- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
コンビナトリアル、酸化物半導体、電子デバイス
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 知京 豊裕. 多評価自動計測のためのマテリアルシーケンサー開発. Journal of Surface Analysis. (2021) 35-45 10.1384/jsa.28.35
- 柳生 進二郎, 吉武 道子, 長田 貴弘, 安田 剛, 桑島 功, 劉 雨彬, 中島 嘉之. 有機半導体材料における光電子収量分光（PYS）データベース構築. Journal of Surface Analysis. 29 [3] (2023) 146-154 10.1384/jsa.29.146
- Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Spectroscopic Observation of the Interface States at the SiO2/4H-SiC(0001) Interface. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17 [0] (2019) 56-60 10.1380/ejssnt.2019.56
書籍
- 長田 貴弘, 知京 豊裕. Combinatorial Synthesis Applied to the Development of Thin Film Materials for Nano-electronics. CRC Press, 2021, 20.
- 長田 貴弘. スマートラボによる薄膜材料開発とデータ連携. データ駆動型材料開発～オントロジーとマイニング、計測と実験装置の自動制御～. NTS, 2021, 10.
- 松波 成行, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 第6章第4節：IoTを活用したデータアーキテクチャ： 2D-XRD法による半導体材料開発への応用. 技術情報協会, 2021, 8.
会議録
- Kazunori Kurishima, Toshihide Nabatame, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al2O3 Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress. Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM). (2019) 10.1109/edtm.2019.8731167
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, CHIKYOW, Toyohiro. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Resistive random access memory. ECS TRANSACTIONS. (2017) 39-47
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, K. Kobayashi, CHIKYOW, Toyohiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. ECS TRANSACTIONS. (2014) 301-310 10.1149/06102.0jolecs
口頭発表
- NAGATA, Takahiro. Hard X-ray Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Resistive random access memory. PRiME 2016/230th ECS Meeting. 2016
- ONAYA, Takashi, NABATAME, Toshihide, NAGATA, Takahiro, TSUKAGOSHI, Kazuhito, J. Kim, C.-Y. Nam, E. H. R. Tsai, K. Kita. Role of interface reaction layer between ferroelectric HfxZr1−xO2 thin film and TiN electrode on endurance properties. INFOS2023 23rd CONFERENCE ON INSULATING FILMS ON SEMICONDUCTORS. 2023
- 柳生 進二郎, 松本 明善, 松波 成行, 西島 元, 伴野 信哉, 石井 秋光, 吉武 道子, 長田 貴弘. べき乗則に従うスペクトルの解析. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
その他の文献
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 吉武 道子, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向 物質・材料研究のための先進計測テクノロジー. 調査分析室レポートNIMS-RAO-FY2016-3 [ISBN] 978-4-9900563-7-7. 1 (2016) 42-51
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向. 調査分析室レポート. (2016) 73-89
- 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームＣＶＤ法によるＧａＮ立体構造の作製と評価. BULLETIN OF THE JAPAN ELECTRONIC MATERIALS SOCIETY(日本電子材料技術協会会報). 37 (2006) 37-39
特許
- 特許第6371171号 強誘電体キャパシタおよび電子デバイス (2018)
- 特許第6887655号 ビスマス系誘電体用電極及びキャパシタ (2021)
- 特許第6955748号 ＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法 (2021)
- 特開2009256766号 ｓｐ３－結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜およびその製造方法。 (2009)
- 特開2014010154号 表面増強ラマン分光分析用（ＳＥＲＳ）基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス (2014)
- 特開2016044350号 誘電体薄膜 (2016)
所属学会
応用物理学会