fe3O4 Thin Film Achieved with All-Solid-State Redox Device. ACS Nano. 10 [1] (2016) 1655-1661 10.1021/acsnano.5b07374
2015
  1. Takahiro Nagata, Kazuyoshi Kobashi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Chinnamuthu Paulsamy, Yoshihisa Suzuki, Toshihide Nabatame, Atsushi Ogura, Toyohiro Chikyow. Ge incorporated epitaxy of (110) rutile TiO2 on (100) Ge single crystal at low temperature by pulsed laser deposition. Thin Solid Films. 591 (2015) 105-110 10.1016/j.tsf.2015.08.031
  2. J. Ikeuchi, H. Hamamatsu, T. Miyamoto, S. Tanaka, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, S. Ueda. Electronic structure of the polymer-cathode interface of an organic electroluminescent device investigated using operando hard x-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 118 [8] (2015) 085308 10.1063/1.4929448
  3. Takahiro Nagata, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Masataka Imura, Seungjun Oh, Kazuyoshi Kobashi, Toyohiro Chikyow. Bias induced Cu ion migration behavior in resistive change memory structure observed by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 54 [6S1] (2015) 06FG01 10.7567/jjap.54.06fg01
  4. Satoshi Kameoka, Masahiko Shimoda, Yoshitaka Matsushita, Yoshiyuki Yamashita, Yoshio Katsuya, Masahiko Tanaka, An-Pang Tsai. Formation of Amorphous Pt Oxides: Characterization and Their Catalysis. MATERIALS TRANSACTIONS. 56 [4] (2015) 490-494 10.2320/matertrans.mf201410
2014
  1. Pengyu Wang, Hiroko Tooriyama, Kazuya Yokoyama, Masataka Ohtani, Haruyasu Asahara, Tomoya Konishi, Nagatoshi Nishiwaki, Masahiko Shimoda, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Kazuya Kobiro. Smart Decoration of Mesoporous TiO 2 Nanospheres with Noble Metal Alloy Nanoparticles into Core–Shell, Yolk–Core–Shell, and Surface‐Dispersion Morphologies. European Journal of Inorganic Chemistry. 2014 [26] (2014) 4254-4257 10.1002/ejic.201402646
  2. YAMASHITA, Yoshiyuki, CHIKYOW, Toyohiro, Keisuke Kobayashi. Bias-voltage application in a hard X-ray photoelectron spectroscopic study of the interface states at oxide/Si(100) interfaces. SPring-8 Research Frontiers 2013. 2013 (2014) 54-55
  3. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. バイアス印加硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内 のポテンシャル分布の直接観測. 表面科学. 35 [7] (2014) 361-364 10.1380/jsssj.35.361 Open Access
  4. Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Toyohiro Chikyo. Bias dependent potential distribution of a Pt/HfO2/SiO2/Si gate structure obtained from a bias application in hard X-ray photoelectron spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 53 [5S1] (2014) 05FH05 10.7567/jjap.53.05fh05
  5. Gubbala V. Ramesh, Rajesh Kodiyath, Toyokazu Tanabe, Maidhily Manikandan, Takeshi Fujita, Futoshi Matsumoto, Shinsuke Ishihara, Shigenori Ueda, Yoshiyuki Yamashita, Katsuhiko Ariga, Hideki Abe. NbPt3Intermetallic Nanoparticles: Highly Stable and CO-Tolerant Electrocatalyst for Fuel Oxidation. ChemElectroChem. 1 [4] (2014) 728-732 10.1002/celc.201300240
  6. Takahiro Nagata, Seungjun Oh, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Norihiro Ikeno, Keisuke Kobayashi, Toyohiro Chikyow, Yutaka Wakayama. Photoelectron spectroscopic study on band alignment of poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)/polar-ZnO heterointerface. Thin Solid Films. 554 (2014) 194-198 10.1016/j.tsf.2013.08.018
  7. Jan H. Richter, Paul Fons, Alex V. Kolobov, Shigenori Ueda, Hideki Yoshikawa, Yoshiyuki Yamashita, Satoshi Ishimaru, Keisuke Kobayashi, Junji Tominaga. Hard x-ray photoelectron spectroscopy study of Ge2Sb2Te5; as-deposited amorphous, crystalline, and laser-reamorphized. Applied Physics Letters. 104 [6] (2014) 061909 10.1063/1.4865328
  8. Y. Yamashita, H. Yoshikawa, T. Chikyo, K. Kobayashi. Direct observation of bias-dependence potential distribution in metal/HfO2 gate stack structures by hard x-ray photoelectron spectroscopy under device operation. Journal of Applied Physics. 115 [4] (2014) 043721 10.1063/1.4863637
2013
  1. Takashi Tsuchiya, Shogo Miyoshi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Kazuya Terabe, Keisuke Kobayashi, Shu Yamaguchi. Direct observation of redox state modulation at carbon/amorphous tantalum oxide thin film hetero-interface probed by means of in situ hard X-ray photoemission spectroscopy. Solid State Ionics. 253 (2013) 110-118 10.1016/j.ssi.2013.09.015
  2. M. Imura, S. Tsuda, T. Nagata, H. Takeda, M. Y. Liao, A. L. Yang, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, Y. Koide, K. Kobayashi, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, Y. Nanishi. Impact of Mg concentration on energy-band-depth profile of Mg-doped InN epilayers analyzed by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Applied Physics Letters. 103 [16] (2013) 162110 10.1063/1.4826094
  3. Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Toyohiro Chikyo, Keisuke Kobayashi. New Direct Spectroscopic Method for Determination of Bias-Dependent Electronic States: Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy Under Device Operation. Japanese Journal of Applied Physics. 52 [10R] (2013) 108005 10.7567/jjap.52.108005 Open Access
  4. J. Fujii, B. R. Salles, M. Sperl, S. Ueda, M. Kobata, K. Kobayashi, Y. Yamashita, P. Torelli, M. Utz, C. S. Fadley, A. X. Gray, J. Braun, H. Ebert, I. Di Marco, O. Eriksson, P. Thunström, G. H. Fecher, H. Stryhanyuk, E. Ikenaga, J. Minár, C. H. Back, G. van der Laan, G. Panaccione. Identifying the Electronic Character and Role of the Mn States in the Valence Band of (Ga,Mn)As. Physical Review Letters. 111 [9] (2013) 097201 10.1103/physrevlett.111.097201
  5. Anli Yang, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Tomohiro Yamaguchi, Masataka Imura, Masamitsu Kaneko, Shigenori Ueda, Osami Sakata, Yasushi Nanishi, Keisuke Kobayashi. Investigation of the Effect of Oxygen on the Near-Surface Electron Accumulation in Nonpolarm-Plane (101̄0) InN Film by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 52 [8S] (2013) 08JD01 10.7567/jjap.52.08jd01
  6. Masataka Imura, Shunsuke Tsuda, Takahiro Nagata, Hiroyuki Takeda, Meiyong Liao, AnLi Yang, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Yasuo Koide, Keisuke Kobayashi, Tomohiro Yamaguchi, Masamitsu Kaneko, Nao Uematsu, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi. Systematic investigation of surface and bulk electronic structure of undoped In-polar InN epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy. Journal of Applied Physics. 114 [3] (2013) 033505 10.1063/1.4812570
  7. 山下 良之. ナノ電子デバイスの動作下における電子状態の直接観測法の開発. ポストシリコン半導体-ナノ成膜ダイナミクスと基盤・界面効果ー. (2013) 434-442
  8. Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Toyohiro Chikyow, Keisuke Kobayashi. Bias-voltage application in a hard x-ray photoelectron spectroscopic study of the interface states at oxide/Si(100) interfaces. Journal of Applied Physics. 113 [16] (2013) 163707 10.1063/1.4803491
  9. Francesco Borgatti, Chanwoo Park, Anja Herpers, Francesco Offi, Ricardo Egoavil, Yoshiyuki Yamashita, Anli Yang, Masaaki Kobata, Keisuke Kobayashi, Jo Verbeeck, Giancarlo Panaccione, Regina Dittmann. Chemical insight into electroforming of resistive switching manganite heterostructures. Nanoscale. 5 [9] (2013) 3954 10.1039/c3nr00106g
  10. Takashi Tsuchiya, Shogo Miyoshi, Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Kazuya Terabe, Keisuke Kobayashi, Shu Yamaguchi. Room temperature redox reaction by oxide ion migration at carbon/Gd-doped CeO2heterointerface probed by anin situhard x-ray photoemission and soft x-ray absorption spectroscopies. Science and Technology of Advanced Materials. 14 [4] (2013) 045001 10.1088/1468-6996/14/4/045001 Open Access
  11. T. Nagata, S. Oh, Y. Yamashita, H. Yoshikawa, N. Ikeno, K. Kobayashi, T. Chikyow, Y. Wakayama. Photoelectron spectroscopic study of band alignment of polymer/ZnO photovoltaic device structure. Applied Physics Letters. 102 [4] (2013) 043302 10.1063/1.4790298
  12. A. L. Yang, Y. Yamashita, M. Kobata, T. Matsushita, H. Yoshikawa, I. Píš, M. Imura, T. Yamaguchi, O. Sakata, Y. Nanishi, K. Kobayashi. Investigation of the near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction. Applied Physics Letters. 102 [3] (2013) 031914 10.1063/1.4789373
2012
  1. Naoki Ohashi, Hideki Yoshikawa, Yoshiyuki Yamashita, Shigenori Ueda, Jianyong Li, Hideyo Okushi, Keisuke Kobayashi, Hajime Haneda. Determination of Schottky barrier profile at Pt/SrTiO3:Nb junction by x-ray photoemission. Applied Physics Letters. 101 [25] (2012) 251911 10.1063/1.4772628
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2016
  1. Minoru Toriumi, Yuta Sato, Reiji Kumai, Yoshiyuki Yamashita, Koichi Tsukiyama, Toshiro Itani. Characterization of ’metal resist’ for EUV lithography. Proc. SPIE 9779. (2016) 10.1117/12.2219030
