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寺地 徳之
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  • 論文・発表

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研究論文 TSV

2019
  1. 笹間 陽介, 小松 克伊, 井村 将隆, 森山 悟士, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. (2019) 9-15
  2. J-W Liu, H Oosato, B Da, T Teraji, A Kobayashi, H Fujioka, Y Koide. Operations of hydrogenated diamond metal–oxide–semiconductor field-effect transistors after annealing at 500 °C. Journal of Physics D: Applied Physics. 52 [31] (2019) 315104 10.1088/1361-6463/ab1e31
  3. Shinichi Shikata, Yuka Matsuyama, Tokuyuki Teraji. Dislocation analysis of homoepitaxial diamond (001) film by x-ray topography. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [4] (2019) 045503 10.7567/1347-4065/ab0541
  4. Shozo Kono, Taisuke Kageura, Yuya Hayashi, Sung-Gi Ri, Tokuyuki Teraji, Daisuke Takeuchi, Masahiko Ogura, Hideyuki Kodama, Atsuhito Sawabe, Masafumi Inaba, Atsushi Hiraiwa, Hiroshi Kawarada. Carbon 1s X-ray photoelectron spectra of realistic samples of hydrogen-terminated and oxygen-terminated CVD diamond (111) and (001). Diamond and Related Materials. 93 (2019) 105-130 10.1016/j.diamond.2019.01.017
  5. Petr Siyushev, Milos Nesladek, Emilie Bourgeois, Michal Gulka, Jaroslav Hruby, Takashi Yamamoto, Michael Trupke, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Fedor Jelezko. Photoelectrical imaging and coherent spin-state readout of single nitrogen-vacancy centers in diamond. Science. 363 [6428] (2019) 728-731 10.1126/science.aav2789
  6. Meiyong Liao, Liwen Sang, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide. Ultrahigh Performance On-Chip Single Crystal Diamond NEMS/MEMS with Electrically Tailored Self-Sensing Enhancing Actuation. Advanced Materials Technologies. 4 [2] (2019) 1800325 10.1002/admt.201800325
  7. J.-P. Tetienne, N. Dontschuk, D. A. Broadway, S. E. Lillie, T. Teraji, D. A. Simpson, A. Stacey, L. C. L. Hollenberg. Apparent delocalization of the current density in metallic wires observed with diamond nitrogen-vacancy magnetometry. Physical Review B. 99 [1] (2019) 10.1103/physrevb.99.014436
  8. Ryota Ishii, Shinichi Shikata, Tokuyuki Teraji, Hisao Kanda, Hideyuki Watanabe, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami. Isotopic effects on phonons and excitons in diamond studied by deep-ultraviolet continuous-wave photoluminescence spectroscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 58 [1] (2019) 010904 10.7567/1347-4065/aaef3e
2018
  1. Ryosuke Fukuda, Priyadharshini Balasubramanian, Itaru Higashimata, Godai Koike, Takuma Okada, Risa Kagami, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Masafumi Inaba, Hayate Yamano, Felix M Stürner, Simon Schmitt, Liam P McGuinness, Fedor Jelezko, Takeshi Ohshima, Takahiro Shinada, Hiroshi Kawarada, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Takashi Tanii, Junichi Isoya. Lithographically engineered shallow nitrogen-vacancy centers in diamond for external nuclear spin sensing. New Journal of Physics. 20 [8] (2018) 083029 10.1088/1367-2630/aad997
  2. Jean-Philippe Tetienne, David Broadway, Scott Lillie, Nikolai Dontschuk, Tokuyuki Teraji, Liam Hall, Alastair Stacey, David Simpson, Lloyd Hollenberg. Proximity-Induced Artefacts in Magnetic Imaging with Nitrogen-Vacancy Ensembles in Diamond. Sensors. 18 [4] (2018) 1290 10.3390/s18041290
  3. Hwansoo Jeon, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Sunmin Ryu. Lattice vibrations of single and multi-layer isotopologic graphene. Carbon. 140 (2018) 449-457 10.1016/j.carbon.2018.08.054
  4. Yosuke Sasama, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Masataka Imura, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide. High-mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric. APL Materials. 6 [11] (2018) 111105 10.1063/1.5055812
  5. Shinich Shikata, Takenori Tanno, Tokuyuki Teraji, Hisao Kanda, Takatoshi Yamada, Jun-ichi Kushibiki. Precise measurements of diamond lattice constant using Bond method. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [11] (2018) 111301 10.7567/jjap.57.111301
  6. Scott E. Lillie, David A. Broadway, Nikolai Dontschuk, Ali Zavabeti, David A. Simpson, Tokuyuki Teraji, Torben Daeneke, Lloyd C. L. Hollenberg, Jean-Philippe Tetienne. Magnetic noise from ultrathin abrasively deposited materials on diamond. Physical Review Materials. 2 [11] (2018) 10.1103/physrevmaterials.2.116002
  7. Haihua Wu, Liwen Sang, Yumeng Li, Tokuyuki Teraji, Tiefu Li, Masataka Imura, Jianqiang You, Yasuo Koide, Masaya Toda, Meiyong Liao. Reducing intrinsic energy dissipation in diamond-on-diamond mechanical resonators toward one million quality factor. Physical Review Materials. 2 [9] (2018) 10.1103/physrevmaterials.2.090601
  8. J.-P. Tetienne, R. W. de Gille, D. A. Broadway, T. Teraji, S. E. Lillie, J. M. McCoey, N. Dontschuk, L. T. Hall, A. Stacey, D. A. Simpson, L. C. L. Hollenberg. Spin properties of dense near-surface ensembles of nitrogen-vacancy centers in diamond. Physical Review B. 97 [8] (2018) 10.1103/physrevb.97.085402
  9. 廖 梅勇, 井村 将隆, サン リウエン, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. 単結晶ダイヤモンドMEMSデバイスの研究. NEW DIAMOND. 34 [1] (2018) 12-16
2017
  1. Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Kenji Shiojima. Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts. Materials Science in Semiconductor Processing. 70 (2017) 207-212 10.1016/j.mssp.2016.12.012
  2. Takehiro Shimaoka, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Satoshi Koizumi. Characteristic Luminescence Correlated with Leaky Diamond Schottky Barrier Diodes. physica status solidi (a). 214 [11] (2017) 1700180 10.1002/pssa.201700180
  3. Haihua Wu, Liwen Sang, Tokuyuki Teraji, Tiefu Li, Kongping Wu, Masataka Imura, Jianqiang You, Yasuo Koide, Meiyong Liao. Reducing energy dissipation and surface effect of diamond nanoelectromechanical resonators by annealing in oxygen ambient. Carbon. 124 (2017) 281-287 10.1016/j.carbon.2017.08.069
  4. Shinobu Onoda, Kazumasa Tatsumi, Moriyoshi Haruyama, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Wataru Kada, Takeshi Ohshima, Osamu Hanaizumi. Diffusion of Vacancies Created by High-Energy Heavy Ion Strike Into Diamond. physica status solidi (a). 214 [11] (2017) 1700160 10.1002/pssa.201700160
  5. 春山 盛善, 加田渉, 花泉修, 小野田 忍, 大島 武, 寺地 徳之, 磯谷 順一. ダイヤモンドを母材とした蛍光飛跡検出器開発. Ionizing radiation(放射線). 42 [3] (2017) 91-95
  6. T. Teraji, J. Isoya, K. Watanabe, S. Koizumi, Y. Koide. Homoepitaxial diamond chemical vapor deposition for ultra-light doping. