- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
薄膜・表面界面物性 電子・電気材料工学 無機材料・物性
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- KOIZUMI, Satoshi, TERAJI, Tokuyuki, 神田久生. Phosphorus doped CVD diamond. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. (2000)
- Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Yasuo Koide. Boron-Doped Diamond MOSFETs With High Output Current and Extrinsic Transconductance. IEEE Transactions on Electron Devices. 68 [8] (2021) 3963-3967 10.1109/ted.2021.3087115
- Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Hirotaka Ohsato, Yasuo Koide. Effect of Annealing Temperature on Performances of Boron-Doped Diamond Metal–Semiconductor Field-Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 67 [4] (2020) 1680-1685 10.1109/ted.2020.2972979
書籍
- TERAJI, Tokuyuki. Ultrapure homoepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition for quantum device application. Academic Press, 2020, 18.
- 小野田忍, 谷井孝至, 寺地 徳之, 渡邊幸志, 磯谷順一. 量子センシングNMRによる超極微量試料の化学構造同定. 技術情報協会, 2021, 38.
- TERAJI, Tokuyuki. Homoepitaxial growth of ultrahigh purity diamond films. Elsevier, 2018
会議録
- T. Teraji, J. Isoya, K. Watanabe, S. Koizumi, Y. Koide. Homoepitaxial diamond chemical vapor deposition for ultra-light doping. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. (2017) 197-202 10.1016/j.mssp.2016.11.012
- Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Kenji Shiojima. Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. (2017) 207-212 10.1016/j.mssp.2016.12.012
- Tokuyuki Teraji. (Invited) Ultrapure Homoepitaxial Diamond Films Grown by Chemical Vapor Deposition. ECS TRANSACTIONS. (2017) 271-276 10.1149/08004.0271ecst
口頭発表
- LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Boron-doped diamond MOSFETs. 第84回応用物理学会秋季学術講演会. 2023
- LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Boron-doped diamond MOSFETs with high output current and extrinsic transconductance. International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2023. 2023
- 蔭浦 泰資, 笹間 陽介, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 山田 圭介, 小野田 忍, 山口 尚秀. h-BN被覆による水素終端下・単一ダイヤモンドNV中心のスピン操作. 第70回応用物理学会春季学術講演会. 2023
その他の文献
- 寺地 徳之. NVセンタ：ダイヤモンド結晶に形成される室温制御可能な量子欠陥. 金属. (2022) 895-901
- 小泉 聡, 寺地 徳之, 嶋岡 毅紘. NIMSにおけるSIPダイヤモンドパワーエレクトロニクス研究. NEW DIAMOND. (2020) 16-21
- 市川 公善, 小泉 聡, 寺地 徳之. ダイヤモンドホモエピタキシャル成長における薄膜 / 基板界面での転位変換. New diamond. (2023) 34-36
特許
- 特許第3265363号 マイクロホールを有している金属薄膜の形成方法 (2002)
- 特許第3303135号 埋め込み金属層を金属電極として持つ単結晶ダイヤモンド電子デバイスとその形成方法 (2002)
- 特許第5360766号 ダイヤモンド半導体デバイス (2013)
- 特開2013001601号 ダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置 (2013)
- 特開2001185496号 埋め込み金属層を金属電極として持つ単結晶ダイヤモンド電子デバイスとその形成方法 (2001)
- 特開2001192858号 マイクロホールを有している金属薄膜の形成方法 (2001)
所属学会
応用物理学会 ニューダイヤモンドフォーラム
受賞履歴
- 応用物理学会 講演奨励賞（2003年） ()