光電子ホログラフィ法による Si ドープκ-Ga2O3(001)中Si ドーパントの原子構造解明 | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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光電子ホログラフィ法による Si ドープκ-Ga2O3(001)中Si ドーパントの原子構造解明
(Photoelectron Holographic Study of Atomic Structure of Si Dopants for Si-doped κ-Ga2O3(001))

山下良之, 蔡宇華, 橋本由介, 松下智裕, Piero Mazzolini.

表面と真空 69 [7] 346-351. 2026.

https://doi.org/10.1380/vss.69.346

Open Access 公益社団法人日本表面真空学会 (Publisher) Materials Data Repository (MDR)

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MDRavailable Photoelectron Holographic Study of Atomic Structure of Si Dopants for Si-doped κ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(001)

作成時刻: 2026-08-06 03:06:10 +0900 更新時刻: 2026-10-08 09:17:10 +0900

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