2014
  1. NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, K. Kobayashi, CHIKYOW, Toyohiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. ECS TRANSACTIONS. (2014) 301-310 10.1149/06102.0jolecs
2011
  1. Yoshiyuki Yamashita, Hideki Yoshikawa, Toyohiro Chikyo, Keisuke Kobayashi. (Invited) Direct Observation of Electronic States in Gate Stack Structures: XPS under Device Operation. . (2011) 10.1149/1.3633313
2010
  1. UEDA, Shigenori, Yoshio Katsuya, TANAKA, Masahiko, YOSHIKAWA, Hideki, YAMASHITA, Yoshiyuki, Satoshi Ishimaru, MATSUSHITA, Yoshitaka, KOBAYASHI, Keisuke. Present Status of the NIMS Contract Beamline BL15XU at SPring-8. AIP Conference Proceedigs. (2010) 403-406
  2. YAMASHITA, Yoshiyuki, Ohmori Kenji, UEDA, Shigenori, YOSHIKAWA, Hideki, CHIKYOW, Toyohiro, KOBAYASHI, Keisuke. Bias-application in Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Characterization of Advanced Materials. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY. (2010) 81-83
2009
  1. YAMASHITA, Yoshiyuki, HE, Shaolong, YOSHIKAWA, Hideki, UEDA, Shigenori, KOBAYASHI, Keisuke, T. Lohmüller, J. P. Spatz. ELECTRONIC STRUCTURES OF NAKED AND MOLECULAR ENCAPSULATED Au NANOPARTICLES. INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE. (2009) 181-184
2008
  1. Yoshiaki Murase, Takanobu Kitagawa, Masayuki Imamura, Akinori Tanaka, Hidehiro Yasuda, Yuuichi Negishi, Tatuya Tukuda, UEDA, Shigenori, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, KOBAYASHI, Keisuke. Electonic structure of dendrimer-Au hybrid nanoclusters: Hard X-ray photoemission study. TRANSACTIONS OF MATERIALS RESEARCH SOCIETY OF JAPAN. (2008) 169-172
  2. Hideo Miura, Ken Suzuki, Toru Ikoma, Seiji Samukawa, YOSHIKAWA, Hideki, UEDA, Shigenori, YAMASHITA, Yoshiyuki, KOBAYASHI, Keisuke. Degradation of reliability of high-k gate dielectrics caused by point defects and residual stress. Reliability Physics Symposium, 2008. IRPS 2008. IEEE International. (2008) 713-714
  3. Yasushi Toyoshima, Koji Horiba, Masaharu Oshima, Jitsuo Ohta, Hiroshi Fujioka, Hisayuki Miki, UEDA, Shigenori, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, KOBAYASHI, Keisuke. Determination of band structures of InN/GaN interfaces by synchrotron radiation hard X-ray photoemission spectroscopy. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. (2008) 254-257
  4. TOGASAKI, Hirotaka, MORI, Toshiyuki, YE, Fei, YOSHIKAWA, Hideki, UEDA, Shigenori, YAMASHITA, Yoshiyuki, KOBAYASHI, Keisuke, TAKAHASHI, Motoi, N. Okazaki, Vladimir Matolin, John Drennan. Influence of nano-structural features in Pt-CeO2 composite anode on anode properties for development of direct methanol fuel cel. エコバランス国際会議プロシーディングス. (2008) 587-590

口頭発表 TSV

2024
  1. 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 山下 良之, 塚越 一仁, 喜多 浩之. 強誘電体HfxZr1−xO2/TiNの界面反応に起因する 分極疲労抑制メカニズムに関する考察. 第29回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2024
2023
  1. ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Y. Morita, H. Ota, S. Migita, K. Kita. Improvement of Fatigue Properties of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Using Surface Oxidized TiN Bottom-Electrode. 54th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference. 2023
  2. YAMASHITA, Yoshiyuki, TANG, Jingmin, 橋本祐介, 松下智裕. Atomic Structures and Chemical States for Active and Inactive Dopant Sites in Mg- and Si- Doped GaN. 36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023). 2023
  3. YAMASHITA, Yoshiyuki, TANG, Jingmin, 橋本由介, 松下智裕. Atomic structures and chemical states for active and inactive Mg dopant sites in GaN. 日本表面真空学会学術講演会. 2023
  4. 山下 良之. SiO2/4H-SiC界面の界面準位のエネルギー準位及び界面準位の原子構造. Symposium on Practical Surface Analysis 2023 (PSA-23). 2023 招待講演
  5. ONAYA, Takashi, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YAMASHITA, Yoshiyuki, TSUKAGOSHI, Kazuhito, Koji Kita. Origin of Fatigue Properties Induced by Oxygen Vacancies Originating from Ferroelectric-HfxZr1−xO2/TiN Interface Reaction During Field Cycling. 2023 International Workshop on Dielectric Thin Films For Future Electron Devices. 2023
  6. 鈴木 拓, 山下 良之, 坂口 勲. 電極/ルチルTiO2単結晶の界面での電界に誘起された導電性の発現： 温度に依存する二つのメカニズム. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
  7. YAMASHITA, Yoshiyuki. Atomic Structures and Chemical States for Active and Inactive Dopant Sites in GaN (0001). The 14-th International Symposium on Modern Optics and Its Applications. 2023 招待講演
  8. 女屋 崇, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 塚越 一仁, 森田 行則, 太田 裕之, 右田 真司, 喜多 浩之. 分極疲労時の強誘電体HfxZr1−xO2/TiN界面反応に起因した酸素欠損生成の起源. 2023年　第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
2022
  1. YAMASHITA, Yoshiyuki, TANG, Jingmin. Photoelectron Holographic Study of Atomic Structure and Chemical State for Active Dopant Site in Mg-Doped GaN (0001). 14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Drvices '22 (ALC '22). 2022
  2. YAMASHITA, Yoshiyuki, TANG, Jingmin. Atomic Structures and Chemical states of Active and Inactive Dopant Sites in Si-doped GaN. IVC-22 (THE 22ND INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS). 2022
  3. YAMASHITA, Yoshiyuki, INDARI, Efi Dwi, 蓮沼　隆. Gap States at SiO2/4H-SiC interface obtained from Oprando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. THE 9th INTERNATIONAL CONFERENCE ON HARD X-Ray PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY. 2022
2021
  1. 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼　隆. Interfacial Atomic Structures and Interface States at SiO2/4H-SiC. The 9th International Symposium on Surface Science (ISSS9). 2021
  2. 山下 良之, タン ジンミン. SiドープGaN中ドーパント活性サイトの化学状態・原子構造 . 2021年 日本表面真空学会 学術講演会. 2021
  3. 山下 良之. Band-offset, Band-gap, Atomic Structures, Leakage Current, and Interface States of SiO2/4H-SiC Interface. The 9th Asian Physics Symposium 2021. 2021 招待講演
  4. 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼　隆. SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021
2020
  1. 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼　隆. SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関 . Symposium on Practical Surface Analysis 2020. 2020
  2. 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆, 山部 紀久夫. SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関. 日本表面・真空学会. 2020
  3. 山下 良之, ヤン アンリ, 小林 啓介. 実験室硬X線光電子回折法によるInN表面近傍の化学状態選別構造. 第54回表面分析研究会. 2020 招待講演
2019
  1. YAMASHITA, Yoshiyuki, KOBAYASHI, Keisuke, YANG, Anli, Chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction study for polar InN. 8th International Symposium on Practical Surface Analysis. 2019
  2. NAGATA, Takahiro, Tomohiro Yamaguchi, UEDA, Shigenori, CHEN, Jun, Takuya Kobayashi, YI, Wei, Hirokazu Yokoo, CHIKYO, Toyohiro, YAMASHITA, Yoshiyuki. Photoelectron Spectroscopic Study on Electronic State of Corundum In2O3 Epitaxial Thin Film Grown by Mist-CVD. 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2019
  3. 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼　隆, 山部喜久夫. SiO2/4H-SiC (000-1) 界面における界面準位、リーク電流、バンドオフセットの関係. 2019年日本表面真空学会学術講演会. 2019
  4. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 太田優一, 村田秀信, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし. InGaNの表面-バルク電子状態評価. 第80回応用物理学会秋季学術講演会. 2019
  5. YAMASHITA, Yoshiyuki, YANG, Anli, KOBAYASHI, Keisuke. Chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction study for polar InN. European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis 2019. 2019
  6. YAMASHITA, Yoshiyuki. Chemical-state-discriminated Hard X-ray Photoelectron Diffraction Study for polar InN. HAXPES2019. 2019
  7. 山下 良之. 硬X線XPSによるオペランド分析. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  8. 山下 良之. 硬X線XPSによるオペランド分析. 日本応用物理学会. 2019 招待講演
2018
  1. NAGATA, Takahiro, UEDA, Shigenori, YAMASHITA, Yoshiyuki, MATSUDA, Asahiko, CHIKYO, Toyohiro. Development of Ge diffusion barrier layer at CeF3/Ge interface by combinatorial method. 10th International Workshop on Combinatorial Materials Science. 2018
  2. 山下 良之, ヤン アンリ, 小林 啓介. 実験室硬X線光電子回折法によるIn表面近傍の構造と電子状態解明. 2018年　日本表面真空学会. 2018
  3. YAMASHITA, Yoshiyuki, CHIKYO, Toyohiro, Julius Santillan, Toshiro Itani. Reaction Mechanism of Zr Metal Resist. 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2018
  4. NAGATA, Takahiro, Oliver Bierwagen, YAMASHITA, Yoshiyuki, Zbigniew Galazka, IMURA, Masataka, UEDA, Shigenori, CHIKYO, Toyohiro. Photoelectron spectroscopic study on electronic state and surface structure of In2O3 (111) single crystals. 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2018
  5. IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YANG, Anli, YOSHIKAWA, Hideki, TSUDA, Shunsuke, KOIDE, Yasuo, KOBAYASHI, Keisuke, 山口智広, 金子昌充, 荒木努, 名西やすし. Systematic investigation of surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0≦x≦1) epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy. International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018). 2018
