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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
応用物性・結晶工学
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- SEKIGUCHI, Takashi, 伊藤俊, 金井昭男. Cathodoluminescence and EBIC study of twist and tilt boundaries in bonded silicon wafers. Materials Science and Engineering B. ()
- SEKIGUCHI, Takashi, 山根久典, 島田昌彦. Cathodoluminescence Study of GaN Single Crystals Grown by a Na or K Flux. Solid State Phenomena. ()
- OHASHI, Naoki, SEKIGUCHI, Takashi, HANEDA, Hajime, 寺田, 大垣, 田中順三, 鶴見敬章, 福永脩. Ultraviolet light emission properties of ZnO single crystals. Materials Science and Engineering Serving Society. (1998) 61-65
書籍
- CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi. Electron-Beam-Induced Current. Springer, 2018
- SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun. Defect Characterization in Silicon by Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Techniques. Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering. , 2016, 343-373.
- 関口 隆史. 電子線誘起電流、カソードルミネッセンス. シリコン結晶技術. , 2015, 422-426.
会議録
- YOSHIMURA, Kenichi, CHO, Yujin, LUO, Xianjia, KIMURA, Takashi, SEKIGUCHI, Takashi. Cathodoluminescnece study of pn-junctions in widegap materials using cross sectional polishing. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2017) 1700096-1-1700096-4 10.1002/pssc.201700096
- SEKIGUCHI, Takashi, LEE, Woong, LUO, Xianjia, KIMURA, Takashi, CHO, Yujin. Cathodoluminescence study of killer defects in GaN wafers on sapphire substrates. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2017) 1700054-1-1700054-4 10.1002/pssc.201700054
- Toshihide Agemura, IWAI, Hideo, SEKIGUCHI, Takashi. Development of fountain detectors for spectroscopy of secondary electron in SEM. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2017) 1700057-1-1700057-5 10.1002/pssc.201700057
口頭発表
- SEKIGUCHI, Takashi. Statistical consideration of grain growth mechanism of multicrystalline Si by one directional solidification technique. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. 2015
- SEKIGUCHI, Takashi. 50 cm size Seed Cast Si ingot growth and its characterization. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. 2015
- SEKIGUCHI, Takashi. Control of extended defects in cast and seed cast Si ingots for photovoltaic application. International Conference on Extended Defects in Semiconductors. 2014
その他の文献
- SEKIGUCHI, Takashi. Focused Ion Beam Imaging of Defects in Si Materials for Photovoltaic and Semiconductor Use. ACTA PHYSICA POLONICA A. (2014) 991-993
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向. 調査分析室レポート. (2016) 73-89
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 吉武 道子, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向 物質・材料研究のための先進計測テクノロジー. 調査分析室レポートNIMS-RAO-FY2016-3 [ISBN] 978-4-9900563-7-7. 1 (2016) 42-51
特許
- 特許第5464429号 四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法 (2014)
- 特許第4863460号 半導体ナノ細線を用いたプローブ及びその製造方法 (2011)
- 特許第6440128号 エネルギー弁別電子検出器及びそれを用いた走査電子顕微鏡 (2018)
- 特開2008053589号 窒化インジウム（ＩｎＮ）あるいは高インジウム組成を有する窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）エピタキシャル薄膜の形成方法 (2008)
- 特開2005274460号 近接場光学顕微鏡及びそれを用いた偏光評価方法 (2005)
- 特開2005215200号 光集積回路の作製方法 (2005)
所属学会
応用物理学会 金属学会 日本電子顕微鏡学会 物理学会