Observation of Boron Vacancy Concentration in Hexagonal Boron Nitride at Nanometer Scale
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論文紹介
六方晶窒化ホウ素(h-BN)中に形成された負(-)に帯電したホウ素原子空孔は、量子センサーへの応用が期待されています。一方で、センサーとして機能しない電荷中性(0)のホウ素原子空孔も存在します。これまで、原子空孔の電荷状態を区別して濃度分布を調査する手法は確立されていませんでした。本研究では、低加速かつ単色化した電子を用いた分光計測により、ナノメートル分解能で電荷状態を区別して濃度分布を可視化することに成功しました。この計測技術は、半導体材料などの点欠陥解析への応用も期待されます。
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2025-09-09 03:11:17 +0900 更新時刻: 2026-07-19 04:30:41 +0900