  6. YAMASHITA, Yoshiyuki, CHIKYO, Toyohiro. Direct observation of bias-dependence potential distribution in metal/HfO2 gate stack structures by operando hard x-ray photoelectron spectroscopy. the Fourteenth International Conference on Electronic Spectroscopy and Structure. 2018
  7. IMURA, Masataka, TSUDA, Shunsuke, NAGATA, Takahiro, YOSHIKAWA, Hideki, KOBAYASHI, Keisuke, YAMASHITA, Yoshiyuki, KOIDE, Yasuo, 山口智広, 荒木努, 名西やすし. Surface and bulk electronic structures of unintentionally-doped InxGa1-xN (0<x<1) epilayers by hard X-ray photoelectron spectroscopy. 第37回電子材料シンポジウム. 2018
  8. YAMASHITA, Yoshiyuki, YANG, Anli, KOBAYASHI, Keisuke. Chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction study for polar InN. AiMES 2018. 2018
  9. インダリ エフィ ダウィ, 山下 良之, 長田 貴弘, 上田 茂典, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Effect of Conduction Band Offset on Breakdown Voltage at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. 79th of JSAP Autumn Meeting 2018. 2018
  10. インダリ エフィ ダウィ, 山下 良之, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Effect of Conduction Band Offset on Gate Leakage Current at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. SSDM2018. 2018
  11. 山下 良之, ヤン アンリ, 小畠 雅明, 小林 啓介. Chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction study for polar InN. ECOSS34. 2018
  12. NAGATA, Takahiro, UEDA, Shigenori, MATSUDA, Asahiko, YAMASHITA, Yoshiyuki, CHIKYO, Toyohiro. Photoelectron spectroscopic study of interface structure of CeF3/Ge stack structure. International Conference on Nanoelectronics Strategy. 2018
  13. YAMASHITA, Yoshiyuki. Energy distribution of interface states at SiO2/4H-SiC(0001) obtained from operando photoelectron spectroscopy. International Conference on Nanoelectronics Strategy. 2018
  14. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 小出 康夫, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし. Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
2017
  1. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕. Direct observation of bias-dependence potential distribution in metal/HfO2 gate stack structures by operando hard x-ray photoelectron spectroscopy. Atomic Level Characterization　2017. 2017
  2. 長田 貴弘, 上田 茂典, 山下 良之, 松田 朝彦, 知京 豊裕. Development of fluoride based high-k dielectric thin film for GaN MIS capacitor. 2017 IWDTF. 2017
  3. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕. Direct observation of bias-dependence potential distribution in metal/HfO2 gate stack structures by operando hard x-ray photoelectron spectroscopy. The 8th International Symposium on Surface Science. 2017
  4. 山下 良之, 蓮沼　隆, 長田 貴弘, 知京 豊裕. Spectroscopic Observation of Interface States at SiO2/4H-SiC Interface. ECASIA2017. 2017
  5. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. Study of Sn and Mg Doping Effects on TiO2/Ge Stack Structure by Combinatorial Synthesis. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2017
  6. 長田 貴弘, 上田 茂典, 松田 朝彦, 山下 良之, 知京 豊裕. Study on interface structure of CeF3/Ge stack structure by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 7th International Conference on Hard X-Ray Photoelectron Spectro. 2017
  7. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, Ke Wang, 荒木努, 名西やすし. Surface and Bulk Electronic Structures of Mg-doped In0.7Ga0.3N Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12). 2017
2016
  1. 山下 良之, 蓮沼 隆, 長田 貴弘, 知京 豊裕. オペランド光電子分光法によるSiO2/SiC界面準位のエネルギー分布観測. 第36回表面科学学術講演会・第57回真空に関する連合講演会 . 2016
  2. 山下 良之. 大学院生および若手研究者への研究紹介. 学術ジャーナルの現状と未来. 2016 招待講演
  3. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小出 康夫, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, Ke Wang, 荒木努, 名西やすし. Surface and Bulk Electronic Structures of Heavily Mg-doped InN Epilayer by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016). 2016
  4. 土屋 敬志, 寺部 一弥, Masanori Ochi, Tohru Higuchi, 長田 実, 山下 良之, 上田 茂典, 青野 正和. Fe3O4を用いた全固体磁性制御デバイス. 2016 international conference on solid state devices and materia. 2016
  5. 長田 貴弘, Bierwagen Oliver, Galazka Zbigniew, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 知京 豊裕. Surface electronic states of SnO2 single crystals studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy. EMRS 2016 Fall Meeting. 2016
  6. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂. マテリアルズインフォマティクスとハイスループット材料合成・計測. 日本セラミックス協会2016年年会. 2016 招待講演
  7. 長田 貴弘, ビアワーゲン　オリバー, グラッツカ ツビグニュ, 上田 茂典, 山下 良之, 知京 豊裕. ワイドバンドギャップ酸化物半導体表面の 硬X線光電子分光による評価. 日本学術振興会産学協力研究166委員会第70回研究会. 2016
2015
  1. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋, 知京 豊裕. TiO2/Ge 界面のGe拡散による影響. Materials Research Society of Japan. 2015
  2. 土屋敬志, 三好正悟, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 寺部 一弥, 小林 啓介, 青野 正和, 山口周. Observation of Redox Behavior in nanoionics Devices Uing X-ray Photoemission Spectroscopy. 第25回日本MRS年次大会. 2015
  3. 山下 良之. オペランド光電子分光法による極薄酸化膜/Si界面の界面準位測定. 第25回日本MRS年次大会. 2015
  4. 山下 良之. High-k内の電圧依存ポテンシャルのオペランド光電子分光による直接観測. 第25回日本MRS年次大会. 2015
  5. 長田 貴弘, 上田 茂典, 山下 良之, 東脇 正高, 倉又 朗人, 池野 成裕, 鈴木 良尚, 知京 豊裕. Electronic states of β-Ga2O3 single crystals studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 2015 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit. 2015
  6. 長田 貴弘, ソム クマラグルバラン, 恒川 吉文, 山下 良之, 上田 茂典, 高橋 健一郎, 李 成奇, 鈴木 摂, オウ セウンジン, 知京 豊裕. Interface stability of electrode/Bi-contained relaxor ferroelectric oxide stack struc-ture for high temperature operational capacitor. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference . 2015
  7. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, 生田目 俊秀, 小椋, 知京 豊裕. Ge上ルチル型TiO2成膜条件の最適化の検討. 28th International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2015
  8. 長田 貴弘, 上田 茂典, 山下 良之, 東脇 正高, 倉又 朗人, 池野 成裕, 鈴木 良尚, 知京 豊裕. Photoelectron spectroscopic study of electronic state of β-Ga2O3 single crystal. The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Mate. 2015
  9. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 小橋 和義, 知京 豊裕. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study of Bottom Electrode Effect on Interface Reaction in Resistive Changing Memory Structure. 2015　IWDTF. 2015
  10. 山下 良之. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Characterization of Advanced Materials. The Second GIANT(France)-NIMS (Japan) Workshop on Materials Scie. 2015 招待講演
  11. 山下 良之. Operando photoelectron spectroscopy for characterization of nano-materials. The First NIMS (Japan) – IMRE (Singapore) Workshop on Mate. 2015 招待講演
  12. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉武 道子, 石橋 啓次, 鈴木 摂. High throughput experimentation and materials screening for materials informatics. 6th Wolrd Materials Reseach Institutes Forum. 2015 招待講演
  13. 勝矢 良雄, 田中 雅彦, 小原 真司, 上田 茂典, 山下 良之, 嶋田恵朋, 孫珍永, ソン チョルホ, ロク シンガプリゲ ロシャンタ クマーラ, 坂田 修身. 物質・材料研究機構ビームラインBL15XUの現状. SPring-8シンポジウム2015. 2015 招待講演
  14. 山下 良之. Overview of Nanosheet Materials prepared in NIMS: Current Status and Future application. CEA-LETI　Seminar. 2015 招待講演
  15. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕. Bias Dependent Potential of High-k thin films obtained from Operando Photoelectron Spectroscopy. The 31st European Conference on Surface Science. 2015
  16. 山下 良之. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Characterization of Advanced Materials. Workshop MANA-DIPC. 2015 招待講演
  17. 山下 良之. Bias Dependent Electronic Structures under High-k Device Operation : Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. The Eleventh International Nanotechnology Conference on Communic. 2015
  18. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Electronic Structures under High-k Device Operation Investigated by Operando Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. The 6th international conference on HAXPES. 2015
  19. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 知京 豊裕. 硬X線光電子分光法によるCu/HfO2 -ReRAM素子動作時の界面構造解析. 第20回ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―. 2015
  20. 鈴木 良尚, 長田 貴弘, 山下 良之, パウルサミー チナマトゥ, 生田目 俊秀, 小橋 和義, 小椋厚志, 知京 豊裕. Ge上ルチル型TiO2_High-k層へのYドープ濃度の依存性. ゲートスタック研究会. 2015
  21. 山下 良之. デバイス動作下硬Ｘ線光電子分光法による半導体素子の界面評価. ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―. 2015 招待講演
  22. 山下 良之. デバイス動作下における電子状態変化のその場観察／硬X線光電子分光装置. テクノロジー・ショーケース2015. 2015 招待講演
2014
  1. 山下 良之. デバイス動作下での電子状態の直接観測. 表面界面におけるエネルギーの移動と変換. 2014 招待講演
  2. 山下 良之. デバイス動作下硬X線光電子分光法による界面電子状態の直接観測. 深さ方向分析の最前線. 2014 招待講演
  3. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 小橋 和義, 知京 豊裕. Bias induced Cu ion migration behavior in resistive change memory structure observed by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 2014 International Microprocesses and Nanotechnology Conference . 2014
  4. 山下 良之. 硬X線光電子分光法によるエレクトロニクスデバイスのオペランド測定. ISSP-Workshop 「最先端オペランド観測で明らかになる物性科学」. 2014 招待講演
