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論文 TSV

2022
  1. Jingmin Tang, Soichiro Takeuchi, Masaki Tanaka, Hiroto Tomita, Yusuke Hashimoto, Takahiro Nagata, Jun Chen, Takuo Ohkochi, Yoshinori Kotani, Tomohiro Matsushita, Yoshiyuki Yamashita. Direct Observation of Atomic Structures and Chemical States of Active and Inactive Dopant Sites in Mg-Doped GaN. ACS Applied Electronic Materials. 4 [9] (2022) 4719-4723 10.1021/acsaelm.2c00912
  2. Jia He, Jun Chen, Cheng Zheng, Zetan Cao, Zhiwen Liu, Chuangwei Jiao, Bin Chen, Takashi Sekiguchi, Dongping Zhong. Perovskite Bulk Crystals Grown through Antisolvent Droplet-Assisted Crystallization and Associated Wavelength-Dependent Photoluminescence Dynamics. The Journal of Physical Chemistry C. 126 [37] (2022) 16042-16049 10.1021/acs.jpcc.2c05585
  3. Jun Uzuhashi, Jun Chen, Ashutosh Kumar, Wei Yi, Tadakatsu Ohkubo, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Kacper Sierakowski, Michal Bockowski, Hideki Sakurai, Tetsu Kachi, Takashi Sekiguchi, Kazuhiro Hono. Atomic-scale investigation of implanted Mg in GaN through ultra-high-pressure annealing. Journal of Applied Physics. 131 [18] (2022) 185701 10.1063/5.0087248 Open Access
  4. Masaya Morita, Keiji Ishibashi, Kenichiro Takahashi, Shigenori Ueda, Jun Chen, Kota Tatejima, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata. Effect of reactive gas condition on nonpolar AlN film growth on MnS/Si (100) by reactive DC sputtering. Japanese Journal of Applied Physics. 61 [SC] (2022) SC1071 10.35848/1347-4065/ac4ad7
2021
  1. Takuto Mizoguchi, Toshifumi Imajo, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Takashi Suemasu, Kaoru Toko. Composition dependent properties of p- and n-type polycrystalline group-IV alloy thin films. Journal of Alloys and Compounds. 887 (2021) 161306 10.1016/j.jallcom.2021.161306
  2. Yaxin Chen, Daiming Tang, Zhiwei Huang, Xi Liu, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Weiye Qu, Junxiao Chen, Dongrun Xu, Yoshio Bando, Xiaolei Hu, Xiaoping Wang, Dmitri Golberg, Xingfu Tang. Stable single atomic silver wires assembling into a circuitry-connectable nanoarray. Nature Communications. 12 [1] (2021) 1191 10.1038/s41467-021-21462-3 Open Access
  3. Jun Chen, Wei Yi, Shun Ito, Takashi Sekiguchi. Cathodoluminescence Investigation of Stacking Faults and Dislocations in the Edge Part of Seed‐Grown m ‐Plane GaN Substrate. physica status solidi (a). 218 [14] (2021) 2100175 10.1002/pssa.202100175
2020
  1. A. Ogura, W. Yi, J. Chen, H. Suzuki, M. Imaizumi. Cathodoluminescence Study of Dislocations in Step-Graded InGaP Buffer Layers of Metamorphic Single-Junction InGaAs Solar Cells. Journal of Electronic Materials. 49 [9] (2020) 5219-5225 10.1007/s11664-020-08259-8
  2. Jun Chen, Wei Yi, Ashutosh Kumar, Akio Iwanade, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Shun Ito, Takashi Kimura, Tadakatsu Ohkubo, Takashi Sekiguchi. Electron-Beam-Induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes. Journal of Electronic Materials. 49 [9] (2020) 5196-5204 10.1007/s11664-020-08081-2
  3. Wei Yi, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Study of Dislocations in SrTiO3. Crystals. 10 [9] (2020) 736 10.3390/cryst10090736 Open Access
  4. Ashutosh Kumar, Wei Yi, Jun Uzuhashi, Tadakatsu Ohkubo, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Kazuhiro Hono. Influence of implanted Mg concentration on defects and Mg distribution in GaN. Journal of Applied Physics. 128 [6] (2020) 065701 10.1063/5.0014717 Open Access
  5. Wei Yi, Ashutosh Kumar, Jun Uzuhashi, Takashi Kimura, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Masaharu Edo, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Jun Chen, Tadakatsu Ohkubo, Takashi Sekiguchi, Kazuhiro Hono. Mg diffusion and activation along threading dislocations in GaN. Applied Physics Letters. 116 [24] (2020) 242103 10.1063/5.0009596 Open Access
  6. Takahiro Nagata, Tomohiro Yamaguchi, Shigenori Ueda, Wei Yi, Jun Chen, Takuya Kobayashi, Hirokazu Yokoo, Tohru Honda, Yoshiyuki Yamashita, Toyohiro Chikyow. Photoelectron spectroscopic study on electronic state of corundum In2O3 epitaxial thin film grown by mist-CVD. Japanese Journal of Applied Physics. 59 [SI] (2020) SIIG12 10.35848/1347-4065/ab84b2
2016
  1. Shengping Wang, Shuang Xie, Guowei Huang, Hongxuan Guo, Yujin Cho, Jun Chen, Daisuke Fujita, Mingsheng Xu. Grassy Silica Nanoribbons and Strong Blue Luminescence. Scientific Reports. 6 [1] (2016) 34231 10.1038/srep34231 Open Access
  2. Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Jianyong Li, Shun Ito. Investigation of dislocations in Nb-doped (100) SrTiO3 single crystals and their impacts on resistive switching. Superlattices and Microstructures. 99 (2016) 182-185 10.1016/j.spmi.2016.03.013
  3. Xianjia Luo, Ronit R. Prakash, Jun Chen, Karolin Jiptner, Takashi Sekiguchi. Effect of Σ3 generation on random grain boundaries in multicrystalline silicon. Superlattices and Microstructures. 99 (2016) 136-139 10.1016/j.spmi.2016.03.032
  4. SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun. Defect Characterization in Silicon by Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Techniques. Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering. 946 (2016) 343-373
2015
  1. Ronit R. Prakash, Karolin Jiptner, Jun Chen, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Takashi Sekiguchi. Control of extended defects in cast multicrystalline silicon using polycrystalline template. physica status solidi (c). 12 [8] (2015) 1099-1102 10.1002/pssc.201400299
  2. Takashi Sekiguchi, Karolin Jiptner, Ronit R. Prakash, Jun Chen, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Satoshi Nakano, Bin Gao, Koichi Kakimoto, SEKIGUCHI, Takashi, JIPTNER, Karolin, PRAKASH, Ronit Roneel, CHEN, Jun, MIYAMURA, Yoshiji, HARADA, Hirofumi, Satoshi Nakano, Bin Gao, Koichi Kakimoto. Control of extended defects in cast and seed cast Si ingots for photovoltaic application. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. 12 [8] (2015) 1094-1098
  3. Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Jianyong Li, Shun Ito, Wei Yi, Atsushi Ogura. Investigation of dislocations in Nb-doped SrTiO3 by electron-beam-induced current and transmission electron microscopy. Applied Physics Letters. 106 [10] (2015) 102109 10.1063/1.4915298
  4. Ronit R. Prakash, Karolin Jiptner, Jun Chen, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Takashi Sekiguchi. Grain boundary interactions in multicrystalline silicon grown from small randomly oriented seeds. Applied Physics Express. 8 [3] (2015) 035502 10.7567/apex.8.035502
2014
  1. Y. Miyamura, H. Harada, K. Jiptner, J. Chen, R.R. Prakash, S. Nakano, B. Gao, K. Kakimoto, T. Sekiguchi. Crystal growth of 50cm square mono-like Si by directional solidification and its characterization. Journal of Crystal Growth. 401 (2014) 133-136 10.1016/j.jcrysgro.2014.03.016
  2. Ronit R. Prakash, Takashi Sekiguchi, Karolin Jiptner, Yoshiji Miyamura, Jun Chen, Hirofumi Harada, Koichi Kakimoto. Grain growth of cast-multicrystalline silicon grown from small randomly oriented seed crystal. Journal of Crystal Growth. 401 (2014) 717-719 10.1016/j.jcrysgro.2014.01.067
  3. Bin Chen, Jun Chen, Yuanzhao Yao, Takashi Sekiguchi, Hirofumi Matsuhata, Hajime Okumura. In situ monitoring of stacking fault formation and its carrier lifetime mediation in p-type 4H-SiC. Applied Physics Letters. 105 [4] (2014) 042104 10.1063/1.4891834
  4. Kentaro Watanabe, Takeshi Nokuo, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Local electrical properties of n-AlInAs/i-GaInAs electron channel structures characterized by theprobe-electron-beam-induced current technique. Microscopy. 63 [2] (2014) 161-166 10.1093/jmicro/dft050
  5. Y. Miyamura, T. Sekiguchi, J. Chen, J.Y. Li, K. Watanabe, K. Kumagai, A. Ogura. Focused Ion Beam Imaging of Defects in Multicrystalline Si for Photovoltaic Application. Acta Physica Polonica A. 125 [4] (2014) 991-993 10.12693/aphyspola.125.991 Open Access
