HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Electron-beam-induced Current Study of Dislocations and Leakage Sites in GaN Schottky Barrier Diodes CHEN, Jun, YI, Wei, KIMURA, Takashi, SEKIGUCHI, Takashi, Ryo TANAKA, Shinya TAKASHIMA, Masaharu EDO. DRIP XVIII. 2019.NIMS著者陳 君イ ウェイ木村 隆Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2019-09-20 03:00:21 +0900 更新時刻 :2019-09-20 03:00:21 +0900