  5. L. Plucinski, J. Minar, J. Braun, A. X. Gray, 上田 茂典, 山下 良之, K. Kobayashi, H. Ebert, C. S. Fadley, C. M. Schneider. Free-Electron Final State Calculations for the Interpretation of Hard X-ray Angle-Resolved Photoemission. SNI 2014. 2014
  6. 長田 貴弘, ﾋﾞｱﾜｰｹﾞﾝ ｵﾘﾊﾞｰ, ｶﾞﾗｯｶ ｽﾞﾋﾞﾆｪﾌ, 上田 茂典, 吉川 英樹, 井村 将隆, 山下 良之, オウ セウンジン, 坂田 修身, 知京 豊裕. 硬X線光電子分光法によるIn2O3単結晶の電子状態評価. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  7. 勝矢 良雄, 田中 雅彦, 上田 茂典, 山下 良之, 嶋田恵朋, 石丸哲, ソン チョルホ, ヤン アンリ, ロク シンガプリゲ ロシャンタ クマーラ, 坂田 修身. 物質・材料研究機構ビームラインBL15XUの現状. SPring-8シンポジウム2014. 2014 招待講演
  8. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2 界面層を用いたHfO2/Ge界面構造制御. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  9. 長田 貴弘, 小橋 和義, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋　厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2緩衝層を用いたHigh-k/Ge界面構造制御に関する研究. ゲートスタック研究会―材料・プロセス・評価の物理―（第19回）. 2014
2013
  1. 長田 貴弘, Bierwagen Oliver, Galazka Zbigniew , 上田 茂典, 吉川 英樹, 井村 将隆, オウ セウンジン, 山下 良之, 坂田 修身, 知京 豊裕. Surface electronic states of In2O3 single crystals studied by hard x-ray photoelectron spectroscopy. 2013 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit. 2013
  2. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林啓介. バイアス印加硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内 のポテンシャル分布の直接観測. 第33回日本表面科学学術講演会. 2013
  3. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2界面層がHfO2/GeMOS構造に与える影響. SSDM　2013. 2013
  4. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Electronic Structures under High - k Device Operation: XPS Study. JJAPーMRS. 2013 招待講演
  5. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 武田 寛之, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMg-InNのエネルギーバンド分布評価. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  6. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Direct observation of electronic states in gate stack structures: XPS under device operation. 19th International Vacuum Congress IVC-19. 2013
  7. 勝矢 良雄, 田中 雅彦, 上田 茂典, 山下 良之, 嶋田恵朋, 石丸哲, ヤン アンリ, ロク シンガプリゲ ロシャンタ クマーラ, 坂田 修身. 物質・材料研究機構ビームラインBL15XUの現状. SPring-8シンポジウム2013. 2013 招待講演
  8. 坂田 修身, 舟窪浩, 神谷利夫, 大友明, 戸田喜丈, 清水荘雄, 吉松公平, 大島孝仁, 上田 茂典, 勝矢 良雄, 田中 雅彦, 山下 良之, 細野秀雄, 大橋 直樹. 高輝度放射光を活用した理論と材料の融合への取り組み. 元素戦略プロジェクト＜研究拠点形成型＞成果発表会. 2013
  9. 山下 良之. 高輝度放射光硬Ｘ線光電子分光装置. ナノプラットフォーム利用セミナー. 2013 招待講演
  10. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋厚志, 知京 豊裕. ルチル型TiO2界面層がHfO2/Ge MOSデバイスに与える影響. NIMS Conference 2013. 2013
  11. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based ReRAM Structure under Bias Operation. 2013 NIMS CONFERENCE . 2013 招待講演
  12. L. Plucinski, J. Minar, J. Braun, A. X. Gray, 上田 茂典, 山下 良之, 小林啓介, H. Ebert, C. S. Fadley, C. M. Schneider. FREE-ELECTRON FINAL-STATE CALCULATIONS FOR THE INTERPRETATION OF HARD X-RAY ANGLE-RESOLVED PHOTOEMISSION. HAXPES 2013. 2013
  13. 小橋 和義, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 小椋 厚志, 知京 豊裕. HfO2/Ge界面へのルチル型TiO2挿入によるGeOx生成の抑制. シリコン材料・デバイス研究会 (SDM). 2013
  14. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 陳 君, ギュエン ナム, NGUYENNam, 関口 隆史, 山下 良之, 柳生 進二郎, 吉武 道子. New materials discovery and their application for future nano electronics. INC9. 2013
  15. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 武田 寛之, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 山口智広, 金子昌充, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMgドープIn0.70Ga0.30Nの 表面-バルク電子状態評価. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013
  16. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 関口 隆史, 陳 君, Yongxun Lui, 昌原明植. ナノスケール機能性酸化物の多様性と次世代デバイスへの期待. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013 招待講演
2012
  1. 長田 貴弘, オウ セウンジン, 山下 良之, 吉川 英樹, 池野 成裕, 小林 啓介, 知京 豊裕, 若山 裕. Photoelectron spectroscopic study on band alingment of P3HT/polar-ZnO heterointeraface. 10th International Conference on Nano-Molecular Electronics. 2012
  2. Francesco Offi, Francesco Borgatti, 山下 良之, ヤン アンリ, 小畠 雅明, 小林 啓介, Chanwoo Park, Anja Herpers, Regina Dittmann, Giancarlo Panaccione. Hard x-ray photoemission spectroscopy used to investigate the resistive switching behavior of manganite heterostructures: the case of Ti/PrCaTiO3 interface. 59th AVS international Symposium. 2012
  3. 長田 貴弘, ビエラワゲンオリバー, ホワイトマーク, ツアイミン, 山下 良之, 吉川 英樹, 大橋 直樹, 小林 啓介, 知京 豊裕, ジェームズスペック. 酸化物半導体薄膜表面の電荷蓄積層の評価と制御. 日本セラミックス協会第32回エレクトロセラミックス研究討論会. 2012
  4. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面&バルク電子状態評価. International Workshop on Nitride Semiconductors 2012. 2012
  5. ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 山口智広, 井村 将隆, 金子昌充, 坂田 修身, 名西　やすし, 小林 啓介. Strong correlation between oxygen donor and near-surface electronaccumulation in non-polar m-plane (10-10) InN film. The International Workshop on Nitride Semiconductors . 2012
  6. 山下 良之. Direct Observation of Electronic Structures in High-k Based Devices under Device Operation. IUMRS-International Conference on Electronic Materials 2012. 2012 招待講演
  7. ファディール ノール アクマル, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, Futoshi Matsumoto, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, 田邉 豊和, 原 徹, グバラ ベンカタ ラメッシュ, 石原 伸輔, 村上 秀之, 野田 和彦, 有賀 克彦, 阿部 英樹. Interstitial Carbon Activates Transition Metals for Energy-conversion Catalysis. Indian-Japan Symposium on Frontier in Science and Technology. 2012
  8. A. Greer, A. X. Gray, S. Kanai, A. M. Kaiser, 上田 茂典, 山下 良之, G. K. Paisson, N. Maejima, S. -H. Yang, G. Conti, 小林 啓介, S. Ikeda, F. Matsukura, H. Ohno, C. M. Schneider, C. S. Fadley. Observation of boron diffusion in an annealed Ta/CoFeB/MgO magnetic tunnel junction with standing-wave hard X-ray photoemission. ICESS2012. 2012
  9. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 小林 啓介. Bias dependent electronic states in gate stack structures: HXPES under device operation. International Conference on Electron Spectroscopy and Structure. 2012
  10. Z. Boekelheide, A. X. Gray, C. Papp, B. Balke, D. A. Stewart, 上田 茂典, D. W. Cooke, P. Kruger, C. Bordel, A. M. Kaiser, S. Moyerman, 山下 良之, A. Gloskovskii, C. M. Schneider, W. Drube, 小林 啓介, F. Hellman, C. S. Fadley. Electronic structure of magnetic semiconducting Cr0.8Al0.2 and the anti-ferromagnetic to ferromagnetic transition in FeRh from hard X-ray photoemission. ICESS2012. 2012
  11. ヤン アンリ, 山下 良之, 小畠 雅明, 松下智裕, 吉川 英樹, Igor Pis, 山口智広, 坂田 修身, 名西　やすし, 小林 啓介. Polarity determination of InN films by hard X-ray photoelectron diffraction. The 73rd JSAP Autumn Meeting 2012. 2012
  12. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたInNの表面電子状態評価. 第72回応用応用物理学会学術講演会. 2012
  13. 長田 貴弘, オウ セウンジン, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕, 若山 裕. Band alignment study on P3HT/ZnO photovoltaic cell structure using hard x-ray photoelectron spectroscopy. The 7th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materia. 2012
  14. 坂田 修身, 田中 雅彦, 上田 茂典, 勝矢 良雄, 吉川 英樹, 石丸　哲, 小畠 雅明, ヤン アンリ, 山下 良之, 松下 能孝. 物質・材料研究機構ビームラインBL15XUの現状. SPring-8シンポジウム2012. 2012 招待講演
  15. ファディール ノール アクマル, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, 田邉 豊和, 原 徹, グバラ ベンカタ ラメッシュ, 村上 秀之, Kazuhiko NODA, 阿部 英樹. Wet Chemical Synthesis of Ni-Al Nanoparticles at Ambient Condition. The 2012 Int. Con. on Chemical Engineering and Advanced Material. 2012
  16. 井村 将隆, 津田 俊輔, 長田 貴弘, 小出 康夫, ヤン アンリ, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 金子昌充, 金子昌充, 山口智広, 上松 尚, 荒木努, 名西やすし. 硬X線光電子分光法を用いたMgドープInNの表面およびバルク電子状態評価. 第31回電子材料シンポジウム. 2012
  17. 土屋 敬志, 三好正悟, 山下 良之, 吉川 英樹, 寺部 一弥, 小林 啓介, 山口周. An In-situ Observation of RedOx Reaction at Metal/Oxide Electrolyte Hetero-interface Using a Hard X-ray Photoemission Spectroscopy. International Conference of Young Researchers on Advanced Mater.. 2012 招待講演
  18. ヤン アンリ, 山下 良之, 小畠 雅明, 松下智裕, 吉川 英樹, Igor Píš, 井村 将隆, 山口智広, 坂田 修身, 名西　やすし, 小林 啓介. Investigation of near-surface structures of polar InN films by chemical-state-discriminated hard X-ray photoelectron diffraction. STAC-6. 2012
  19. A. X. Gray, A. M. Kaiser, A. Janotti, J. Son, J. M. LeBeau, 上田 茂典, 山下 良之, A. Bostwick, S.-H. Yang, 小林 啓介, C. G. Van de Walle, S. Stemmer, C. S. Fadley. Mott behavior of ultrathin epitaxial LaNiO3 films and interfaces via hard x-ray and standing-wave excited photoemission. Intermag 2012. 2012
  20. A. X. Gray, D. W. Cooke, P. Kruger, C. Bordel, A. M. Kaiser, S. Moverman, E. E. Fullerton, 上田 茂典, 山下 良之, A. Gloskovskii, C. M. Schneider, W. Drube, 小林 啓介, F. Hellman, C. S. Fadley. Bulk electronic structure changes across the metamagnetic transition in FeRh via hard x-ray photoemission. Intermag 2012. 2012
  21. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 小林 啓介, 知京 豊裕. ias Application HX-PES Study of Metal/HfO2 structure for Oxide Based ReRAM Application. 8th International Nanotechnology Conference on Communication and. 2012
  22. 府金 慶介, 森 利之, 山本春也, 前川康成, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, ウラディミール　マトリン, 鈴木 彰, 増田 卓也, 魚崎 浩平. Ｐｔ－ＣｅＯｘモデル電極触媒による電気化学的前処理と酸素還元反応活性向上に与える界面構造の検討. 電気化学会第79回大会. 2012