  6. Y. Miyamura, J. Chen, R.R. Prakash, K. Jiptner, H. Harada, T. Sekiguchi. Dislocation Generation and Propagation across the Seed in Seed Cast-Si Ingots. Acta Physica Polonica A. 125 [4] (2014) 1024-1026 10.12693/aphyspola.125.1024 Open Access
2013
  1. Jianyong Li, Ronit Roneel Prakash, Karolin Jiptner, Jun Chen, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Koichi Kakimoto, Atsushi Ogura, Takashi Sekiguchi. Butterfly-shaped distribution of SiN precipitates in multi-crystalline Si for solar cells. Journal of Crystal Growth. 377 (2013) 37-42 10.1016/j.jcrysgro.2013.03.051
2011
  1. Keiichi Akutsu, Hideki Kawakami, Mitsushi Suzuno, Takashi Yaguchi, Karolin Jiptner, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Teruhisa Ootsuka, Takashi Suemasu. Minority-carrier diffusion length, minority-carrier lifetime, and photoresponsivity of β-FeSi2 layers grown by molecular-beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 109 [12] (2011) 123502 10.1063/1.3596565 Open Access
  2. Hideki Kawakami, Mitsushi Suzuno, Keiichi Akutsu, Jun Chen, Karolin Jiptner, Takashi Sekiguchi, Takashi Suemasu. Effect of Introducing β-FeSi2Template Layers on Defect Density and Minority Carrier Diffusion Length in Si Region near p-β-FeSi2/n-Si Heterointerface. Japanese Journal of Applied Physics. 50 [4] (2011) 041303 10.1143/jjap.50.041303
  3. Naoki Fukata, Shinya Ishida, Shigeki Yokono, Ryo Takiguchi, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Kouichi Murakami. Segregation Behaviors and Radial Distribution of Dopant Atoms in Silicon Nanowires. Nano Letters. 11 [2] (2011) 651-656 10.1021/nl103773e
2010
  1. Bin Chen, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Takasumi Ohyanagi, Hirofumi Matsuhata, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura. Electrical and Optical Properties of Stacking Faults in 4H-SiC Devices. Journal of Electronic Materials. 39 [6] (2010) 684-687 10.1007/s11664-010-1168-6
  2. Masayuki Fukuzawa, Masayoshi Yamada, Md. Rafiqul Islam, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Quantitative Photoelastic Characterization of Residual Strains in Grains of Multicrystalline Silicon. Journal of Electronic Materials. 39 [6] (2010) 700-703 10.1007/s11664-010-1164-x
2009
  1. Bin Chen, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Mitsuhiro Saito, Koji Kimoto. Structural characterization and iron detection at Σ3 grain boundaries in multicrystalline silicon. Journal of Applied Physics. 105 [11] (2009) 113502 10.1063/1.3129583
  2. CHEN, Bin, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Takasumi Ohyanagi, Hirofumi Matsuhata, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura, Filippo Fabbri. Electrical activities of stacking faults and partial dislocations in 4H-SiC homoepitaxial films. SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES. (2009) 295-300
  3. Woong Lee, Jun Chen, Bin Chen, Jiho Chang, Takashi Sekiguchi. Cathodoluminescence study of dislocation-related luminescence from small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon. Applied Physics Letters. 94 [11] (2009) 112103 10.1063/1.3099001
2008
  1. CHEN, Bin, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Akimasa Kinishita, Hirofumi Matsuhata, Hirotaka Yamaguchi, Ichirou Nagai, Hajime Okumura. Electron-Beam Induced Current Study of Electrical activity of dislocations in 4H-SiC homoepitaxial films. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. (2008) S219-S223
  2. N. Fukata, M. Mitome, Y. Bando, M. Seoka, S. Matsushita, K. Murakami, J. Chen, T. Sekiguchi. Codoping of boron and phosphorus in silicon nanowires synthesized by laser ablation. Applied Physics Letters. 93 [20] (2008) 203106 10.1063/1.3033226
  3. FUKATA, Naoki, Satoshi Matsushita, Naoya Okada, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Noriyuki Uchida, Kouichi Murakami. Impurity doping in silicon nanowires synthesized by laser ablation. APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING. (2008) 589-592
  4. Jun Chen, Bin Chen, Takashi Sekiguchi, Masayuki Fukuzawa, Masayoki Yamada. Correlation between residual strain and electrically active grain boundaries in multicrystalline silicon. Applied Physics Letters. 93 [11] (2008) 112105 10.1063/1.2983649
  5. Bin Chen, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Takasumi Ohyanagi, Hirofumi Matsuhata, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura, Filippo Fabbri. Electron-beam-induced current study of stacking faults and partial dislocations in 4H-SiC Schottky diode . Applied Physics Letters. 93 [3] (2008) 033514 10.1063/1.2960339
  6. J. Chen, X. Yuan, T. Sekiguchi. Advanced semiconductor diagnosis by multidimensional electron-beam-induced current technique. Scanning. 30 [4] (2008) 347-353 10.1002/sca.20116
  7. Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Naoki Fukata, Masami Takase, Toyohiro Chikyo, Kikuo Yamabe, Ryu Hasunuma, Motoyuki Sato, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. Comparison of leakage behaviors in p- and n-type metal-oxide-semiconductor capacitors with hafnium silicon oxynitride gate dielectric by electron-beam-induced current. Applied Physics Letters. 92 [26] (2008) 262103 10.1063/1.2952829
  8. Teruhisa Ootsuka, Takashi Suemasu, Jun Chen, Takashi Sekiguchi, Yoshiaki Hara. Lifetime and diffusion length of photogenerated minority carriers in single-crystalline n-type beta-FeSi2 bulk. Applied Physics Letters. 92 [19] (2008) 192114 10.1063/1.2929744 Open Access
  9. Teruhisa Ootsuka, Takashi Suemasu, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Evaluation of minority-carrier diffusion length in n-type beta-FeSi2 single crystals by electron-beam-induced current. Applied Physics Letters. 92 [4] (2008) 042117 10.1063/1.2835904
2007
  1. Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Carrier Recombination Activity and Structural Properities of Small-Angle Grain Boundaires in Mc-Si. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [10A] (2007) 6489-6497 10.1143/jjap.46.6489
  2. 関口 隆史, 陳 君, 袁 暁利. 電子線誘起電流法(EBIC)を使ったシリコン系機能材料の特性評価. 顕微鏡. 42 [2] (2007) 84-88
  3. Xingbo Liang, Lei Wang, Xiangyang Ma, Dongsheng Li, Peihong Cheng, Deren Yang, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Enhanced red electroluminescence from a polycrystalline diamond film/Si heterojunction structure. Applied Physics Letters. 90 [16] (2007) 161123 10.1063/1.2730584
  4. N. Fukata, J. Chen, T. Sekiguchi, S. Matsushita, T. Oshima, N. Uchida, K. Murakami, T. Tsurui, S. Ito. Phosphorus doping and hydrogen passivation of donors and defects in silicon nanowires synthesized by laser ablation. Applied Physics Letters. 90 [15] (2007) 153117 10.1063/1.2721377 Open Access
2006
  1. J. Chen, T. Sekiguchi, N. Fukata, M. Takase, T. Chikyow, K. Yamabe, R. Hasunuma, Y. Akasaka, S. Inumiya, Y. Nara, K. Yamada. Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by EBIC. Applied Physics Letters. 89 [22] (2006) 222104 10.1063/1.2392988
  2. N. Fukata, J. Chen, T. Sekiguchi, N. Okada, K. Murakami, T. Tsurui, S. Ito. Doping and hydrogen passivation of boron in silicon nanowires synthesized by laser ablation. Applied Physics Letters. 89 [20] (2006) 203109 10.1063/1.2372698 Open Access
  3. 関口 隆史, 陳 君, 伊藤俊. 電子線誘起電流(EBIC)法を用いた多結晶シリコンにおける粒界の電気的活性度評価. まてりあ. 45 [10] (2006) 729-733
2004
  1. J. Chen, T. Sekiguchi, D. Yang, F. Yin, K. Kido, S. Tsurekawa. Electron-beam-induced current study of grain boundaries in multicrystalline silicon. Journal of Applied Physics. 96 [10] (2004) 5490-5495 10.1063/1.1797548
  2. S. Nara, T. Sekiguchi, J. Chen. High quality multicrystalline silicon grown by multi-stage solidification control method. The European Physical Journal Applied Physics. 27 [1-3] (2004) 389-392 10.1051/epjap:2004063
  3. J Chen, T Sekiguchi, S Nara, D Yang. The characterization of high quality multicrystalline silicon by the electron beam induced current method. Journal of Physics: Condensed Matter. 16 [2] (2004) S211-S216 10.1088/0953-8984/16/2/025

書籍 TSV

2016
  1. SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun. Defect Characterization in Silicon by Electron-Beam-Induced Current and Cathodoluminescence Techniques. Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering. , 2016, 343-373.

