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著者名KOBASHI, Kazuyoshi, NAGATA, Takahiro, NABATAME, Toshihide, YAMASHITA, Yoshiyuki, Atsushi Ogura, CHIKYOW, Toyohiro.
タイトルEffects of Rutile TiO2 Interlayer formation on HfO2/Ge MOS device
(ルチル型TiO2界面層がHfO2/Ge MOSデバイスに与える影響)
会議名NIMS Conference 2013
発表年2013
言語English
外部での文献参照

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