  23. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 吉川 英樹, 野口 秀典, 伊藤 未希雄, 増田 卓也, 魚崎 浩平, 区 定容, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Pt-CeOX/CB アノードの吸着メタノールと吸着ＣＯ間の相互作用がメタノール酸化反応に与える影響. 電気化学会第79回大会. 2012
  24. ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 阿部 英樹, 許 亜, 関戸 信彰, 御手洗 容子, 原 徹, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, Hirohito Hirata, Shin-ichi Matsumoto. Intermetallic Pt3Ti Nanoparticles: Efficient Catalytic Centers for Exhaust Purification and Energy Applications. 日本化学会　春季年会　アジア国際シンポジウム. 2012 招待講演
  25. 吉川 英樹, 山下 良之, 長田 貴弘. 実用デバイスにおける電圧駆動状態でのin-situ硬Ｘ線光電子分光. 平成23年度GINO研究領域創成支援プロジェクトワークショップ. 2012 招待講演
  26. 長田 貴弘, オウ セウンジン, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕, 若山 裕. 硬X線光電子分光法を用いたP3HT/ZnO界面のバンドアライメント評価. 第59回応用物理学関係連合講演会. 2012
  27. ヤン アンリ, 山下 良之, 山口智広, 井村 将隆, 金子昌充, 坂田 修身, 名西荒木, 小林 啓介. A natural PN junction in Mg-doped In-polar InN film directly detected by high resolution angle-resolved hard x-ray photoelectron spectroscopy. 第59回 応用物理学関係連合講演会. 2012
  28. 川田翔, 三村巧次郎, 魚住孝幸, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田暁弘, 和田裕文, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. ２段の一次価数転移を示すEuPtPの硬X線光電子スペクトルの温度依存性II. 第25回日本放射光学会・放射光学会合同シンポジウム. 2012
  29. 内海有希, 佐藤仁, 山下哲朗, 大原繁男, 三村功次郎, 本並哲, 有田将司, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 生天目博文, 谷口雅樹. 高分解能光電子分光によるYbNi3X9(X=Al,Ga)の電子状態の研究. 第25回日本放射光学会・放射光学会合同シンポジウム. 2012
  30. 三村巧次郎, 川田翔, 魚住孝幸, 本並哲, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田暁弘, 和田裕文, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. 硬X線光電子分光によるEuNi2X2(X=Si,P,Ge)の電子状態の研究. 第25回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2012
  31. 佐藤仁, 飛松浩明, 中村裕之, 田中新, 内海有希, 三村功次郎, 本並哲, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹. 擬一次元系BaVS3の硬X線光電子分光. 第25回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2012
2011
  1. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 鈴木 彰, 吉川 英樹, 野口 秀典, 増田 卓也, 魚崎 浩平, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ディン　ロン　オウ, ジョン　ドレナン. Influence of the adsorbed CO at Pt-CeOX/CB anode on electro-oxidation reaction of CO. 第21回日本MRS学術シンポジウム. 2011
  2. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 鈴木 彰, 吉川 英樹, 野口 秀典, 増田 卓也, 魚崎 浩平, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ディン　ロン　オウ, ジョン　ドレナン. Influence of the adsorbed OH at Pt-CeOX/CB anode on electro-oxidation reaction of methanol. 第21回日本MRS学術シンポジウム. 2011
  3. 大橋 直樹, ウィリアムズ ジェシー ロバート, 安達 裕, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 大垣 武, 坂口 勲, 菱田 俊一, 小林 啓介. ウルツ鉱型半導体薄膜の極性判定とその制御. 日本金属学会2011年度秋期講演大会. 2011
  4. 坂田 修身, 上田 茂典, 勝矢良雄, 石丸　哲, 小畠 雅明, 吉川 英樹, 山下 良之, ヤン アンリ, 松下 能孝, 田中 雅彦, 小林 啓介. 物質・材料研究機構ビームラインBL15XUの現状. SPring-8コンファレンス2011. 2011 招待講演
  5. 山下 良之, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Direct observation of electronic states in gate stack structures: XPS under device operation. 220th The Electrochemical Society meeting. 2011 招待講演
  6. 三村功次郎, 川田翔, 魚住孝幸, 本並哲, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田晄弘, 和田裕文, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. EuNi2X2（X=Si, P, Ge)の硬X線光電子分光. 日本物理学会2011年秋季大会. 2011
  7. 内海有希, 佐藤仁, 山下哲朗, 大原繁男, 三村功次郎, 本並哲, 島田賢也, 有田将司, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 生天目博文, 谷口雅樹. 硬X線光電子分光によるYbNi3X9 (X=Al, Ga)の電子状態の研究. 日本物理学会　2011年秋季大会. 2011
  8. G. Conti, A. X. Gray, A. M. Kaiser, A. Greer, J. Karel, 上田 茂典, 山下 良之, A. Gloskovskii, A. Jannotti, C. G. Van de Walle, 小林 啓介, W. Drube, S. Stemmer, C. S. Fadley. Determination of band offsets in complex oxide thin-film heterostructures by hard x-ray photoelectron spectroscopy. HAXPES 2011. 2011
  9. 吉川 英樹, 下田 正彦, 有澤光弘, 周東智, 小西智也, 塚本史郎, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介. 硫黄終端基板上に固定されたパラジウム触媒の硬Ⅹ線光電子分光研究. HAXPES2011. 2011
  10. L. Plucinski, J. Minar, J. Braun, A. X. Gray, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, H. Ebert, C. S. Fadley, C. M. Schneider. Free-electron final-state calculations for the interpretation of hard x-ray angle resolved photoemission. HAXPES 2011. 2011
  11. 内海有希, 佐藤仁, 山下哲朗, 大原繁男, 三村功次郎, 本並哲, 島田賢也, 有田将司, 上田 茂典, 山下 良之, 山下良之, 小林 啓介, 生天目博文, 谷口雅樹. Electronic structure of newly discovered Yb-compounds YbNi3X9 (X= Al, Ga) studied by hard x-ray photoemission spectroscopy. HAXPES 2011. 2011
  12. X. Kozina, S. Ouardi, G. Stryganyuk, B. Balke, S. Chadov, G. H. Fecher, C. Felser, T. Ishikawa, T. Uemura, M. Yamamoto, 池永英司, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介. Valence states of off-stoichiometric thin films based on the Heusler compound Co2MnSi. HAXPES 2011. 2011
  13. A. X. Gray, A. Janotti, J. Son, J. M. LeBeau, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, A. M. Kaiser, R. Sutarto, H. Wadati, G. A. Sawatzky, S. Stemmer, C. S. Fadley. Mott Insulating State of Ultrathin Epitaxial LaNiO3 Thin Films Detected by Hard X-ray Photoemission. HAXPES 2011. 2011
  14. 長田 貴弘, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 小林 啓介, 知京 豊裕. BIAS APPLICATION HX-PES STUDY OF METAL/OXIDE INTERFACE: OXIDE BASED RERAM APPLICATION. HAXPES 2011 - 4th International Workshop on Hard X-ray Photoelec. 2011
  15. 山下 良之, 長田 貴弘, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Bias-application in Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Characterization of Advanced Materials. European Conference on Surface Science. 2011
  16. 阿部 英樹, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 吉川 英樹, 許 亜, 原 徹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介. Solubilization of post-synthesized nanoparticle catalysts by macromolecules. 日本金属学会 第4回触媒材料研究会. 2011 招待講演
  17. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 鈴木 彰, 吉川 英樹, 野口 秀典, 増田 卓也, 魚崎 浩平, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール・マトリン, ディン　ロン　オウ, ジョン　ドレナン. Influence of the adsorption and oxidation of CO on Pt-CeOx/CB anodes for fuel cell application. 第2回国際燃料電池サマーセミナー 2011. 2011
  18. 大橋 直樹, ウィリアムズ ジェシー ロバート, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介. ウルツ鉱型結晶の自発分極と電子状態. 応用物理学会学術講演会. 2011
  19. 阿部 英樹, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 吉川 英樹, 許 亜, 原 徹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介. 触媒材料の価電子状態を手掛かりとした排ガス清浄化活性の理解と予測. 日本金属学会 第4回触媒材料研究会. 2011 招待講演
  20. ウィリアムズ ジェシー ロバート, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 安達 裕, 小林 啓介, 大橋 直樹. X-ray Photoemission Spectroscopy of Wurtzite-type Semiconductors in Terms of Crystalline Polarity. STAC-5. 2011
  21. 阿部 英樹, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 吉川 英樹, 許 亜, 原 徹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, 関戸 信彰, 御手洗 容子, 有賀 克彦. 排ガス清浄化触媒の現状と課題. サイエンス＆テクノロジーセミナー. 2011 招待講演
  22. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. Study on oxygen and metal migration at Pt or Cu/HfO2 interfaces under bias operation for oxide based ReRAM application. The Seventh International Nanotechnology Conference on Communic. 2011
  23. 阿部 英樹, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 吉川 英樹, 許 亜, 原 徹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, 関戸 信彰, 御手洗 容子, 有賀 克彦. 熱凝集耐性排ガス触媒の開発とレアメタル削減技術. NTSセミナー. 2011 招待講演
  24. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 岩下 祐太, 知京 豊裕. Oxygen migration at Pt or Cu/HfO2 interface under bias operation: oxide based ReRAM application. 2011 Materials Research Society Spring Meeting and Exhibit. 2011
  25. 山口　周, 土屋敬志, 三好正悟, 山下 良之, 吉川 英樹, 寺部 一弥, 小林 啓介. in-situ硬X線光電子分光法を利用した酸化物系レジスタンスメモリーのスイッチング過程の観察. 第58回応用物理学関係連合講演会. 2011 招待講演
  26. 阿部 英樹, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 吉川 英樹, 許 亜, 原 徹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, 関戸 信彰, 御手洗 容子, 有賀 克彦. レアメタルの大幅削減への道を開く熱凝集耐性排ガス触媒の開発. SAITECセミナー. 2011 招待講演
  27. ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 阿部 英樹, 原 徹, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介. Ultrahigh dispersion of catalytic centers with drug-delivery macromolecules: dendrimer-encapsulated Pt3Ti nanoparticles. NIMS International Symposium on Photocatalysis and Environmental. 2011
  28. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 鈴木 彰, 区 定容, 李 致朋, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. 低担持量Pt-CeOX/Carbon black複合アノードのCeO2/Pt比がCO耐性に与える影響. 第49回セラミックス基礎科学討論会. 2011
  29. 佐藤仁, 内海有希, 飛松浩明, 平岡耕一, 小島健一, 三村功次郎, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹. 硬X線光電子分光を用いたYbInCu4の電子状態に対する元素置換効果の研究. 第24回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2011
  30. 川田翔, 三村功次郎, 魚住孝幸, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田晄弘, 和田裕文, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. 2段の一次価数相転移を示すEuPtPにおける硬X線光電子スペクトルの温度依存性. 第24回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2011
  31. 三村功次郎, 魚住孝幸, 石津貴彦, 本並哲, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田晄弘, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. 硬X線光電子分光によるEuPd2Si2の温度誘起価数転移の研究. 第24回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2011