会議録 TSV

2015
  1. Takashi Sekiguchi, Karolin Jiptner, Ronit R. Prakash, Jun Chen, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Satoshi Nakano, Bin Gao, Koichi Kakimoto. Control of extended defects in cast and seed cast Si ingots for photovoltaic application. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2015) 1094-1098 10.1002/pssc.201400230
  2. Takashi Sekiguchi, Ronit R. Prakash, Karolin Jiptner, Xian Jia Luo, Jun Chen, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada. Statistical consideration of grain growth mechanism of multicrystalline Si by one directional solidification technique. SOLID STATE PHENOMENA. (2015) 35-40 10.4028/www.scientific.net/ssp.242.35
  3. Takashi Sekiguchi, Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Karolin Jiptner, Jun Chen, Ronit R. Prakash, Satoshi Nakano, Bing Gao, Koichi Kakimoto. 50 cm size Seed Cast Si ingot growth and its characterization. SOLID STATE PHENOMENA. (2015) 30-34 10.4028/www.scientific.net/ssp.242.30
2014
  1. CHEN, Jun, PRAKASH, Ronit Roneel, LI, Jian-Yong, JIPTNER, Karolin, MIYAMURA, Yoshiji, HARADA, Hirofumi, Atsushi Ogura, SEKIGUCHI, Takashi. Understanding of inhomogeneous dislocation distribution in multicrystalline silicon. SOLID STATE PHENOMENA. (2014) 77-82
2013
  1. Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Karolin Jiptner, Jun Chen, Ronit R. Prakash, Jian Yong Li, Takashi Sekiguchi, Takuto Kojima, Yoshio Ohshita, Atsushi Ogura, Masayuki Fukuzawa, Satoshi Nakano, Bing Gao, Koichi Kakimoto. 10 cm diameter mono cast Si growth and its characterization. SOLID STATE PHENOMENA. (2013) 89-93 10.4028/www.scientific.net/ssp.205-206.89
  2. CHEN, Jun, PRAKASH, Ronit Roneel, LI, Jian-Yong, JIPTNER, Karolin, MIYAMURA, Yoshiji, HARADA, Hirofumi, SEKIGUCHI, Takashi. An investigation of the impact of crystal orientation on dislocation distribution in multicrystalline silicon. Proceedings of 7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells . (2013) 138-141
2011
  1. Kazuhiro Kumagai, Yuanzhao Yao, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Image instability during the electrical measurement in scanning electron microscope. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2011) 1407-1411 10.1002/pssc.201000003
2010
  1. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, FUKATA, Naoki, TAKASE, Masami, NEMOTO, Yoshihiro, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Motoyuki Sato, Keisaku Yamada, CHIKYOW, Toyohiro. An Electron-Beam-Induced Current Investigation of Electrical Defects in High-k Gate Stacks. ECS Transcations. (2010) 299-313
  2. SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Motoyuki Sato, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Yasuo Nar. Electron-beam-induced current study of breakdown behavior of high-k gate MOSFETs. SOLID STATE PHENOMENA. (2010) 461-466 10.4028/www.scientific.net/156-158.461
  3. CHEN, Jun, CHEN, Bin, LEE, Woong, Masayuki Fukuzawa, Masayoshi Yamada, SEKIGUCHI, Takashi. Grain Boundaries in Multicrystalline Si. SOLID STATE PHENOMENA. (2010) 19-26
  4. SEKIGUCHI, Takashi, LEE, Woong, CHEN, Jun, CHEN, Bin. D-line emission from small angle grain boundaries in multicrystalline Si. Solid state phenomena. (2010) 561-565
2009
  1. FUKATA, Naoki, Masanori Seoka, Naoyuki Saito, SATO, Keisuke, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Kouichi Murakami. Doping and segregation of impurity atoms in silicon nanowires. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. (2009) 5200-5202
  2. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, FUKATA, Naoki, TAKASE, Masami, CHIKYOW, Toyohiro, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Motoyuki Sato, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. Electron Beam Induced Current Investigation of Stress-Induced Leakage and Breakdown Processes in High-k stacks. IEEE IRPS 2009 Proceedings . (2009) 333-338
2008
  1. CHEN, Bin, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Takasumi Oyanagi, Hirofumi Matsuhata, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura, FILIPPOFabbri. EBIC study of dislocations and stacking faults in 4H-SiC homoepitaxial films. Publication name Proc. of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2008) 299-303
  2. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, FUKATA, Naoki, TAKASE, Masami, CHIKYOW, Toyohiro, Kikuo Yamabe, Ryu Hasunuma, Motoyuki Sato, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. CHARACTERIZATION OF LEAKAGE BEHAVIORS OF HIGH-K GATE STACKS BY ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRENT. IEEE IRPS 2008 Proceedings. (2008) 584-588
  3. SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, CHEN, Bin, LEE, Woong. Electrical and optical activities of small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon. Publication name Proc. of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2008) 140-143
  4. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Motoyuki Sato, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. Electron-beam-induced current characterization of high-k dielectrics. Proc. of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2008) 74-77
2007
  1. FUKATA, Naoki, Naoya Okada, Satoshi Matsushita, Takao Tsurui, Shun Ito, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Noriyuki Uchida, Kouichi Murakami. Carrier doping of silicon nanowires synthesized by laser Ablation. Mater. Res. Soc. Symp. Proc.. (2007) 99999
  2. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, ITO Shun, YANG Deren. Carrier recombination activities and structural properties of small-angle boundaries in multicrystalline silicon. Solid State Phenomena. (2007) 9-14
  3. SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, UMEZAWA, Naoto, OHMORI, Kenji, CHIKYOW, Toyohiro, Hasunuma Ryu, Yamabe Kikuo, Inumiya Seiji, Nara Yasuo. Observation of leakage sites in high-k gate dielectrics in MOSFET devices by electron-beam-induced current technique. Solid State Phenomena. (2007) 449-454
  4. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Yang Deren. Electron Beam Induced Current Study of Grain Boundaries in Multicrystalline Si. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2007) 2908-2917
  5. FUKATA, Naoki, S. MAtsushita, T. Tsurui, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, N. Uchida, K. Murakami. Hydrogen passivation of P donors and defects in P-doped silicon nanowires synthesized by laser ablation. PHYSICA B-CONDENSED MATTER. (2007) 523-526
  6. FUKATA, Naoki, Takashi Oshima, Naoya Okada, Satoshi Matsushita, Takao Tsurui, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Kouichi Murakami. Phonon Confinement and Impurity Doping in Silicon Nanowires Synthesized by Laser Ablation. SOLID STATE PHENOMENA. (2007) 553-558
