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研究内容
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コンビナトリアル、酸化物半導体、電子デバイス
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Spectroscopic Observation of the Interface States at the SiO<sub>2</sub>/4H-SiC(0001) Interface. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17 [0] (2019) 56-60 10.1380/ejssnt.2019.56
- 荻原 俊弥, 長田 貴弘, 吉川 英樹. English Translation of J. Surf. Anal. 24, 192-205(2018), Auger Depth Profiling Analysis of HfO2/Si Specimen Using an Ultra Low Angle Incidence Ion Beam. Journal of Surface Analysis. [3] (2019) 209-220 10.1384/jsa
- Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Atsushi Ogura. Ferroelectricity of HfxZr1−xO2 thin films fabricated by 300 °C low temperature process with plasma-enhanced atomic layer deposition. Microelectronic Engineering. 215 (2019) 111013 10.1016/j.mee.2019.111013
書籍
- 長田 貴弘. UV-オゾンクリーニングのPEDOT/PSS薄膜の電気特性への影響. PEDOTの材料物性とデバイス応用. 2012 , 184-186
- 長田 貴弘. Indium oxide: In2O3. . 2018
会議録
- NAGATA, Takahiro, YAMASHITA, Yoshiyuki, YOSHIKAWA, Hideki, K. Kobayashi, CHIKYOW, Toyohiro. Photoelectron Spectroscopic Study on High-k Dielectrics Based Nanoionics-Type ReRAM Structure under Bias Operation. ECS TRANSACTIONS. 2014, 301-310
- PARHAT, AHMET, NAGATA, Takahiro, KUKURUZNYAK, Dmitry, YAGYU, Shinjiro, WAKAYAMA, Yutaka, YOSHITAKE, Michiko, CHIKYOW, Toyohiro. Composition spread metal thin film fabrication technique based on ion beam sputter deposition . APPLIED SURFACE SCIENCE. 2006, 2472-2476
- NAGATA, Takahiro, PARHAT, AHMET, 鯉田崇, 秩父重英, CHIKYOW, Toyohiro. Position Controlled GaN Nano-Structures Fabricated by Low Energy Focused Ion Beam System.. Mat. Res. Soc. Symp. Proc.. 2004, 39-40
口頭発表
- 知京豊裕, 長田貴弘, 梅澤直人, 吉武道子, 大毛利健治, 山田啓作, MIKKLIPPMAA, 鯉沼秀臣. Landscape of Combinatorial Materials Exploration and Materials Informatics. MRS Fall Meeting 2007. 2007
- NAGATA, Takahiro, VOLK, Janos, PARHAT, AHMET, YOSHITAKE, Michiko, CHIKYOW, Toyohiro. Combinatorial synthesis of Pt-based Binary-alloy Schottky Contacts on ZnO by a Combinatorial Ion Beam Sputtering. 4th International Workshop on Combinatorial Materials Science an. 2006
- 立島 滉大, 長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋厚志, 知京 豊裕. Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いた AlNバッファー層作製条件の検討. 第78回応用物理学会秋季学術講演会. 2017
特許
- 特許第6146898号 表面増強ラマン分光分析用（SERS）基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス (2017)
- 特許第5218969号 sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。 (2013)
- 特許第5044860号 窒化ガリウム等のⅢ族窒化物の成膜方法 (2012)
所属学会
応用物理学会
第二期開発予定
第二期開発予定