  32. 中野裕太, 内藤理恵, 倉橋健一郎, 岩澤英明, 斎藤智彦, 勝藤拓郎, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹. 硬X線光電子分光法によるSr1-(x+y)Lax+yTi1-xCrxO3の電子構造. 第24回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2011
2010
  1. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 鈴木 彰, 区 定容, 李 致朋, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Influence of the interface formation between Pt and small amount of CeOx in Pt-CeOx/CB composite anodes and CO tolerance. 第20回　日本MRS学術シンポジウム. 2010
  2. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 鈴木 彰, 区 定容, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Influenc of CO concentration in anode gas upon CO tolerance on Pt-CeOx/CB composite and Pt/C anode in PEFC single cell. 第20回日本MRS学術シンポジウム. 2010
  3. 安達 裕, 大橋 直樹, 坂口 勲, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 羽田 肇. Polarity Inversion of Al-doped ZnO Films. 2010 MRS Fall Meeting. 2010
  4. 大橋 直樹, 李 建永, 大串 秀世, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 羽田 肇. Determination of Potential Profile at Pt/SrTiO3:Nb Schottky Junction by X-ray Photoemission. MRS 2010 Fall meeting. 2010
  5. 大橋 直樹, 李 建永, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 坂口 勲, 安達 裕, 大串 秀世, 羽田 肇. Observation of potential distribution at interface by hard-x-ray photoelectron spectroscopy. 3rd International Congress on Ceramics. 2010
  6. Alex X. Gray, P. R. Stone, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, J. Minar, J. Braun, H. Ebert, L. Plucinski, O. D. Dubon, C. M. Schneider, C. S. Fadley. Bulk electronic structure of the ferromagnetic semiconductor Ga1-xMnxAs via angle-resolved hard X-ray photoemission. 55th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials. 2010
  7. Alex X. Gray, L. Plucinski, A. Bostwick, E. Rotenberg, C. Papp, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, S. Yang, M. Huijben, D. Eiteneer, A. Rattanachata, A. Greer, E. M. Gullikson, F. de Groot, C. M. Schneider, C. S. Fadley. Depth resolved electronic structure of an LSMO/STO magnetic tunneling junction via standing-wave excited angle resolved photoemission. 55th Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials. 2010
  8. 山下 良之, 吉川 英樹, 上田 茂典, 知京 豊裕, 小林 啓介. デバイス動作下での電子状態観測：バイアス印加硬X線光電子分光. 真空・表面科学合同講演会. 2010
  9. T.C. Lovejoy, R. Chen, S. Zheng, ビジョラ ガルシア, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 島村 清史, 小林 啓介, S. Dunham, F.S. Ohuchi, M.A. Olmstead. Band Bending and Surface Defects in Ga2O3. AVS 57th International Symposium & Exhibition. 2010
  10. 大橋 直樹, 大串 秀世, 李 建永, 陳 君, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 小林 啓介, 関口 隆史, 羽田 肇. Resistance switching at Pt/SrTiO3:Nb interface. MS&T Materials Science & Technology Conference & Exhibition 2010. 2010
  11. 山下 良之, 吉川 英樹, 上田 茂典, 知京 豊裕, 小林 啓介. Bias-application in hard x-ray photoelectron spectroscopy for characterization of advanced materials. 5th international symposium on practical surface analysis. 2010
  12. 川田翔, 三村功次郎, 魚住孝幸, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田晄弘, 和田祐文, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. 硬X線光電子分光によるEuPtPの温度誘起価数相転移の研究. 日本物理学会2010年秋季大会. 2010
  13. Alex Gray, P. R. Stone, 上田 茂典, 山下 良之, 藤井純, G. Panaccione, M. Gorgoi, J. Minar, J. Braun, O. D. Dubon, H. Ebert, Charles S. Fadley. Bulk electronic structure of (Ga, Mn)As Ferromagnetic semiconductors via hard x-ray photoemission. MML 2010. 2010
  14. 安達 裕, 大橋 直樹, 坂口 勲, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 羽田 肇. 単結晶ZnO基板上に作製したAl添加ZnO薄膜の極性反転. 2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会. 2010
  15. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. 電圧印加硬X線光電子分光法によるReRAM:金属/HfO2界面の電子状態評価. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  16. 大橋 直樹, 李 建永, 大串 秀世, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, 安達 裕, 羽田 肇. X線光電子分光法によるPt/SrTiO3:Nb 界面の電子状態の検討. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  17. 長田 貴弘, Oliver Bierwagen, Mark E. White, Min-Ying Tsai, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 大橋 直樹, 知京 豊裕, James S. Speck. Surface structure and chemical states of semiconducting oxides. Focused workshop on semiconducting oxides. 2010 招待講演
  18. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 葉 飛, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Pt-CeOX/CB複合アノードの表面電子状態がCO耐性に与える影響. 2010年電気化学秋季大会. 2010
  19. 府金 慶介, 森 利之, 鈴木 彰, 中村 紀久, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン. 少量のCeOxを助触媒としたPt-CeOxカソードの酸素還元活性の検討. 2010年電気化学秋季大会. 2010
  20. 阿部 英樹, ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 許 亜, 関戸 信彰, 御手洗 容子, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, 下田 正彦, Jumpei Kitagawa, Takayuki Komatsu. 金属間化合物Pt3T(T=Ti, Ta, Hf)の一酸化炭素酸化触媒活性と表面電子状態の相関. 第３回触媒材料研究会. 2010
  21. ゴーウィンダッチャリ サラバナ, 阿部 英樹, 許 亜, 関戸 信彰, 御手洗 容子, 原 徹, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介. Ultrahigh dispersion of catalytic centers with drug-delivery macromolecules: dendrimer-encapsulated Pt3Ti nanoparticles. 第３回触媒材料研究会. 2010
  22. 許 亜, 吉川 英樹, 張 峻赫, 出村 雅彦, 平野 敏幸, 小林 啓介, 上田 茂典, 山下 良之, Dang Moon Wee. Surface evolution of Ni3Al foil catalyst during the initial period of methanol decomposition studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy. 18th International Vacuum Congress (IVC-18). 2010
  23. 山下 良之. SPring-8における硬X線光電子分光を用いたナノ支援. H22ナノ計測・分析グループ連絡協議会第1回会合. 2010 招待講演
  24. 安達 裕, 大橋 直樹, 大垣 武, 大西 剛, 坂口 勲, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 羽田 肇. Polarity selective growth of ZnO films grown on SiO2 glass substrates. The 5th International Workshop on ZnO and Related Materials . 2010
  25. 上田 茂典, A. Gray, 山下 良之, 小林 啓介, C. S. Fadley. Bulk electronic structure and recoil effects in LaB6 via hard X-ray photoemission and hard X-ray ARPES. VUVX 2010. 2010
  26. P. R. Stone, A. Gray, 上田 茂典, 山下 良之, J. Fujii, G. Panaccione, M. Gorgoi, J. Minar, J. Braun, H. Ebert, L. Plucinski, O. D. Dubon, C. S. Fadley. Bulk electronic structure of (Ga,Mn)As ferromagnetic semiconductors via angle-resolved hard X-ray photoemission. VUVX 2010. 2010
  27. 三村浩次郞, 魚住孝幸, 石津貴彦, 本並哲, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田晄弘, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. Temperature-induced valence transition of EuPd2Si2 studied by hard X-ray photoelectron spectroscopy. VUVX 2010. 2010
  28. A. Gray, J. Son, J. M. LeBeau, 上田 茂典, 山下 良之, C. J. Powell, S. Stemmer, C. S. Fadley. Electronic properties of LaNiO3 Mott interfaces via hard X-ray photoemission. VUVX 2010. 2010
  29. 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Bias-voltage application in hard x-ray photoelectron spectroscopy for characterization of advanced materials. the 37th International conference on Vacuum Ultraviolet and X-ra. 2010
  30. 廣芝 伸哉, 早川 竜馬, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 松石清人, 知京 豊裕, 若山 裕. Optical and Electrical Properties of Molecular Superlattice Thin Films . ICSM2010. 2010
  31. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. Interface structure of Pt-based alloy contact on ZnO single crystal. STAC-4. 2010
  32. 安達 裕, 大橋 直樹, 大垣 武, 坂口 勲, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 羽田 肇. Polarity control of ZnO films on sapphire and glass substrates. STAC-4. 2010
  33. 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介. 硬Ⅹ線光電子分光を利用したナノネット支援の紹介. ナノテクノロジー放射光利用研究の最前線2009. 2010
  34. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 区 定容, 葉 飛, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラジミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Pt-CeOX/CB 複合アノードにおける2Pt+-Vo・・クラスターとPt2+-Vo・・クラスターがCO 耐性に与える影響. 電気化学協会2010春期講演大会. 2010
  35. 三村功次郎, 魚住孝幸, 石津貴彦, 本並哲, 佐藤仁, 内海有希, 上田 茂典, 光田暁弘, 島田賢也, 田口幸広, 山下 良之, 吉川 英樹, 生天目博文, 谷口雅樹, 小林 啓介. 価数転移を示すEuPd2Si2の硬X線光電子スペクトルの温度依存性. 日本物理学会　第65回年次大会. 2010
  36. 内海有希, 佐藤仁, 飛松浩明, 間曽寛之, 平岡耕一, 小島健一, 三村功次郎, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹. 硬X線光電子分光によるYbXCu4(X=Cd, In, Sn)の電子状態の研究. 日本物理学会　第65回年次大会. 2010
  37. 中村純, 今村真幸, 藤正修司, 保田英洋, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 有機分子表面修飾Siナノ粒子の光学特性評価. 日本物理学会　第65回年次大会. 2010
  38. 今村真幸, 中村純, 藤正修司, 保田英洋, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 有機分子保護Siナノクラスターにおける発光と電子構造の相関. 日本物理学会　第65回年次大会. 2010
  39. 廣芝 伸哉, 早川 竜馬, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕, 松石清人, 若山 裕. 異種分子界面でのフォトルミネッセンス過程と電子構造の解析. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  40. 金子 昌充, 山口 智広, 井村 将隆, 山下 良之, 名西憓之. 硬X線光電子分光によるInN バルク評価. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  41. 山下 良之. 電圧印加硬X線光電子分光法による電極/分子界面の伝導機構の解明. 「特定領域研究」ナノリンク分子の電気伝導 第6回領域ミーティング. 2010 招待講演
  42. 今村真幸, 中村純, 藤正修司, 保田英洋, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 有機分子表面修飾Siナノクラスターの光学特性. ナノ学会　ナノ構造・物性部会　第2回研究会. 2010