  7. Yuan, Xiaoli, CHEN, Jun, Ri Sungi , Ito Shun, SEKIGUCHI, Takashi. Visibility of misfit dislocations at the interface of strained Si/Si0.8Ge0.2 by EBIC. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2007) 3030-3036
  8. FUKATA, Naoki, S. Matsudhits, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, K. Murakami. Impurity doping in silicon nanowires. The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2007. (2007) 299-303
2004
  1. 謝栄国, SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, 楊徳仁, 伊藤俊. Comparison of Grain Boundaries in Multicrystalline Si Ingot and Artificial Grain Boundaries in Bonded Si Wafers. Proc. of the 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2004) 424-428

口頭発表 TSV

2022
  1. CHEN, Jun, Hiroyuki Sazawa, Wei YI, Takashi SEKIGUCHI. Cathodoluminescence study of 3C-SiC layer grown on 4H-SiC substrate . DRIP XIX (19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors). 2022
  2. 長谷川 浩太, 清水 荘雄, 陳 君, 大澤 健男, 坂口 勲, 大橋 直樹. Nb:SrTiO3基板上のエピタキシャル(Al,Sc)N薄膜における強誘電体特性. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
2021
  1. 森田 雅也, 石橋啓次, 高橋健一郎, 上田 茂典, 陳 君, 知京 豊裕, 小椋厚志, 長田 貴弘. Si (100)上無極性AlN成長時のN₂スパッタリングガス供給量の条件検討. 電子デバイス界面テクノロジー研究会-材料・プロセス・デバイス特性の物理-(第26回研究会). 2021
2020
  1. 大久保 忠勝, クマール アシュトッシュ, 埋橋 淳, イ ウェイ, 陳 君, 関口 隆史, 田中 亮, 高島 信也, 江戸 雅晴, 宝野 和博. STEM/3DAP/CL によるMg イオン注入GaN のナノ解析. 応用物理学会秋季学術講演会https://confit.atlas.jp/guide/event/jsap2020a/top. 2020 招待講演
2019
  1. KIMURA, Takashi, YI, Wei, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi. Cathodoluminescence characterization of GaN-based materials: From wafer-scale mapping to nano-scale 3D analysis. 8th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA19). 2019
  2. YI, Wei, SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun. Cathodoluminescence spectral mapping analysis of InGaN/GaN core-shell nanowires . 8th International Symposium on Practical Surface Analysis (PSA19). 2019
  3. NAGATA, Takahiro, Tomohiro Yamaguchi, UEDA, Shigenori, CHEN, Jun, Takuya Kobayashi, YI, Wei, Hirokazu Yokoo, CHIKYO, Toyohiro, YAMASHITA, Yoshiyuki. Photoelectron Spectroscopic Study on Electronic State of Corundum In2O3 Epitaxial Thin Film Grown by Mist-CVD. 32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2019
  4. CHEN, Jun, YI, Wei, KIMURA, Takashi, SEKIGUCHI, Takashi, Ryo TANAKA, Shinya TAKASHIMA, Masaharu EDO. Electron-beam-induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes . DRIP XVIII. 2019
  5. YI, Wei, CHEN, Jun, KUMAR, Ashutosh, UZUHASHI, Jun, KIMURA, Takashi, OHKUBO, Tadakatsu, SEKIGUCHI, Takashi, HONO, Kazuhiro, Shinya TAKASHIMA, Masaharu EDO. Cathodoluminescence and Atom Probe Study of Mg Implanted GaN Homoepitaxial Layer: An Evidence of Mg Pipe Diffusion along Dislocations . DRIP XVIII. 2019
  6. YI, Wei, UZUHASHI, Jun, CHEN, Jun, KIMURA, Takashi, OHKUBO, Tadakatsu, SEKIGUCHI, Takashi, HONO, Kazuhiro, 上山智, 竹内哲也. Cathodoluminescence and Scanning Transmission Electron Microscopy study of InGaN/GaN Quantum Wells in Core-shell GaN Nanowires. DRIP XVIII. 2019
  7. CHEN, Jun, YI, Wei, Seiji HIGUCHI, SEKIGUCHI, Takashi. Analysis of Macro Defects in GaN Substrate Wafer based on Imaging Cathodoluminescence Technique . DRIP XVIII. 2019
2018
  1. CHEN, Jun, YI, Wei, CHO, Yujin, KIMURA, Takashi, SEKIGUCHI, Takashi, UZUHASHI, Jun, HONO, Kazuhiro, OHKUBO, Tadakatsu, Shinya Takashima, Masaharu Edo. Atom Probe and Cathodoluminescence study of Mg implanted layers in GaN. The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018). 2018
  2. YI, Wei, CHEN, Jun, KIMURA, Takashi, UZUHASHI, Jun, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, OHKUBO, Tadakatsu, HONO, Kazuhiro, SEKIGUCHI, Takashi. Cathodoluminescence Characterization of Core-shell GaN Nanowires. The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018). 2018
  3. CHEN, Jun, YI, Wei, KIMURA, Takashi, NABATAME, Toshihide, SEKIGUCHI, Takashi. Wafer-Scale Analysis of GaN by Imaging CL Technique. The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018). 2018
  4. 陳 君. Application and prospect of electron-beam-induced current technique: from defect characterization to device diagnosis. 19th International Microscopy Congress. 2018 招待講演
  5. イ ウェイ, 陳 君, 伊藤俊, 湯 代明, ジョ ユージン, 大島 祐一, 関口 隆史. Cathodoluminescence study of stacking faults and dislocations in bulk GaN. 19th International Microscopy Congress. 2018
  6. 陳 君, イ ウェイ, 王朋, 伊藤俊, 関口 隆史. Investigation of the electrical and optical properties of dislocations in SrTiO3 by EBIC/CL. The 14th BIAMS Conference. 2018
  7. 陳 君, 関口 隆史. APPLICATIONS OF EBIC IN SEMICONDUCTOR RESEARCH. MPM3. 2018 招待講演
  8. 陳 君, イ ウェイ, 関口 隆史, 藤原 航三. INVESTIGATION OF SILICON DENDRITES BY ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRENT. CSSC10. 2018
  9. イ ウェイ, 陳 君, 関口 隆史, 伊藤俊. カソードルミネッセンスによるm面GaNの積層欠陥に関する評価. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  10. 陳 君, イ ウェイ, 関口 隆史, 生田目 俊秀, 江戸雅晴. 電子線誘起電流法によるGaN Schottky領域の転位と電流リーク箇所の観察. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
2017
  1. 陳 君, イ ウェイ, ジョ ユージン, 生田目 俊秀, 関口 隆史, 知京 豊裕. EBIC法によってGaN MISデバイス界面の観察. The 17th conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics . 2017
  2. SEKIGUCHI, Takashi, PRAKASH, Ronit Roneel, LUO, Xianjia, JIPTNERKarolin, CHEN, Jun. Statistical consideration on the grain boundary evolution in multicrystalline Si. GADEST2017. 2017
  3. 陳 君, 伊藤俊, 関口 隆史, 知京 豊裕. EBIC/CL Study of SrTiO3. Collaborative Conference on Materials Research (CCMR) 2017. 2017 招待講演
  4. 陳 君, 伊藤俊, 関口 隆史, 知京 豊裕. カソードルミネッセンス法によるSrTiO3の酸素欠損評価. 第64回応用物理学会春季学術講演会 . 2017
  5. 陳 君, 李建永, 伊藤俊, 関口 隆史, 知京 豊裕. CL/EBIC/TEM Study of Nb-doped SrTiO3 Single Crystal. MANA International Symposium 2017. 2017
2016
  1. 陳 君, 伊藤俊, 李建永, 羅 顕佳, 関口 隆史. EBIC Investigation of Dislocation Loops in SrTiO3. The 13th International Conference BIAMS . 2016
  2. 羅 顕佳, 陳 君, 関口 隆史. Investigation of Σ3 Generation on Random Grain Boundary in Multicrystalline Silicon. The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016. 2016
  3. 陳 君, 李建永, 伊藤俊, 羅 顕佳, 関口 隆史. SrTiO3 抵抗スイッチング挙動とNbドーピングの関係. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
2015
  1. 陳 君, 関口 隆史. The transition of resistance switching mode in SrTiO3 by Nb doping. 25th Annual Meeting of MRS-J (2015). 2015
  2. 陳 君, 関口 隆史, 李建永, 伊藤俊. Investigation of dislocations in different Nb-doped (100) SrTiO3 single crystals and their impacts on resistive switching . The 16th DRIP conference. 2015
  3. 羅 顕佳, プラカッシュ ロニト ロニル, 陳 君, イプトナー カロリン, 関口 隆史. Investigation of Σ3 Generation on Radom Grain Boundary in Multicrystalline Silicon. The 16th DRIP conference. 2015
  4. 宮村 佳児, 関口 隆史, 原田 博文, イプトナー カロリン, 陳 君, プラカッシュ ロニト ロニル, 中野 智, 柿本浩一. Single Seed Cast Si growth of 50 cm square ingots. 8th Int. Workshop on Crystak Silicon for Solar Cells . 2015
