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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
応用物性・結晶工学
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Toshihide Agemura, Takashi Sekiguchi. Collection efficiency and acceptance maps of electron detectors for understanding signal detection on modern scanning electron microscopy. Microscopy. [1] (2018) 18-29 10.1093/jmicro/dfx124
- Wei Yi, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Study of Dislocations in SrTiO3. Crystals. 10 [9] (2020) 736 10.3390/cryst10090736
- Jun Chen, Wei Yi, Ashutosh Kumar, Akio Iwanade, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Shun Ito, Takashi Kimura, Tadakatsu Ohkubo, Takashi Sekiguchi. Electron-Beam-Induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes. Journal of Electronic Materials. 49 [9] (2020) 5196-5204 10.1007/s11664-020-08081-2
書籍
- CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi. Electron-Beam-Induced Current. Springer, 2018
- SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun. Defect Characterization in Silicon by Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Techniques. Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering. , 2016, 343-373.
- 関口 隆史. 電子線誘起電流、カソードルミネッセンス. シリコン結晶技術. , 2015, 422-426.
会議録
- YOSHIMURA, Kenichi, CHO, Yujin, LUO, Xianjia, KIMURA, Takashi, SEKIGUCHI, Takashi. Cathodoluminescnece study of pn-junctions in widegap materials using cross sectional polishing. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2017, 1700096-1-1700096-4
- SEKIGUCHI, Takashi, LEE, Woong, LUO, Xianjia, KIMURA, Takashi, CHO, Yujin. Cathodoluminescence study of killer defects in GaN wafers on sapphire substrates. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2017, 1700054-1-1700054-4
- Toshihide Agemura, IWAI, Hideo, SEKIGUCHI, Takashi. Development of fountain detectors for spectroscopy of secondary electron in SEM. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 2017, 1700057-1-1700057-5
口頭発表
- YI, Wei, SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun. Cathodoluminescence spectral mapping analysis of InGaN/GaN core-shell nanowires . 8th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA19). 2019
- KIMURA, Takashi, YI, Wei, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi. Cathodoluminescence characterization of GaN-based materials: From wafer-scale mapping to nano-scale 3D analysis. 8th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA19). 2019
- CHEN, Jun, YI, Wei, Seiji HIGUCHI, SEKIGUCHI, Takashi. Analysis of Macro Defects in GaN Substrate Wafer based on Imaging Cathodoluminescence Technique . DRIP XVIII. 2019
その他の文献
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 吉武 道子, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向 物質・材料研究のための先進計測テクノロジー. 調査分析室レポートNIMS-RAO-FY2016-3 [ISBN] 978-4-9900563-7-7. 1 (2016) 42-51
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向. 調査分析室レポート. (2016) 73-89
- Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Shun Ito, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Structural Study of Small Angle Grain Boundaries in Multicrystalline Si. Materials Science Forum. 725 (2012) 157-160 10.4028/www.scientific.net/msf.725.157
特許
- 特許第5077863号 低真空走査型電子顕微鏡を用いた炭素系材料の微細加工方法とその装置 (2012)
- 特許第5294238号 電子素子 (2013)
- 特許第5464429号 四角形の断面を有する単結晶シリコンの育成方法 (2014)
所属学会
応用物理学会 金属学会 日本電子顕微鏡学会 物理学会