  43. 斎藤信, 腰越悠香, 原田慈久, 小林正起, 丹羽秀治, 堀場弘司, 尾嶋正治, 尾崎純一, 寺倉清之, 池田隆司, 宮田清蔵, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 燃料電池正電極用鉄フタロシアニン由来カーボンアロイ触媒の放射光解析. 第23回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2010
2009
  1. YAMASHITA, Yoshiyuki. Bias-application in Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Characterization of Advanced Materials. ALC'09. 2009
  2. 吉川 英樹, 高橋 基, 森 利之, イバ　マトリノバ, ブラジミール　マトリン, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介. 燃料電池電極材Pt-セリアの硬X線光電子分光測定. ALC2009. 2009
  3. 土屋敬志, 三好正悟, 尾山由紀子, 山下 良之, 寺部 一弥, 小林 啓介, 榎学, 山口周. HX-PES法及びAE法によるCu2Sぶおける不定比性変化のin-situ観察. 第35回固体イオニクス討論会. 2009
  4. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 早川 竜馬, 吉武 道子, 上田 茂典, 小林 啓介, 知京 豊裕. Interface structure and chemical states of Pt-based metal contact on polar-ZnO single crystal. 2009 Materials Research Society (MRS) Fall Meeting . 2009
  5. 大橋 直樹, 安達 裕, 坂口 勲, 松本 研司, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 小林 啓介, 羽田 肇. Hard-X-ray Photoelectron Spectroscopy on Zinc Oxide and its Related Alloys.. 2009 MRS Fall Meeting. 2009 招待講演
  6. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 葉 飛, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Influence of ionized Pt and ionized Ce content on surface of Pt-CeOX/CB composites in DMFC anode performance. 第26回日韓国際セラミックスセミナー. 2009
  7. 李 建永, 大橋 直樹, 大串 秀世, 坂口 勲, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 小林 啓介, 羽田 肇. Resistance Switching at Pt/SrTiO3:Nb Junctions Investigated by Photoemission. 第26回日韓国際セラミックスセミナー. 2009
  8. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 葉 飛, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介. Pt-CeOX/CB 複合アノードにおける表面電子状態の違いがアノード活性に与える影響. 第19回日本MRS学術シンポジウム. 2009
  9. 小林 啓介, 上田 茂典, 小畠 雅明, 山下 良之, 吉川 英樹, 池永英司, 渡辺義夫. Hard X-ray photoemission spectroscopy:Its applications and some challenges. IWES2009. 2009 招待講演
  10. 山下 良之. 放射光を用いた光電子分光；放射光を用いてどのような電子状態測定ができるか. SPring-8 特別講演会. 2009 招待講演
  11. Christian Papp, Alex Gray, 上田 茂典, J. Minar, L. Plucinski, 酒井 智香子, 吉川 英樹, 山下 良之, S.L. He, Benjamin Balke, C. Schneider, J. Braun, H. Ebert, Charles S. Fadley. Angle-resolved photoemission with the multi-keV regime: first experimental data and theory for W and GaAs. ICESS11. 2009
  12. 内海有希, 佐藤仁, H. Kurihara, H. Maso, K. Hiraoka, K. Kojima, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, T. Ohkochi, 藤森伸一, 竹田幸治, 斎藤祐児, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹. Cu-derived electronic structure of YbInCu4. ICESS 11. 2009
  13. 今村幸幸, 中村純, 藤正修司, 保田英洋, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. Direct Observation of Quantum Size Effects in Alkyl Passivated Si Nanoparticles by Hard X-ray Photoemission Spectroscopy. ICESS 11. 2009
  14. 丹羽秀治, 小林正起, 堀場弘司, 原田慈久, 尾嶋正治, 腰越悠香, 尾崎純一, 池田隆司, 宮田清蔵, 大渕博宣, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. Synchrotron Radiation Analyses of Residual Cobalt in Carbon Alloy Cathode Catalysts for Polymer Electrolyte Fuel Cells. 216th ECS Meeting. 2009
  15. 今村真幸, 中村純, 藤正修司, 保田英洋, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 硬X線光電子分光による有機分子表面修飾Siナノ粒子の電子状態の研究. 日本物理学会　2009年秋季大会. 2009
  16. 西村淳一, 斎藤智彦, 小林義彦, 浅井吉蔵, 浜田典昭, 仲武昌史, J. Jiang, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 二重ペロブスカイト型Co酸化物の光電子分光. 日本物理学会　2009年秋季大会. 2009
  17. 大橋 直樹, 李 建永, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 小林 啓介, 大串 秀世, 羽田 肇. 白金/チタン酸ストロンチウム界面の電子状態の光電子分光による検討. 第22回秋期シンポジウム. 2009
  18. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 葉 飛, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, 高橋 基, ウラディミール・マトリン, ジョン・ドレナン. Pt-CeOX/CB複合アノードにおける表面電子状態の違いがアノード活性に与える影響. 日本セラミックス協会　第22回秋季シンポジウム. 2009
  19. Tracy Lovejoy, S.Zheng, E.Yitamben, 島村 清史, ビジョラ ガルシア, 小林 啓介, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, ピス イゴール, Fumio Ohuchi, Marjorie Olmstead. Defect States in the Wide Gap Semiconducting Oxide Ga2O3. AVS Pacific Northwest Chapter. 2009
  20. 山下 良之. High-High-resolution hard X-ray photoelectron spectroscopy: Application to materials science. Seminar of FOM Institute for Atomic and Molecular Physics. 2009 招待講演
  21. 山下 良之, 大毛利　健治, 上田 茂典, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. Bias-application in hard x-ray photoelectron spectroscopy for characterization of advanced materials. European Conference on Surface Science 26. 2009
  22. 斎藤信, 腰越悠香, 原田慈久, 小林正起, 丹羽秀治, 堀場弘司, 尾嶋正治, 尾崎純一, 寺倉清之, 池田隆司, 宮田清蔵, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. Synchrotron Analysis for the Catalytic Role of Residual Metals in Carbon Alloy Cathode Catalyst for PEFC Synthesized from Fe-phthalocyanine. 4th International Conference on Polymer Batteries and Fuel Cell. 2009
  23. 山下 良之. 軟X線吸収発光分光法による固体界面価電子状態のサイト選択的観測. 高輝度VSX光源が切り拓く先端分光と物性研究への展開. 2009 招待講演
  24. 大橋 直樹, 坂口 勲, 安達 裕, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 松本 研司, 山下 良之, 羽田 肇. Electronic structure in zinc oxide studied by X-ray photoemission. STAC-3. 2009
  25. 斎藤信, 腰越悠香, 原田慈久, 小林正起, 丹羽秀治, 堀場弘司, 尾嶋正治, 尾崎純一, 寺倉清之, 池田隆司, 宮田清蔵, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. Oxgen reduction reaction activity and chemical structure of Fe-contained carbon alloy cathode catalyst for PEFC. 215th ECS Meeting. 2009
  26. 山下 良之. 有機物半導体の電子状態の膜厚依存性. 特定領域研究会（ナノリンク分子の電気伝導）. 2009
  27. C. Papp, 上田 茂典, 小林 啓介, J. Minar, 酒井 智香子, 吉川 英樹, 山下 良之, S. L. He, L. Plucinski, A. Gray, B. Balke, C. Schneider, J. Braun, H. Ebert, C. S. Fadley. Angle-Resolved Photoemission in Multi-keV regime: First Experimental Data and Comparison to One-step Theory with Matrix Elements. HAXPES 2009. 2009
  28. 長田 貴弘, フォルク ヤノシュ, 山下 良之, 吉川 英樹, 南風盛 将光, 早川 竜馬, 上田 茂典, 小林 啓介, 知京 豊裕. Interface structure and chemical states of metal contact on oxide materials. The Fifth Internation Nanotechnology Conference on Communication. 2009
  29. 下田 正彦, 西脇永敏, 小西　智也, 塚本史郎, 荻原 俊弥, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介. 固定有機パラジウム触媒の硬X線光電子分光. JST育成研究報告会. 2009 招待講演
  30. 奥村修一, 宮尾智章, 平戸康晴, 石井廣義, 宮原恒あき, 田村聡, 吉田征央, 沈青, 豊田太郎, 田中克章, J. Jiang, 島田賢也, 生天目博文, 谷口雅樹, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. CdSe量子ドットを吸着させたナノ構造TiO2電極の硬X線光電子分光III. ナノ学会第７回大会. 2009
  31. チャールズ ファッドレィ, クリスチャン　パップ, ベンジャミン　バルケ, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 小林 啓介. X線定在波法を使った硬X線光電子分光によるナノ薄膜の界面電子構造解析. 重点ナノテクノロジー支援放射光利用研究成果報告会(平成20年度). 2009
  32. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 葉 飛, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, 高橋　基, 岡崎文保, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Pt-CeO2/CB複合アノードにおけるPt担持量低減に及ぼすCe-O-Ptクラスターの影響. 電気化学会第76回大会. 2009
  33. 丹羽秀治, 小林正起, 堀場弘司, 原田慈久, 尾嶋正治, 腰越悠香, 尾崎純一, 池田隆司, 寺倉清之, 宮田清蔵, 大渕博宣, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 放射光分光法による固体高分子形燃料電池正極カーボンアロイ触媒の残留金属の解析. 電気化学会第76回大会. 2009
  34. 斎藤信, 丹羽秀治, 小林正起, 堀場弘司, 原田慈久, 尾嶋正治, 腰越悠香, 尾崎純一, 池田隆司, 寺倉清之, 宮田清蔵, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 燃料電池正極用鉄フタロシアニン由来カーボンアロイ触媒の放射光解析. 電気化学会第76回大会. 2009
  35. 平戸康晴, 石井廣義, 島田賢也, 沈青, 豊田太郎, 奥村修一, 宮尾智章, 田村聡, 吉田征央, 田中克章, J. Jiang, 宮原恒あき, 生天目博文, 谷口雅樹, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. CdSe量子ドット増感太陽電池電極の電子構造の硬XPS研究II. 日本物理学会第64回年次大会. 2009
  36. 山下 良之, 大毛利健治, 上田 茂典, 吉川 英樹, 知京 豊裕, 小林 啓介. バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面電子状態の高感度観測. 日本物理学会第64回年次大会. 2009
  37. 小林 啓介, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 池永英司, 金正鎮, 石川哲也. SPring-8における硬X線光電子分光およびその物質・材料科学への応用開発. 日本学術振興会「未踏・ナノデバイステクノロジー」第151委員会. 2009
  38. 豊島安志, 堀場弘司, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治, 三木久幸, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 放射光硬X線光電子分光によるInN/GaN界面バンド構造の決定. 第22回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム. 2009
  39. 丹羽秀治, 堀場弘司, 原田慈久, 尾嶋正治, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 池田隆司, 寺倉清之, 尾崎純一, 宮田清蔵. 硬X線光電子分光を用いた固体高分子燃料電池正極用カーボンアロイ触媒の電子状態解析. 第22回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム. 2009
  40. 平戸康晴, 石井廣義, 島田賢也, 沈青, 豊田太郎, 奥村修一, 宮尾智章, 田村聡, 吉田征央, 田中克章, J. Jiang, 宮原恒あき, 生天目博文, 谷口雅樹, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. CdSe量子ドット増感太陽電池電極の電子状態の硬X線光電子分光研究. 第22回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム. 2009
2008
  1. 下田 正彦, 有澤光弘, 塚本史郎, 西田篤司, 星谷尚亨, 飯塚完司, 横田大, 磯村暢宏, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 野本大介. 固定有機パラジウム触媒の硬X線光電子分光. JST育成研究報告会. 2008 招待講演
  2. 森 利之, 高橋 基, 葉 飛, 区 定容, 戸ヶ﨑 寛孝, 府金 慶介, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介. A design of Pt-CeO2 composite anode and cathode materials for fuel cell applications. The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008). 2008
  3. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 葉 飛, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, 高橋 基, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Influence of nano-structural features in Pt-CeO2 composite anode on anode properties for development of direct methanol fuel cel. 第8回エコバランス国際会議. 2008