  5. プラカッシュ ロニト ロニル, イプトナー カロリン, 陳 君, 宮村 佳児, 原田 博文, 関口 隆史. Grain Boundary Evolution in Multicrystalline Silicon Grown from Microcrystalline Silicon Template. 8th Int. Workshop on Crystak Silicon for Solar Cells . 2015
  6. 陳 君, 李建永, 伊藤俊, 関口 隆史. SrTiO3電気抵抗スイッチングに関する転位の影響. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  7. プラカッシュ ロニト ロニル, イプトナー カロリン, 宮村 佳児, 陳 君, 原田 博文, 関口 隆史. Impact of Grain Boundary Interactions on Grain Structure of Multicrystalline Silicon. The 62nd JSAP Spring Meeting. 2015
2014
  1. プラカッシュ ロニト ロニル, イプトナー カロリン, 宮村 佳児, 陳 君, 原田 博文, 関口 隆史. Impact of Growth Rate on Multicrystalline Silicon Grown from Small Randomly Oriented Seeds. The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion. 2014
  2. PRAKASH, Ronit Roneel, JIPTNERKarolin, CHEN, Jun, 宮村佳児, 原田博文, SEKIGUCHI, Takashi. Extended Defects in multicrystalline silicon grown by directional solidification using polycrystalline template. The 7th forum on the Science and Technology of Silicon Materials. 2014
  3. 陳 君, 李建永, イ ウェイ, 小椋厚志, 関口 隆史. 電子線誘起電流法によるSrTiO3結晶中の転位の電気特性評価. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. プラカッシュ ロニト ロニル, 宮村 佳児, 陳 君, イプトナー カロリン, 原田 博文, 関口 隆史. Grain Boundary Electrical Activity and Growth in Multicrystalline Silicon. The 75th JSAP Autumn Meeting 2014. 2014
  5. 陳 君, 福澤理行, 高 鴻, 楊徳仁, 関口 隆史. Characterization of Strain in Multicrystalline Silicon: Correlation between Grain Boundary Character and Strain. The 12th BIAMS Conference. 2014
  6. 陳 君, 李 建永, 関口 隆史. Electron-beam-induced current study of dislocation related defects in (111) SrTiO3 single crystals. The 12th BIAMS Conference. 2014
  7. 陳 君, 福澤理行, プラカッシュ ロニト ロニル, 李 建永, イプトナー カロリン, 宮村 佳児, 原田 博文, 関口 隆史. 多結晶シリコン中粒界性格と歪みの関係. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  8. 宮村 佳児, 原田 博文, 陳 君, 関口 隆史, 中野 智, 柿本浩一. 50cm 角mono cast Si 結晶成長 (Ⅱ). 第61 回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  9. プラカッシュ ロニト ロニル, 宮村 佳児, 陳 君, イプトナー カロリン, 李 建永, 原田 博文, 関口 隆史. Grain Evolution in Multicrystalline Silicon Grown from Small Randomly Oriented Seeds. 61st JSAP Spring Meeting 2014. 2014
2013
  1. CHEN, Jun. An investigation of the impact of crystal orientation on dislocation distribution in multicrystalline silicon. 7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells. 2013
  2. プラカッシュ ロニト ロニル, 関口 隆史, イプトナー カロリン, 宮村 佳児, 陳 君, 陳君, 李 建永, 原田 博文. Directional Growth of Multicrystalline Silicon from Crucible and Microcrystal Template. 7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells. 2013
  3. CHEN, Jun. Understanding of inhomogeneous dislocation distribution in multicrystalline silicon. Gettering & Defect Engineering in Semiconductor Technology 2013. 2013
  4. プラカッシュ ロニト ロニル, 宮村 佳児, 陳 君, イプトナー カロリン, 李 建永, 原田 博文, 関口 隆史. Directional Growth of Multicrystalline Silicon from Microcrystal Feedstock. JSAP Autumn Meeting 2013. 2013
  5. 宮村 佳児, 陳 君, プラカッシュ ロニト ロニル, イプトナー カロリン, 原田 博文, 関口 隆史. Dislocation generation and propagation across the grain boundaries and seed interfaces in cast Si. Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. 2013
  6. SEKIGUCHI, Takashi, LI, Jian-Yong, CHEN, Jun, WATANABE, Kentaro, KUMAGAI, Kazuhiro, Atsushi Oguira. Focused Ion Beam Imaging of Defects in Si Materials for Photovoltaic and Semiconductor Use. Defects Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors. 2013
  7. 宮村 佳児, 原田 博文, イプトナー カロリン, 陳 君, プラカッシュ ロニト ロニル, 中野智, 関口 隆史, 高びん, 柿本浩一. Crystal growth of 50 cm square single crystal Si by directional solidification and its characterization . 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy - IC. 2013
  8. PRAKASH, Ronit Roneel, SEKIGUCHI, Takashi, 宮村佳児, JIPTNERKarolin, CHEN, Jun, Kakimoto Koichi, 原田博文. Modelling of Unidirectional Solidification of Multicrystalline Si. 17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy . 2013
  9. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 陳 君, ギュエン ナム, NGUYENNam, 関口 隆史, 山下 良之, 柳生 進二郎, 吉武 道子. New materials discovery and their application for future nano electronics. INC9. 2013
  10. プラカッシュ ロニト ロニル, 宮村 佳児, 陳 君, イプトナー カロリン, 李 建永, 原田 博文, 関口 隆史. Grain Growth Behavior of Directionally Grown Multicrystalline Silicon. 60th JSAP Spring Meeting 2013. 2013
  11. 陳 君, プラカッシュ ロニト ロニル, 李 建永, イプトナー カロリン, 宮村 佳児, 原田 博文, 関口 隆史. 多結晶シリコン中転位分布の不均一性の解析. 第60回応用物理学会春季学術講演会 . 2013
  12. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 山下 良之, 関口 隆史, 陳 君, Yongxun Lui, 昌原明植. ナノスケール機能性酸化物の多様性と次世代デバイスへの期待. 第60回応用物理学会春季学術講演会. 2013 招待講演
  13. ソム クマラグルバラン, 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 柳生 進二郎, 陳 君, 関口 隆史. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION FOR THE GATE STACK IN ADVANCED CMOS DEVICES. Second international workshop on advanced functional nanomateria. 2013 招待講演
2012
  1. 知京 豊裕, 大井 暁彦, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史, 大毛利 健治. COMBINATORIAL MATERIALS EXPLORATION ON HIGH-K GATE OXIDE AND METAL GATE FOR FUTURE CMOS DEVICES. ISAEM-2012 -AMDI-3. 2012 招待講演
  2. 陳 君, 李 建永, 関口 隆史. Investigation of resistance switching mechanism in Pt/SrTiO3 Schottky junction by an electron-beam-induced current technique. ICEAN-2012. 2012 招待講演
  3. 宮村 佳児, 原田 博文, イプトナー カロリン, 陳 君, 李 建永, プラカッシュ ロニト ロニル, 関口 隆史, 小島拓人, 大下祥雄, 小椋厚志, 福澤理行, 中野智, 高冰, 柿本浩一. 10 cm diameter mono cast Si growth and its characterization. CSSC6. 2012
  4. 宮村 佳児, 陳 君, 陳 斌, 原田 博文, 伊藤俊, 関口 隆史. Characterization of grain boundaries in multicrystalline Si ingots. CSSC6. 2012
  5. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 佐藤基之, 高瀬 雅美, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 山田啓作, 知京 豊裕. Observation of Leakage Sites in High-k Gate Stack by Using an Electron-Beam-Induced Current Technique . IUMRS- ICEM2012. 2012
  6. プラカッシュ ロニト ロニル, 宮村 佳児, 陳 君, イプトナー カロリン, 李 建永, 原田 博文, 関口 隆史. Impurity Decoration on Extended Defects in Multicrystalline Silicon. 73rd JSAP Autumn Meeting 2012. 2012
  7. 宮村 佳児, 原田 博文, イプトナー カロリン, 陳 君, プラカッシュ ロニト ロニル, 関口 隆史, 小島拓人, 大下祥雄, 小椋厚志, 福澤理行, 中野智, 高冰, 柿本浩一. 10cm径mono cast Si結晶成長. 応用物理学会. 2012
  8. 関口 隆史, 宮村 佳児, 陳 君, イプトナー カロリン, プラカッシュ ロニト ロニル, 李 建永, 小椋厚志, 原田 博文. Characterization of mono-like Si ingots for PV application by using EBIC, XRT, IR. Beam Injection Assessment on Microstructures in Semiconductors. 2012 招待講演
  9. 渡辺 健太郎, 野久尾 毅, 陳 君, 関口 隆史. プローブEBIC 法による異種基板上AlInAs/GaInAs界面電子チャネル構造の欠陥評価 チャネル構造の欠陥評価. 日本顕微鏡学会 第68回学術講演会. 2012
  10. ギュエン ナム, 陳 君, Marcus Wilde, 知京 豊裕. Formation and Characterizatio of SiAlON for Hydrogen Storage Layer in MONOS Charge-Trapping Novolatile Memory Device. The 8th International Nanotechnology Conference on Communication. 2012
  11. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 佐藤基之, 高瀬 雅美, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 山田啓作, 知京 豊裕. Investigation of local leakage sites in high-k/metal gate stacks by an electron-beam-induced current technique. The 8th International Nanotechnology Conference. 2012
