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SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関
(Atomic structures and interface states density at SiO2/4H-SiC interface )

著者山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆.
会議名Symposium on Practical Surface Analysis 2020
発表年2020
言語Japanese

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