Electron-beam-induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes
DRIP XVIII. 2019年09月08日-2019年09月12日.
NIMS著者
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作成時刻: 2019-09-20 03:00:21 +0900 更新時刻: 2019-09-20 03:00:21 +0900