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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Efi Dwi Indari, Yoshiyuki Yamashita, Ryu Hasunuma, Hiroshi Oji, Kikuo Yamabe. Relationship between electrical properties and interface structures of SiO2/4H-SiC prepared by dry and wet oxidation. AIP Advances. 9 [10] (2019) 105018 10.1063/1.5126050
- Efi Dwi Indari, Yoshiyuki Yamashita, Ryu Hasunuma, Takahiro Nagata, Shigenori Ueda, Kikuo Yamabe. Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface. AIP Advances. 9 [4] (2019) 045002 10.1063/1.5088541
口頭発表
- INDARI, Efi Dwi, YAMASHITA, Yoshiyuki, NAGATA, Takahiro, UEDA, Shigenori, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Effect of Conduction Band Offset on Breakdown Voltage at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. 79th of JSAP Autumn Meeting 2018. 2018
- INDARI, Efi Dwi, YAMASHITA, Yoshiyuki, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe. Effect of Conduction Band Offset on Gate Leakage Current at SiO2/4H-SiC (000-1) studied by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy. SSDM2018. 2018
- 山下 良之, インダリ エフィ ダウィ, 山部喜久夫, 蓮沼 隆. SiO2/4H-SiC (000-1) 界面における界面準位、リーク電流、バンドオフセットの関係. 2019年日本表面真空学会学術講演会. 2019
第二期開発予定
第二期開発予定