  4. 松下 能孝, 田中 雅彦, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 勝矢良雄, 石丸哲. SPring-8におけるNIMSビームラインを使ったナノ材料の. イノベーションつくば2008. 2008
  5. Andrei Gloskovskii, Gerhald H. Fecher, Stanislav Chadov, Siham Ouardi, Benjamin Balke, Catherine A. Jenkins, Claudia Felser, 石川貴之, 山本眞史, 猪俣 浩一郎, 山下 良之, 吉川 英樹, 上田 茂典, 小林 啓介. High energy high resolution photoemission spectroscopy of Heusler compounds. 53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials. 2008
  6. 丹羽秀治, 堀場弘司, 原田慈久, 尾嶋正治, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 池田隆司, 寺倉清之, 尾崎純一, 宮田清蔵. Electronic structure of carbon alloy cathode catalysts for polymer electrolyte fuel cells. International Symposium on Surface Science and Nanotechnology. 2008
  7. 山下 良之, 何 少竜, 吉川 英樹, 上田 茂典, T. Lohmüller, J. P. Spatz, 小林 啓介. Size Dependent Electronic Structures of Au Nanoparticle. The 2008 Asian Conference on Nanoscience and Nanotechnology. 2008
  8. 丹羽秀治, 堀場弘司, 原田慈久, 尾嶋正治, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 池田隆司, 寺倉清之, 尾崎純一, 宮田清蔵. 硬X線光電子分光を用いた固体高分子形燃料電池正極用カーボン触媒の電子状態解析. 第49回電池討論会. 2008
  9. 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 松下 能孝, 田中 雅彦, 小林 啓介, 勝矢良雄, 石丸哲. BL15XUの現状とナノ薄膜の硬Ⅹ線光電子分光法の新展開. 第12回SPring-8シンポジウム. 2008
  10. 松下 能孝, 田中 雅彦, 勝矢良雄, 石丸哲, 吉川 英樹, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, ゲン フンシャ, 佐々木 高義. BL15XUにおける粉末X線回折法による精密結晶構造解析. 第12回SPring-8シンポジウム. 2008
  11. 鹿野昌弘, 仁谷浩明, 森大輔, 小池伸二, 栄部比夏里, 辰巳国昭, 田中 博美, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介. Hard X-ray Photoemission Study on Positive Electrode Material Li(Ni1/3Mn1/3Co1/3)O2 for Lithium Ion Battery. 214th Meeting of ECS / 2008 Fall Meeting of The Electrochemical . 2008
  12. 吉川 英樹, 高橋 基, 森 利之, 戸ヶ﨑 寛孝, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, ブラジミール　マトリン, ジョン　ドレナン, 区 定容. SPring-8を用いた硬Ⅹ線光電子分光法の燃料電池ナノ材料解析への応用. Symposium on Practical Surface Analysis 2008. 2008
  13. 平戸康晴, 石井廣義, 島田賢也, 沈青, 豊田太郎, 田村聡, 田中克昇, 姜健, 宮原恒昱, 生天目博文, 谷口雅樹, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. CdSe量子ドット増感太陽電池電極の電子構造の硬X線光電子分光研究. 日本物理学会2008年秋季大会. 2008
  14. 戸ヶ﨑 寛孝, 森 利之, 葉 飛, 小林 啓介, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 岡崎文保, 高橋　基, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. Pt-CeO2/CB複合アノード表面の電子状態がアノード反応に与える影響. 日本セラミックス協会第21回秋季シンポジウム（2008年）. 2008
  15. Andrei Gloskovskii, Gerhard H. Fecher, Benjamin Balke, Siham Ouardi, Claudia Felser, 石川貴之, 山本眞史, 猪俣 浩一郎, 山下 良之, 吉川 英樹, 上田 茂典, 小林 啓介. High energy high resolution photoemission from Heusler compounds. Joint European Magnetic Symposia 2008. 2008
  16. 森 利之, 高橋 基, 戸ヶ﨑 寛孝, 府金慶介, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介, 葉 飛, 区 定容, ウラディミール　マトリン, ジョン　ドレナン. 燃料電池用Pt/CeO2複合アノード材料及びカソード材料の設計. 日本セラミックス協会「第24回日本セラミックス協会 関東支部研究発. 2008
  17. 小林 啓介, 池永英司, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹. 硬X線光電子分光法のナノテクノロジー物質研究への応用. SRMS-6. 2008 招待講演
  18. Gerhard H. Fecher, Andrei Gloskovskii, Benjamin Balke, Siham Ouardi, Claudia Felser, 山本眞史, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. Investigation of Buried Half-Metallic Ferromagnets by High Energy Photoemission. 6th International Conference on Synchrotron Radiation in Materia. 2008
  19. 許 亜, 吉川 英樹, 張埈赫, 出村 雅彦, 小林 啓介, 野本 大介, 上田 茂典, 山下 良之, Dong-Moon WEE, 平野 敏幸. Surface characterization of Ni3Al foil catalyst by hard X-ray photoelectron spectroscopy. 14th International Congress on Catalysis (ICC2008). 2008
  20. 鹿野昌弘, 森大輔, 小池伸二, 栄部比夏里, 辰巳国昭, 田中 博美, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介. Hard X-ray Photoemission Study on Negative and Positive Electrodes of Degraded Lithium Ion Battery. 14th International Meeting on Lithium Batteries (IMLB-14). 2008
  21. 長田 貴弘, 南風盛 将光, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 吉武 道子, 早川 竜馬, 知京 豊裕. Schottky barrier height control of Pt-based Binary-alloy on ZnO by Combinatorial Method. 2008 Electronic Materials Conference. 2008
  22. 北川孝信, 村瀬祥章, 田中章順, 保田英洋, 根岸雄一, 佃達哉, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. デンドリマー内包Auナノクラスターの調整と光学・光電子分光. ナノ学会　第6回大会. 2008
  23. 平戸康晴, 石井廣義, 沈青, 豊田太郎, 田中克章, K. Jiang, 宮原恒あき, 生天目博文, 谷口雅樹, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 島田賢也. CdSe量子ドットを吸着したナノ構造TiO2電極の硬X線光電子分光II. ナノ学会第６回大会. 2008
  24. 山下 良之, 大毛利健治, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. バイアス電圧印加硬X線光電子分光法による界面準位の新しい測定手法の開発. 6th NIMS&MPI-MF work shop. 2008
  25. 吉川 英樹, 高橋 基, 森 利之, 戸ヶ﨑 寛孝, 山下 良之, 上田 茂典, 小林 啓介, マトリン, ドレナンド, 区 定容, 金 済徳. 硬X線光電子分光法と燃料電池ナノ材料への展開. 平成19年度ナノネット放射光利用研究成果報告会. 2008
  26. 三浦英生, 鈴木研, 寒川誠二, 吉川 英樹, 上田 茂典, 山下 良之, 小林 啓介. 次世代ナノスケール半導体用材料物性の点欠陥依存性分析. 平成19年度ナノネット放射光利用研究成果報告会. 2008
  27. 島田賢也, 東口光晴, 生天目博文, 谷口雅樹, 竹田幸治, 藤森伸一, 斎藤祐児, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 末國晃一郎, M.A. Avila, 高畠敏郎. Ba8Ga16Sn30単結晶の軟X線・硬X線光電子分光. 「ラットリング振動が誘起する新物性」研究会. 2008
  28. 豊島安志, 堀場弘司, 太田実雄, 藤岡洋, 尾嶋正治, 三木久幸, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. 放射光硬X線光電子分光によるInN/GaN界面バンド構造の決定. 春季第55回応用物理学会. 2008
  29. 平戸康晴, 石井廣義, 島田賢也, 沈青, 豊田太郎, 田中克章, J. Jiang, 宮原恒あき, 生天目博文, 谷口雅樹, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. CdSe量子ドットを吸着したナノ構造TiO2電極の硬X線光電子分光II. 日本物理学会第63回年次大会. 2008
  30. 島田賢也, 東口光晴, 生天目博文, 谷口雅樹, 竹田幸治, 藤森伸一, 斎藤祐児, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 末國晃一郎, M.A. Avila, 高畠敏郎. Ba8Ga16Sn30単結晶の軟X線・硬X線光電子分光II. 日本物理学会　第63回年次大会. 2008
  31. 北川孝信, 村瀬祥彰, 今村真幸, 田中章順, 保田英洋, 根岸雄一, 佃達哉, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. デンドリマー-Au複合ナノクラスターの精密調整と分光学的評価III. 日本物理学会第63回年次大会. 2008
  32. 山下 良之, 大毛利健治, 吉川 英樹, 小林 啓介, 知京 豊裕. 硬X線光電子分光法によるゲートスタック構造内のポテンシャル分布の直接観測. 日本物理学会第63会年次大会. 2008
  33. 下田 正彦, 有澤光弘, 塚本史郎, 西田篤司, 星谷尚亨, 飯塚完司, 横田大, 磯村暢宏, 山下 良之, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 野本大介. 硫黄終端GaAs(001)上に固定された有機パラジウム触媒の硬X線光電子分光. NIMS光触媒国際ワークショップ2008. 2008
  34. 北川孝信, 村瀬祥彰, 今村真幸, 田中章順, 保田英洋, 根岸雄一, 佃達哉, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. デンドリマー-Au複合ナノクラスターの硬X線光電子分光. 第21回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム. 2008
2007
  1. 小林 啓介, 池永英司, 金正鎮, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹. 高分解能硬Ｘ線光電子分光：薄膜、表面層への応用. 第3回放射光表面科学部会シンポジウム「放射光表面科学の最前線」. 2007
  2. 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 大毛利 健治, 知京 豊裕. X線発光および硬X線光電子分光による金属/High-k、酸化膜/Si界面電子状態の観測. The 5th NIMS-MPI Work Shop. 2007
  3. 小林 啓介, 上田 茂典, 山下 良之, 小畠 雅明, 吉川 英樹, 池永英司, 楊　科　, 竹田幸治　, 斉藤裕児, 有田将司, 島田賢也, 生天目博文, 西野吉則, 石川哲也, 有田将司. 物質・材料科学のための硬分解能硬Ｘ選考電子分光. 5ｔｈ NIMS-MPI MF Workshop. 2007 招待講演
  4. 島田賢也, 東口光晴, 生天目博文, 谷口雅樹, 竹田幸治, 斎藤祐児, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 末国晃一郎, M.A.Avila, 高畠敏郎. Ba8Ga10Sn30単結晶の軟X線・硬X線光電子分光. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  5. 村瀬祥彰, 北川孝信, 今村真幸, 田中章順, 保田英洋, 根岸雄一, 佃達也, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介. デンドリマー-Au複合ナノクラスターの精密調整と分光学的評価II. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  6. 小嗣真人, 島田賢也, 東口光晴, 飛田尚寿, 上田 茂典, 山下 良之, 吉川 英樹, 小林 啓介, 生天目博文, 谷口雅樹. 鉄隕石由来L10型FeNi相の電子状態観測. 日本物理学会第62回年次大会. 2007
  7. 許 亜, 吉川 英樹, 張峻赫, 出村 雅彦, 小林 啓介, 野本大介, 上田 茂典, 山下 良之, Ｄａｎｇ−Ｍｏｏｎ　ＷＥＥ, 平野 敏幸. 高エネルギー光電子分光によるNi3Al金属間化合物箔触媒の表面解析. 日本金属学会2007年秋期大会. 2007
  8. 山下 良之. 軟X線吸収発光分光法による界面価電子状態のサイト選択的観測. EINLADUNG ZUM SEMINAR. 2007 招待講演
  9. 山下 良之. 軟X線吸収発光分光法による界面価電子状態のサイト選択的観測. The 15th International Conference on VUV . 2007
  10. 山下 良之. 軟X線吸収発光及び光電子分光法による界面価電子状態のサイト選択的観測. 高輝度軟X線放射光が拓く物質科学の新たな地平. 2007 招待講演
  11. 山下 良之. 軟Ｘ線発光分光による界面価電子状態のサイト選択的観測. 日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム. 2007 招待講演

その他の文献 TSV

2021
  1. 山下 良之. 光電子分光詳論 　基礎から学ぶ原子配列・電子構造イメージング. Vacuum and Surface Science. 64 [1] (2021) 51 10.1380/vss.64.51 Open Access
  2. W Hamouda,, C. Lubin, 上田 茂典, 山下 良之, O. Renault, F. Mehmood, T. Mikolajick, U. Schroeder, R. Negrea, N. Barrett. Laboratory Based Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy for Buried Interface Analysis of Microelectronic Components. Scienta Omicron Result of the Month. (2021) 1
2018
  1. 山下 良之. 1 year study in Grenoble. Vacuum and Surface Science. 61 [12] (2018) 813-814 10.1380/vss.61.813 Open Access
  2. 山下良之. [R-635] 微少領域のバンド分散解析：[R-636] 摩擦界面における真実接触面の直接観察. 表面と真空. (2018) 483 10.1380/vss.61.483 Open Access
2016
  1. 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 吉武 道子, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向 物質・材料研究のための先進計測テクノロジー. 調査分析室レポートNIMS-RAO-FY2016-3　[ISBN] 978-4-9900563-7-7. 1 (2016) 42-51
  2. 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向. 調査分析室レポート. (2016) 73-89
  3. 山下良之. 先端追跡［R-594］実験室硬X線光電子分光. 表面科学. (2016) 518 10.1380/jsssj.37.518 Open Access
2010
  1. 小林 啓介, 吉川 英樹, 上田 茂典, 田中 雅彦, 山下 良之, 松下 能孝, 勝矢良雄, 石丸哲. BL15XU広エネルギー帯域先端材料解析BL次期計画. SPring-8利用者情報誌. 15 [1] (2010) 20-26

公開特許出願 TSV

  1. 耐酸化性ＮｉＡｌナノ粒子及びその製造方法、耐酸化性ＮｉＡｌナノ粒子含有ボンドコート層 (2014)
  2. 小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子の製造方法、小径Ｎｉ３Ｃナノ粒子含有電極触媒及びその製造方法 (2014)
  3. ナノ粒子包摂デンドリマー集積電極触媒及びその製造方法 (2013)
  4. ナノ粒子包接デンドリマー蛍光体及びその製造方法 (2012)

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