  12. 陳 君, プラカッシュ ロニト ロニル, イプトナー カロリン, 李 建永, 原田 博文, 関口 隆史. 多結晶シリコン中の粒界と転位の相互作用. 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会. 2012
2011
  1. イプトナー カロリン, Kawakami Hideki, 陳 君, Suemasu Takashi, 関口 隆史. SEM, EBSD and EBIC characterizations of epitaxial β-FeSi2 thin films on Si substrate. 2011 Tsukuba Nanotechnology Symposium. 2011
  2. イプトナー カロリン, Kawakami Hideki, 陳 君, Takashi Suemasu, 関口 隆史. Characterization of epitaxial b-FeSi2 thin films on Si substrate by SEM, EBIC and EBSD imaging. PVSEC-21. 2011
  3. 陳 君, 関口 隆史. An Investigation of Grain Boundaries in Multicrystalline Silicon . 1st Low Carbon Earth Summit (LCES-2011) . 2011 招待講演
  4. CHEN, Jun. Electrical/optical activities of grain boundaries in multicrystalline Si . 14th DRIP conference. 2011 招待講演
  5. 滝口亮, 鈴木慶太郎, 深田 直樹, 菱田 俊一, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. 低温オゾン酸化によるSiNWs中のB偏析抑制効果. 秋季第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  6. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 生田目 俊秀, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史. combinatorial materials research and screening for future nano electronics. the 6th CSIRO Advanced Materials Conference & Workshops . 2011 招待講演
  7. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 佐藤基之, 高瀬 雅美, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 山田啓作, 知京 豊裕. Characterization of High-k Gate Stacks by EBIC Technique. International Nanotechnology Conference on Communication and Coo. 2011
2010
  1. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, ギュエン ナム, 吉武 道子, 陳 君, 関口 隆史. Combinatorial materials design and its application for nano device in future. International Workshop on Materials Discovery by Scale-Bridging . 2010 招待講演
  2. 李 建永, 陳 君, 大橋 直樹, 大串 秀世, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇. Characterization of Pt/SrTiO3:Nb junctions by electron beam induced current. 3rd International Congress on Ceramics. 2010
  3. 関口 隆史, 陳 君, 陳 斌, 李 雄, 小野寺 尚志. EBIC/カソードルミネッセンスによる太陽電池用多結晶Si中の粒界とFe不純物の研究. Si forum:シリコン材料の科学と技術フォーラム2010. 2010 招待講演
  4. 大橋 直樹, 大串 秀世, 李 建永, 陳 君, 上田 茂典, 吉川 英樹, 山下 良之, 小林 啓介, 関口 隆史, 羽田 肇. Resistance switching at Pt/SrTiO3:Nb interface. MS&T Materials Science & Technology Conference & Exhibition 2010. 2010
  5. 関口 隆史, 陳 君, 知京 豊裕. Characterization of high-k dielectric films for MOSFET using Electron Beam Induced Current. IUMRS-ICA 2010. 2010 招待講演
  6. 李 建永, 大橋 直樹, 陳 君, 大串 秀世, 関口 隆史, 羽田 肇. 電子ビーム誘起電流によるPt/SrTi1-xNbxO3接合の抵抗スイッチング特性評価. 応用物理学会講演会2010年(平成22年)秋季講演会. 2010
  7. 石田慎哉, 横野茂輝, 滝口亮, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. シリコンナノワイヤ中への水素導入効果. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  8. 横野茂輝, 石田慎哉, 滝口亮, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. SiナノワイヤへのO2+イオン注入効果. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  9. 関口 隆史, 陳 君, 小野寺 尚志, プラカッシュ ロニト ロニル. EBIC/CL classification of small angle grain boundaries in multicrystalline Si. E-MRS fall meeting. 2010
  10. 滝口亮, 石田慎哉, 横野茂輝, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. Siナノワイヤ中のBアクセプタ濃度分布の定量評価. 2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会. 2010
  11. PRAKASH, Ronit Roneel, 小野寺尚志, CHEN, Jun, 陳斌, SEKIGUCHI, Takashi. Impurity decoration on extended defects in multicrystalline Silicon. Joint Symposium on Electronic Materials 2010. 2010
  12. イプトナー カロリン, 英輝川上, 陳 君, 末益, 関口 隆史. EBIC analysis of β-FeSi2/Si heterostructures for photovoltaic application. JSEM. 2010
  13. 李 建永, 陳 君, 大串 秀世, 坂口 勲, 関口 隆史, 羽田 肇, 大橋 直樹. Characterization of Pt/SrTiO3:Nb junction showing resistance switching behavior. 7th Asian Meeting on Electroceramics (AMEC-7). 2010
  14. 大橋 直樹, 安達 裕, 坂口 勲, 李 宝娥, 李 建永, ウィリアムズ ジェシー ロバート, 松本 研司, 大垣 武, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 大串 秀世, 陳 君, 関口 隆史, 羽田 肇. Charge compensation in oxide semiconductors. International Symposium on Compound Semiconductor Week 2010. 2010 招待講演
  15. 知京 豊裕, 長田 貴弘, 陳 君, 関口 隆史, 吉武 道子, 生田目 俊秀. Strategy for new materials discovery for future nano electronics. International Nanotechnology Conference 6 (INC6). 2010
  16. CHEN, Jun. An Electron-Beam-Induced Current Investigation of Electrical Defects in High-k Gate Stacks. 217 th ECS Meeting. 2010 招待講演
  17. 知京 豊裕, 生田目 俊秀, 長田 貴弘, 梅澤 直人, 吉武 道子, 関口 隆史, 陳 君. Landscape of Materials Design for Future Nano Electronics and High-throughput Materials Exploration. 1st Singapore-Japan Workshop on Advances in nanomaterials. 2010 招待講演
  18. 関口 隆史, 陳 君. 太陽電池用多結晶Siにおける結晶粒界の電気的・光学的作用. 日本金属学会 2010年春期大会. 2010 招待講演
  19. 横野茂輝, 齋藤直之, 石田 慎哉, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. SiナノワイヤへのO2+イオン注入効果. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  20. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 高瀬 雅美, 根本 善弘, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 山田啓作, 知京 豊裕. EBICとTEMによる絶縁膜破壊したHigh-kゲートスタック構造の観察. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  21. 石田 慎哉, 齋藤直之, 横野茂輝, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. SiナノワイヤへのPイオン注入. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  22. 関口 隆史, 陳 君, 福澤理行. 太陽電池用多結晶シリコンにおける粒界の電気的・光学的・機械的特性. 2010年春期 第57回 応用物理学会. 2010 招待講演
  23. 深田 直樹, 齋藤直之, 石田 慎哉, 横野茂輝, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. イオン注入によるSiナノワイヤへの不純物ドーピング. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  24. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 高瀬 雅美, 根本 善弘, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 山田啓作, 知京 豊裕. EBICとTEMによってHigh-kゲートスタック構造のリーク電流欠陥の研究. 第10回High-kネット報告会. 2010
  25. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 高瀬 雅美, 根本 善弘, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 山田啓作, 知京 豊裕. EBIC and TEM Investigations of Current Leakage Sites in High-k Gate Stacks. MANA International Symposium 2010. 2010
  26. 大橋 直樹, 李 建永, 陳 君, 安達 裕, 坂口 勲, 李 宝娥, 甄 玉花, 上田 茂典, 吉川 英樹, 小林 啓介, 大串 秀世, 関口 隆史, 羽田 肇. Oxide semiconductors for optoelectronics. MANA International Symposium 2010. 2010 招待講演
2009
  1. 深田 直樹, 齋藤直之, 佐藤 慶介, 陳 君, 関口 隆史, 三留 正則, 板東 義雄, 村上浩一. シリコンおよびゲルマニウムナノワイヤへの不純物ドーピング. The 3rd International Conference on One-dimensional Nanomaterial. 2009
  2. 深田 直樹, 齋藤直之, 石田慎哉, 横野茂輝, 佐藤 慶介, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. 成長時およびイオン注入によるシリコンナノワイヤへの不純物ドーピング. 2009 MRS Fall Meeting. 2009
  3. 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 村上浩一. レーザーアブレーションにより生成されたシリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物偏析挙動. The 10th International Conference on Laser Ablation. 2009
  4. 関口 隆史, 陳 君. 電子線誘起電流(EBIC)法による半導体材料・素子の評価. 第29回 LSIテスティングシンポジウム. 2009 招待講演
  5. CHEN, Jun. Grain Boundaries in Multicrystalline Si. GADEST2009 . 2009 招待講演
  6. 陳斌, SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, Akimasa Kinoshita, Takasumi Ohyanagi, Hirofumi Matsuhata, Hajime Okumura. Electrical and Optical Properties of Stacking Faults in 4H-SiC Devices. DRIP XIII. 2009
