HOME > 口頭発表 > 書誌詳細SiO2/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関 (Atomic structures and interface states density at SiO2/4H-SiC interface )山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 蓮沼 隆. Symposium on Practical Surface Analysis 2020. 2020.NIMS著者山下 良之Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-12-10 03:00:23 +0900更新時刻: 2020-12-10 03:00:23 +0900