Energy distribution of interface states at SiO2/4H-SiC(0001) obtained from operando photoelectron spectroscopy
International Conference on Nanoelectronics Strategy. 2018年05月14日-2018年05月16日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2019-03-04 10:09:02 +0900 更新時刻: 2019-03-04 10:09:02 +0900