  7. 石田 慎哉, 齋藤直之, 横野茂輝, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. P イオン注入後のSi ナノワイヤの結晶性回復とP の電気的活性化. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  8. 齋藤直之, 石田 慎哉, 横野茂輝, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. 短時間アニールを利用したBイオン注入Siナノワイヤの結晶性回復とBの電気的活性化. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  9. 深田 直樹, 齋藤直之, 石田 慎哉, 横野茂輝, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. イオン注入によるSiナノワイヤへの不純物ドーピングと電気的活性化. 2009年秋季 第70回 応用物理学会 学術講演会. 2009
  10. 深田 直樹, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. Siナノワイヤ中への不純物ドーピングと不純物の偏析挙動. ICDS25. 2009
  11. 関口 隆史, 陳 君, 陳 斌, 李 雄, 福澤理行, 山田正良. Electrical, Optical and Mechanical Properties . 3rd Int. Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells. 2009
  12. CHEN, Jun. Electron Beam Induced Current Investigation of Stress-Induced Leakage and Breakdown Processes in High-k stacks. 2009 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM. 2009
  13. 関口 隆史, 陳 君, 陳 斌, 李 雄. 多結晶Si 中の小角粒界の電気的・光学的作用. 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
  14. 陳 斌, 陳 君, 関口 隆史, Takasumi Ohyanagi, Hirofumi Matsuhata, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura. Electrical property of stacking faults in 4H-SiC. Annual Meeting - JSAP The 56th Spring Meeting. 2009
  15. 関口 隆史, 陳 君, 福澤理行, 山田正良. 多結晶Siにおける欠陥と残留歪の関係. 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
  16. 陳 君, 関口 隆史, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 奈良安雄, 山田啓作. EBICによるHigh-k/metal gate構造内の電気ストレス誘起欠陥発生のその場観察. 2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会 . 2009
  17. 齋藤直之, 瀬岡雅典, 石田慎哉, 横野茂輝, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. Siナノワイヤへイオン注入したBの電気的活性化. 春季第56回応用物理学会学術講演会. 2009
  18. 深田 直樹, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. Siナノワイヤ中にドープしたPおよびBの熱酸化過程での偏析挙動. 春季第56回応用物理学会学術講演会. 2009
  19. 石田慎哉, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 横野茂輝, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. イオン注入によるSiナノワイヤへのPドーピングと電気的活性化. 春季第56回応用物理学会学術講演会. 2009
  20. 横野茂輝, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 石田慎哉, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. O2+およびAr+イオン注入後のSiナノワイヤ内部の結晶性回復過程. 春季第56回応用物理学会学術講演会. 2009
2008
  1. 深田 直樹, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. レーザーアブレーションで作製したSiナノワイヤへのPドナーおよびBアクセプタドーピング. 2008MRS FASLL MEETING. 2008
  2. 関口 隆史, ディエール バンジャマン, 王 金斌, 陳 斌, 陳 君. Cathodoluminescence and EBIC characterization of smart semiconductor materials. Chinese Materials Research Society (C- MRS) . 2008 招待講演
  3. 陳 君, 関口 隆史, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 奈良安雄. Electron-beam-induced current characterization of high-k dielectrics. The 5th International Symposium on Advanced Science and Technolo. 2008
  4. 陳 君, 関口 隆史, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 奈良安雄, 山田啓作. Understanding of carrier transport in MOS device with high-k gate dielectric: an electron-beam-induced current study of leakage sites . 2008 International Workshop on Dielectric Thin Films (IWDTF-08). 2008
  5. 深田 直樹, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. シリコンナノワイヤ中のBアクセプタおよびPドナー. 21st International Microprocesses and Nanotechnology Conference. 2008
  6. 関口 隆史, 陳 君, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕. Imaging of Leakage Sites in High-k Gate Electrode by using Electron-beam-induced Current Technique. International Conference onSolid State Devices and Materials. 2008 招待講演
  7. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 高瀬 雅美, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 佐藤基之, 奈良安雄, 山田啓作. Trap-Related Carrier Transports in p-FET with Poly-Si/HfSiON Gate Stack . The 2008 International Conference on Solid State Devices and Mat. 2008
  8. 深田 直樹, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと欠陥評価. 第18回 格子欠陥フォーラム. 2008 招待講演
  9. 齋藤直之, 瀬岡雅典, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 菱田 俊一, 村上浩一. イオン注入によるSiナノワイヤへの不純物ドーピングと電気的活性化. 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  10. 深田 直樹, 瀬岡雅典, 齋藤直之, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. BおよびP を同時ドープしたSiナノワイヤでのキャリア補償効果. 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  11. 瀬岡雅典, 深田 直樹, 齋藤直之, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. 熱酸化過程でのSiナノワイヤ中のPおよびBの偏析挙動. 2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  12. 陳 斌, 陳 君, 関口 隆史. Correlation of electrical activity and structure of sigma 3 boundary in multicrystalline Si. 11th Joint Symposium of Electronic Materials (JSEM2008). 2008
  13. 関口 隆史, 陳 君, 陳 斌. EBIC study of electrical activity of grain boundaries in multicrystalline Si - Impact of GB character and Fe contamination. E-MRS 2008 Spring Meeting. 2008 招待講演
  14. 陳 君, 陳 斌, 関口 隆史, 福澤理行, 山田正良. Understanding of the Origin of Strong Recombination Activities at Small-Angle Grain Boundaries in Multicrystalline Si. The 4-th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technolo. 2008
  15. 陳 斌, 陳 君, 関口 隆史, 伊藤俊. Effect of boundary plane on the recombination activity of Σ3 boundaries in multicrystalline silicon. 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology. 2008
  16. CHEN, Jun. CHARACTERIZATION OF LEAKAGE BEHAVIORS OF HIGH-K GATE STACKS BY ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRENT. 2008 International Reliability Physics Symposium. 2008
  17. 陳 君, 関口 隆史, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 左藤基之, 奈良安雄, 山田啓作. Comparison of Leakage Behaviors in pMOS and nMOS with Poly-Si/HfSiON Gate Stacks by EBIC Technique. 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会 . 2008
  18. 瀬岡雅典, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 鶴井隆雄, 村上浩一. Siナノ細線へのPおよびBのコドーピングと酸素アニールによるP原子・B原子の偏析挙動. 春季第55回応用物理学会学術講演会. 2008
  19. 深田 直樹, 松下聡, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. PドープSiナノワイヤ中の欠陥の水素・酸素による不活性化とドナー濃度制御. 春季第55回応用物理学会学術講演会. 2008
  20. 深田 直樹, 松下聡, 瀬岡雅典, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. Siナノワイヤ中に単独ドープしたPおよびBの熱酸化過程での偏析挙動. 春季第55回応用物理学会学術講演会. 2008
  21. 関口 隆史, 陳 君, 陳 斌. 電子線誘起電流(EBIC)法によるSi系材料の欠陥物性評価/粒界の電気的特性を中心として. 2008年春季第55回応用物理学関係連合講演会. 2008 招待講演
2007
  1. 深田 直樹, 松下聡, 岡田直也, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. レーザーアブレーション法で生成されたシリコンナノワイヤ中への不純物ドーピング. 第7回界面ナノアーキテクトニクスワークショップ. 2007
  2. 関口 隆史, 陳 君, 陳 斌. Electron-beam-induced current study of grain boundaries and their impurity decoration in multicrystalline Si. 2nd-International Workshop on Science and Technology of Crystall. 2007 招待講演
  3. CHEN, Jun. Carrier recombination activities and structural properties of small-angle boundaries in multicrystalline silicon. GADEST 2007. 2007
  4. 瀬岡雅典, 深田 直樹, 松下聡, 陳 君, 関口 隆史, 鶴井隆雄, 村上浩一. Si ナノ細線へのP およびB のコドーピング. 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  5. 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一, 池本夕佳, 森脇太郎. SPring-8 BL43IRビームラインを利用したSiナノ細線の赤外吸収分光. 2007年秋季第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  6. 深田 直樹, 松下聡, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一, 鶴井隆雄. レーザーアブレーションにより生成されたPドープシリコンナノワイヤ中のPドナーおよび欠陥の水素パッシベーション. 24th International Conference on Defects in Semiconductors. 2007
