HOME > Profile > NAGATA, Takahiro
- Address
- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
- Keywords
コンビナトリアル、酸化物半導体、電子デバイス
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Research papers
- Yoshiyuki Yamashita, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyow, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Spectroscopic Observation of the Interface States at the SiO<sub>2</sub>/4H-SiC(0001) Interface. e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17 [0] (2019) 56-60 10.1380/ejssnt.2019.56
- 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 機械学習による光電子収量分光（PYS）スペクトルの自動閾値予測. 表面と真空. 63 [6] (2020) 270-276 10.1380/vss.63.270
- 柳生 進二郎, 吉武 道子, 知京 豊裕, 長田 貴弘. 機械学習を用いた光電子収量分光（PYS）の閾値予測の測定データを用いた検証. 表面と真空. 62 [8] (2019) 504-510 10.1380/vss.62.504
Books
- NAGATA, Takahiro. Indium oxide: In2O3. ELSEVIER, 2018
- NAGATA, Takahiro. Nanoscale Redox Reaction at Metal/Oxide Interface - A Case Study on Schottky Contact and ReRAM. Springer, 2020
- 松波 成行, 長田 貴弘, 吉川 英樹. 第6章第4節：IoTを活用したデータアーキテクチャ： 2D-XRD法による半導体材料開発への応用. 技術情報協会, 2021, 8.
Proceedings
- Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Mari Inoue, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Harrison Sejoon Kim, Naomi Sawamoto, Takahiro Nagata, Jiyoung Kim, Atsushi Ogura. Improvement of Ferroelectricity and Fatigue Property of Thicker HfxZr1−XO2/ZrO2 Bi-layer. ECS Transactions. 2020, 63-70
- Takahiro Nagata. (Invited) Development of New High-Dielectric Constant Thin Films By Combinatorial Synthesis. ECS Transactions. 2020, 61-66
- Riku Kobayashi, Toshihide Nabatame, Kazunori Kurishima, Takashi Onaya, Akihiko Ohi, Naoki Ikeda, Takahiro Nagata, Kazuhito Tsukagoshi, Atsushi Ogura. Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3. ECS Transactions. 2019, 3-13
Presentations
- 女屋 崇, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 上田 茂典, Yong Chan Jung, Heber Hernandez-Arriaga, Jaidah Mohan, Jiyoung Kim, Chang-Yong Nam, Esther H. R. Tsai, 太田 裕之, 森田 行則. 強誘電性の向上へ向けたTiN/HfxZr1−xO2界面のTiOxNy層の重要性. 第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会. 2022
- 山下 晶洸, 長田 貴弘, 柳生 進二郎, 朝日 透, 知京 豊裕. Quasi-Continuous Representation of Crystal Structure of Thin Films with Two-Dimensional X-Ray Diffraction and Non-Negative Matrix Factorization. 2021 MRS FALL MEETING & EXHIBIT. 2021
- 長田 貴弘. 硬X線光電子分光法による薄膜電子材料の表面・界面評価と機能制御. 2021実用表面分析講演会. 2021
Misc
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 吉武 道子, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向 物質・材料研究のための先進計測テクノロジー. 調査分析室レポートNIMS-RAO-FY2016-3 [ISBN] 978-4-9900563-7-7. 1 (2016) 42-51
- 室町 英治, 藤田 高弘, 藤田 大介, 村川 健作, 山内 泰, 三石 和貴, 川喜多 磨美子, 岩井 秀夫, 大久保 忠勝, 川喜多 仁, 北澤 英明, 木本 浩司, クスタンセ オスカル, 倉橋 光紀, 後藤 敦, 坂口 勲, 坂田 修身, 櫻井 健次, 張 晗, 篠原 正, 清水 禎, 清水 智子, 志波 光晴, 鈴木 拓, 関口 隆史, 丹所 正孝, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 野口 秀典, 端 健二郎, 宝野 和博, 柳生 進二郎, 山下 良之, 吉川 元起, 吉川 英樹, 渡邉 賢, 渡邊 誠. 材料イノベーションを加速する先進計測テクノロジーの現状と動向. 調査分析室レポート. (2016) 73-89
- 長田 貴弘, 佐久間 芳樹, 関口 隆史, 知京 豊裕. 集束イオンビームＣＶＤ法によるＧａＮ立体構造の作製と評価. BULLETIN OF THE JAPAN ELECTRONIC MATERIALS SOCIETY(日本電子材料技術協会会報). 37 (2006) 37-39
Patents
- No. 6146898 表面増強ラマン分光分析用（SERS）基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス (2017)
- No. 5218969 sp3-結合性BN高密度相を有するBN薄膜およびその製造方法。 (2013)
- No. 5044860 窒化ガリウム等のⅢ族窒化物の成膜方法 (2012)
- No: 2009256766 ｓｐ３−結合性ＢＮ高密度相を有するＢＮ薄膜およびその製造方法。 (2009)
- No: 2014010154 表面増強ラマン分光分析用（ＳＥＲＳ）基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス (2014)
- No: 2016044350 誘電体薄膜 (2016)