- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
薄膜・表面界面物性 電子・電気材料工学 無機材料・物性
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Yasuo Koide. Boron-Doped Diamond MOSFETs With High Output Current and Extrinsic Transconductance. IEEE Transactions on Electron Devices. 68 [8] (2021) 3963-3967 10.1109/ted.2021.3087115
- KOIZUMI, Satoshi, TERAJI, Tokuyuki, KANDA, Hisao. Phosphorus doped CVD diamond. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. (2000)
- Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Hirotaka Ohsato, Yasuo Koide. Effect of Annealing Temperature on Performances of Boron-Doped Diamond Metal–Semiconductor Field-Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 67 [4] (2020) 1680-1685 10.1109/ted.2020.2972979
書籍
- TERAJI, Tokuyuki. Ultrapure homoepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition for quantum device application. Academic Press, 2020, 18.
- 小野田忍, 谷井孝至, 寺地 徳之, 渡邊幸志, 磯谷順一. 量子センシングNMRによる超極微量試料の化学構造同定. 技術情報協会, 2021, 38.
- TERAJI, Tokuyuki. Homoepitaxial growth of ultrahigh purity diamond films. Elsevier, 2018
会議録
- T. Teraji, J. Isoya, K. Watanabe, S. Koizumi, Y. Koide. Homoepitaxial diamond chemical vapor deposition for ultra-light doping. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. (2017) 197-202 10.1016/j.mssp.2016.11.012
- Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Kenji Shiojima. Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. (2017) 207-212 10.1016/j.mssp.2016.12.012
- Tokuyuki Teraji. (Invited) Ultrapure Homoepitaxial Diamond Films Grown by Chemical Vapor Deposition. ECS TRANSACTIONS. (2017) 271-276 10.1149/08004.0271ecst
口頭発表
- LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Calibriation of binding energy and clarification of interfacial band bending for Al2O3/diamond heterojunction. 第85回応用物理学会秋季学術講演会. 2024
- LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Clarification for Interfacial Band Bending of Insulator/Diamond Heterojunction with X-ray Photoelectron Spectroscopy technique. 17th International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials (IIB 2024). 2024 招待講演
- LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Improvement of properties for boron-doped diamond MOSFETs. 17th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2024. 2024
その他の文献
- 寺地 徳之. NVセンタ:ダイヤモンド結晶に形成される室温制御可能な量子欠陥. 金属. 92 [9] (2022) 895-901
- 小泉 聡, 寺地 徳之, 嶋岡 毅紘. NIMSにおけるSIPダイヤモンドパワーエレクトロニクス研究. NEW DIAMOND. (2020) 16-21
- 市川 公善, 小泉 聡, 寺地 徳之. ダイヤモンドホモエピタキシャル成長における薄膜 / 基板界面での転位変換. New diamond. 39 [1] (2023) 34-36
公開特許出願
所属学会
応用物理学会, ニューダイヤモンドフォーラム
受賞履歴
- 応用物理学会 講演奨励賞(2003年) ()
電子・光機能材料研究センター
ダイヤモンド結晶成長と量子デバイス応用
ダイヤモンド,CVD,エピタキシャル,高純度,量子センシング,半導体
概要
ダイヤモンドNVセンタを用いた量子磁気センサを実用化するためには、センサ感度の更なる向上が不可欠と言われている。私たちは、ダイヤモンド結晶成長技術を高めることで結晶中に形成されるNVセンタの量子特性を向上させ、磁気センサを高感度化する研究を行っている。特に、結晶中のNVセンタや窒素の濃度を精密に制御すること、NVセンタのスピンコヒーレンス時間T2(スピン状態を保持する時間であり、高感度化にはT2を長くする必要がある)を短くする不純物や欠陥を低減すること、NVセンタの空間配置をナノスケールで制御すること、結晶サイズを大型化することに焦点を置いて、現在研究を進めている。
新規性・独創性
● 量子応用に適した高度なダイヤモンド結晶成長技術
● 結晶成長、量子・光特性評価、点欠陥構造特定をシームレスに実施できる研究環境
● 量子センサ感度を向上するための窒素濃度の精密制御
● CVD法によるダイヤモンド結晶の大型化
● 12Cダイヤモンド結晶などの同位体制御
内容
量子センシング用ダイヤモンド結晶を創製するために私たちが実施している研究方法を図に示している。①NVセンタ形成:化学気相成長(CVD)法と高温高圧合成(HPHT)法を用いて様々な窒素ドープダイヤモンドを成長したり、各環境で熱処理を行ったりする。②スピン特性評価:パルス型光磁気共鳴分光(ODMR)法を用いてダイヤモンド結晶のスピン特性を評価する。共焦点型PL、ESR、FTIRなどの複数の分光評価を用い、さらに様々な結晶を評価することで、結晶の量子特性を正確に把握する。③NVセンタ形成学理構築:ステップ①と②からダイヤモンド結晶中に形成されている点欠陥の種類や濃度を類推し、これらがNVセンタのスピン特性に与える影響を定量的に調べる。ステップ③の結果から、ダイヤモンド結晶成長条件を見直し、新たな条件でのダイヤモンド成長を実施する。このように結晶成長、量子・光特性評価、点欠陥構造特定をシームレスに実施することで、NVセンタのスピン特性を確実に向上させることができる。
まとめ
量子センサ感度を高めるために、現在世界の多くの機関がしのぎを削っている。その多くが測定方法に対する工夫であり、一方で感度向上に最もインパクトがある「ダイヤモンド結晶へNVセンタの高度な作りこみ」は、難易度が高いために実施機関は世界的にも限られている。NIMSではCVD成長、HPHT成長、量子・光物性評価、計算・理論のメンバーでチームを構成し、この困難な課題に対して多角的・包括的に検討している。この研究体制により、ダイヤモンドNVセンタの特性が確実に向上している。今後はダイヤモンドNVセンタ以外のスピン欠陥にも着目して、研究を実施する予定である。