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NABATAME, Toshihide
Address
305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
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Research

Keywords

半導体CMOS、電子デバイス、ナノ薄膜形成技術、材料物性評価

PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.

Patents
  • No. 5598916 ゲート電極及びその製造方法 (2014)
  • No. 5757628 界面層削減方法、高誘電率ゲート絶縁膜の形成方法、高誘電率ゲート絶縁膜、及び高誘電率ゲート酸化膜を有するトランジスタ (2015)
  • No. 5846563 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 (2015)

Society memberships

The Electrochemical Society, 日本金属学会、応用物理学会

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