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研究内容
- Keywords
コンビナトリアル、半導体、酸化物、金属、集積回路
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Kazuyoshi Kobashi, Ryoma Hayakawa, Toyohiro Chikyow, Yutaka Wakayama. Interface Engineering for Controlling Device Properties of Organic Antiambipolar Transistors. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. 10 [3] (2018) 2762 10.1021/acsami.7b14652
- Takashi Onaya, Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Kazunori Kurishima, Naomi Sawamoto, Akihiko Ohi, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura. Improved leakage current properties of ZrO2/(Ta/Nb)Ox-Al2O3/ZrO2 nanolaminate insulating stacks for dynamic random access memory. THIN SOLID FILMS. 655 (2018) 48 10.1016/j.tsf.2018.02.010
- Evelyn Handick, Patrick Reinhard, Regan G. Wilks, Fabian Pianezzi, Thomas Kunze, Dagmar Kreikemeyer-Lorenzo, Lothar Weinhardt, Monika Blum, Wanli Yang, Mihaela Gorgoi, Eiji Ikenaga, Dominic Gerlach, Shigenori Ueda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow, Clemens Heske, Stephan Buecheler, Ayodhya N. Tiwari, Marcus Bär. Formation of a K-In-Se surface species by NaF/KF post-deposition treatment of Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub> thin-film solar cell absorbers. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. 9 [4] (2017) 3581 10.1021/acsami.6b11892
書籍
会議録
- KOINUMA, Hideomi, CHIKYOW, Toyohiro. Special issue - CMST-3 - Proceedings of the Third Japan-US Workshop on Combinatorial Material Science and Technology . Applied Surface Science 2006, 2445-2445
- Electron-beam-induced current study of breakdown behavior of high-k gate MOSFETs. SOLID STATE PHENOMENA 2010, 461-466
- YoungZu, Yoo, ZHENGWU, JIN, PARHAT, AHMET, NAKAJIMA, Kiyomi, CHIKYOW, Toyohiro, , , . Silfide Buffered Si as a new class of substrate. APPLIED SURFACE SCIENCE , -
口頭発表
- 白石賢二, 山田啓作, 鳥居和功, 赤坂泰志, 中島 清美, 今野充, 知京 豊裕, 北島洋, 有門径敏. High-kを用いた場合のVth制御の課題. 電子材料研究会. 2004
- 白石賢二, 山田啓作, 鳥居和功, 赤坂泰志, 中島 清美, 今野充, 知京 豊裕, 北島洋, 有門径敏. High-k/p+polySiゲートのフェルミレベルピニングの物理的起源. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会. 2004
- 知京 豊裕, Parhat Ahmet, 中島 清美, 山岡武, 山田啓作. コンビナトリアル手法によるメタルゲート材料の探索とその課題. 電子材料研究会2004. 2004
特許
- 特許第5682880号 ナノ結晶粒子分散液と電子デバイス並びにその製造方法 (2015)
- 特許第5077919号 真空蒸着装置 (2012)
- 特許第5022596号 ポリアセン化合物及びその製造方法、並びにそれを用いた有機電子デバイス (2012)
第二期開発予定
第二期開発予定