図1に示すように、数度の傾斜で研磨することにより、厚さ方向の空間分解能を20倍程度（傾斜3°の場合）に拡大することができる。こうして得た試料に、CLスペクトルのラインプロファイルを測定することにより、Mg イオン注入層近傍での特性変化、特にその深さ方向分布を調べました。CL 観察を低温（80 K）、低加速 電圧
素子製造プロセスの改良のうち、斜め研磨試料を用い、低加速電圧の電子線をつかったCL観察手法を開発した。この手法を用いて、Mgイオン注入GaN層中Mg電気的な活性化及び深さ方向への分布、Mgの拡散と貫通転位の関連を明らかにすることが出来ました。種々のデバイスに対してこの手法を適用し、他の半導体のウェハーや基板について評価を展開する希望を持っています。

図2 に、Mgイオン注入試料（Mg注入層/n-GaN/GaN基板）を斜め研磨した試料におけるDAP（Mgアクセプタに関連したドナーアクセプタペア）発光(3.28 eV)のCL像を示す。(a)は転位がない領域、(b)は転位が多く集積している領域である。Mg注入層からのDAP 発光が弱く、その真下に明るい発光領域がある一方で、転位が多い場合には、n-GaNエピ層中にまで発光が広がり、Mgが転位に沿って拡散していることがわかった。