- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
原子層堆積技術、トランジスタ、メモリ、薄膜物性評価
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 生田目 俊秀. 電子デバイスへ向けた原子層堆積法で作製した金属酸化膜の研究. 表面技術. 74 [3] (2023) 137-140
- NABATAME, Toshihide. Characteristics of Several High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. (2019) 109-117 10.1149/09204.0109ecs
- Yong-Lie Sun, Toshihide Nabatame, Jong Won Chung, Tomomi Sawada, Hiromi Miura, Manami Miyamoto, Kazuhito Tsukagoshi. Compositional changes between metastable SnO and stable SnO2 in a sputtered film for p-type thin-film transistors. Thin Solid Films. 807 (2024) 140548 10.1016/j.tsf.2024.140548 Open Access
書籍
会議録
- Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, Kazuhito Tsukagoshi. (Invited) Characteristics of GaN/High-k Capacitors Under Positive Bias Stress. ECS Transactions. 112 [1] (2023) 109-117 10.1149/11201.0109ecst
- Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
- Toshihide Nabatame. Trapping mechanism of charge trap capacitor with Al2O3/High-k/Al2O3 multilayer. ECS transactions. (2017) 131-138 10.1149/07901.0131ecst
口頭発表
- NABATAME, Toshihide. Trapping mechanism of charge trap capacitor with Al2O3/High-k/Al2O3 multilayer. ULSI vs. TFT6. 2017 招待講演
- NABATAME, Toshihide. Hetero interface of ionic/covalent oxides for Nano-electronics. ULSI vs. TFT 5. 2015 招待講演
- 生田目 俊秀. 半導体プロセスに欠かせないALD技術. 第256回 Siナノテクノロジー研究委員会 研究集会. 2025 招待講演
その他の文献
- 津谷 大樹, 渡辺 英一郎, 生田目 俊秀. NIMSが提供するマスクレス露光プロセス技術. 金属. 87 [12] (2017) 1033-1038
- DAO, Duy Thang, CHEN, Kai, ISHII, Satoshi, OHI, Akihiko, NABATAME, Toshihide, KITAJIMA, Masahiro, NAGAO, Tadaaki. Aluminum Infrared Plasmonic Perfect Absorbers Fabricated by Colloidal Lithography. Proceedings of CLEO-PR 2015. (2015) 25E3_7-1-25E3_7-2
所属学会
応用物理学会, Institute of Electrical and Electronics Engineers
ナノアーキテクトニクス材料研究センター
原子層堆積法による新ナノ薄膜・半導体デバイス
原子層堆積法，ナノラミネート，HfO系強誘電体膜，InO系酸化物半導体膜，HfO系アモルファス絶縁膜，ZrO2低温度結晶成長，SiO2選択成長
概要
半導体デバイスは、３次元構造で、絶縁膜及び電極共にナノメーターの膜厚で作製されています。原子層堆積法（ALD)は、飽和表面吸着反応の特徴を有しており、3次元構造のホール内壁にも均質な膜を形成できます。半導体デバイスとして、DRAM、強誘電体デバイス、GaNパワーデバイス及び酸化物半導体トランジスタがあり、各々で、期待されている材料、膜厚及び構造が異なります。このニーズに答えるように、幅広い材料探索、ALD原料の選択、ALD成膜条件を、作製したデバイスの電気特性をフィードバックさせて、研究を進めています。
新規性・独創性
ALDメカニズムの新提案及びユニークなアイデアによるALD作製技術で、下記を達成しました。
● ALDによるSiO2膜成長が、下地基板の酸素の電気陰性度で決まるメカニズムを初めて見出した。
● 新規Hf/Zrカクテル原料を用いる事で、HfZrO系強誘電体薄膜の300℃低温度形成に成功した。
● 高誘電率でアモルファスなHfSiO及びHfAlO絶縁膜を、GaNパワーデバイスの絶縁膜として提案した。
内容
酸化膜として８元素、酸化物半導体膜として4元素及び金属膜として2元素のALD成膜を実施した20年以上に亘るデータの蓄積を基に、半導体デバイスの要求に対応しています。その中で、Si原料を用いたALD成膜で、ALD成長でSi原料の正電荷のSi原子が下地基板の負電荷の酸素に吸着しますが、この吸着が下地基板のMetal-Oの電気陰性度の差で決定されることを初めて見出しました。これは、下地材料を変えることでSiO2膜の選択成長ができる事を示しています。この様にALDメカニズムを理解して、GaNパワーデバイスではアモルファスなHfSiO膜、DRAMではZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造膜を形成しています。
まとめ
ALD法は、既に、半導体デバイスの量産プロセスにも使われており、研究レベルで得られたALDデータが、そのまま技術移管がスムーズに進むメリットがあります。