  7. 深田 直樹, 大島崇, 岡田直也, 松下聡, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. Siナノ細線への熱酸化応力誘起とフォノン閉じ込め効果. 第127回結晶工学分科会研究会「IV族系半導体のひずみエンジニアリン. 2007 招待講演
  8. 瀬岡雅典, 松下聡, 深田 直樹, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. SiナノワイヤへのPドーピングと熱酸化によるPの偏析挙動. ナノ学会第5回大会. 2007
  9. 陳 君, 関口 隆史, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 梅澤 直人, 大毛利 健治, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 犬宮誠治, 奈良安雄. Evolution of leakage sites in high-k dielectrics revealed by electron-beam-induced current (EBIC) technique. 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  10. 岡田直也, 瀬岡雅典, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 鶴井隆雄, 内田紀行, 村上浩一. BドープSiナノ細線の水素パッシベーションによる効果. 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  11. 松下聡, 深田 直樹, 瀬岡雅典, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. 熱酸化によるPドープSiナノワイヤ中のP原子の偏析挙動. 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  12. 深田 直樹, 岡田直也, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線へのBドーピング. 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  13. 関口 隆史, 陳 君, 伊藤俊. 電子線誘起電流(EBIC)法を用いた多結晶Si中の粒界の電気的活性度評価. 2007年春季第54回応用物理学関係連合講演会. 2007 招待講演
  14. 深田 直樹, 大島崇, 岡田直也, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線への不純物ドーピング. 筑波大学ナノサイエンス特別プロジェクト成果発表会. 2007 招待講演
  15. 深田 直樹, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. レーザーアブレーション法により生成したSiナノワイヤーへの不純物ドーピングと評価. High-Kネット研究会. 2007 招待講演
2006
  1. 深田 直樹, 岡田直也, 松下聡, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 伊藤俊, 内田紀行, 村上浩一. レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線中へのキャリアドーピング. 2006 MRS FALL Meeting. 2006
  2. 深田 直樹, 岡田直也, 松下聡, 鶴井隆雄, 伊藤俊, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. レーザーアブレーションにより生成されたシリコンナノワイヤへのキャリアドーピング. 2006 MRS FASLL MEETING. 2006
  3. 袁 暁利, 陳 君, 関口 隆史, 李成奇, 伊藤俊. Electron-beam-induced current study of dislocations at the interface of strained Si/Si0.8Ge0.2. EDS2006. 2006
  4. 関口 隆史, 陳 君, 楊徳仁. Electron Beam Induced Current Study of Grain Boundaries in Multicrystalline Si. EDS2006. 2006 招待講演
  5. 陳 君, 関口 隆史, 伊藤俊. Small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon. EDS2006. 2006
  6. 陳 君, 袁 暁利, 関口 隆史. Advanced electron beam induced current study for various Si based materials. 16th International Microscopy Congress. 2006
  7. 岡田直也, 深田 直樹, 陳 君, 関口 隆史, 鶴井隆雄, 村上浩一. レーザーアブレーション法により生成されたSiナノ細線中へのBドーピングと水素パッシベーション効果. 2006年秋季第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  8. 関口 隆史, 陳 君, 高瀬 雅美, 深田 直樹, 梅澤 直人, 大毛利 健治, 知京 豊裕, 蓮沼隆, 山部紀久夫, 犬宮誠治, 奈良安雄. EBIC法によるHfSiON MOSFETのリーク箇所の観察. 日本応用物理学会. 2006
  9. 深田 直樹, 大島崇, 岡田直也, 鶴井隆雄, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. 顕微ラマン散乱測定による1次元Siナノ細線中のフォノン閉じ込めとボロン局在振動モードの検出. 20th International Conference on Raman Spectroscopy. 2006
  10. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 高瀬 雅美, 知京 豊裕, 山部紀久夫, 蓮沼隆, 赤坂泰志, 犬宮誠治, 奈良安雄, 山田啓作. Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current. The 8th International Workshop on BIAMS . 2006
  11. 岡田直也, 深田 直樹, 大島崇, 陳 君, 関口 隆史, 村上浩一. レーザーアブレーション法により生成したBドープSiナノ細線のラマン散乱測定. 2006年春季第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  12. 陳 君, 関口 隆史, 深田 直樹, 知京 豊裕. Observation of leakage sites in a HfSiON gate dielectric of a MOSFET device by electron-beam-induced current method. 4th NIMS International Conference on Photonic Processes in Semic. 2006
  13. 深田 直樹, 大島崇, 岡田直也, 陳 君, 関口 隆史, 木塚徳志, 鶴井隆雄, 伊藤俊, 内田紀行, 村上浩一. レーザーアブレーションで生成されたシリコンナノ細線中のフォノン閉じ込めとドーピング効果. つくばone-dayワークショップ:ナノとバイオの接点. 2006
  14. 深田 直樹, 大島崇, 岡田直也, 木塚徳志, 鶴井隆雄, 伊藤俊, 陳 君, 関口 隆史, 内田紀行, 村上浩一. レーザーアブレーションで生成されたシリコンナノ細線中のフォノン閉じ込めとドーピング. IAMF/ICYS Workshop 2006. 2006
2005
  1. 関口 隆史, 伊藤俊, 袁 暁利, 謝栄国, 陳 君, 楊徳仁. EBIC and Cathodoluminescence characterization of artificial grain boundaries formed in direct-bonded Si wafers. 3rd Asian Conference on Crysdtal Growth and Crystal Technology. 2005
  2. 陳 君, 関口 隆史, 楊徳仁. EBIC study of hydrogen passivation on grain boundaries in multicrystalline silicon:Influence of GB character and impurity contam. 結晶シリコン太陽電池の高効率化における材料学的アプローチ. 2005
  3. 関口 隆史, 陳 君, 袁 暁利, 伊藤俊. EBICによる粒界物性評価. 結晶シリコン太陽電池の高効率化における材料学的アプローチ. 2005 招待講演

その他の文献 TSV

2013
  1. CHEN, Jun, PRAKASH, Ronit Roneel, LI, Jian-Yong, JIPTNER, Karolin, MIYAMURA, Yoshiji, HARADA, Hirofumi, SEKIGUCHI, Takashi. An investigation of the impact of crystal orientation on dislocation distribution in multicrystalline silicon. Proceedings of 7th International Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells . (2013) 138-141
2012
  1. Yoshiji Miyamura, Hirofumi Harada, Shun Ito, Jun Chen, Takashi Sekiguchi. Structural study of small angle grain boundaries in multicrystalline Si. Materials Science Forum. 725 (2012) 157-160 10.4028/www.scientific.net/msf.725.157
2010
  1. SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Motoyuki Sato, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Yasuo Nar. Electron-beam-induced current study of breakdown behavior of high-k gate MOSFETs. SOLID STATE PHENOMENA. (2010) 461-466 10.4028/www.scientific.net/156-158.461
2008
  1. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, FUKATA, Naoki, TAKASE, Masami, CHIKYOW, Toyohiro, Kikuo Yamabe, Ryu Hasunuma, Motoyuki Sato, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. CHARACTERIZATION OF LEAKAGE BEHAVIORS OF HIGH-K GATE STACKS BY ELECTRON-BEAM-INDUCED CURRENT. IEEE IRPS 2008 Proceedings. (2008) 584-588
  2. SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, CHEN, Bin, LEE, Woong. Electrical and optical activities of small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon. Publication name Proc. of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2008) 140-143
  3. CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, TAKASE, Masami, FUKATA, Naoki, CHIKYOW, Toyohiro, Ryu Hasunuma, Kikuo Yamabe, Motoyuki Sato, Yasuo Nara, Keisaku Yamada. Electron-beam-induced current characterization of high-k dielectrics. Proc. of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2008) 74-77
  4. CHEN, Bin, CHEN, Jun, SEKIGUCHI, Takashi, Takasumi Oyanagi, Hirofumi Matsuhata, Akimasa Kinoshita, Hajime Okumura, FILIPPOFabbri. EBIC study of dislocations and stacking faults in 4H-SiC homoepitaxial films. Publication name Proc. of the 5th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2008) 299-303
2004
  1. 謝栄国, SEKIGUCHI, Takashi, CHEN, Jun, 楊徳仁, 伊藤俊. Comparison of Grain Boundaries in Multicrystalline Si Ingot and Artificial Grain Boundaries in Bonded Si Wafers. Proc. of the 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials. (2004) 424-428

公開特許出願 TSV

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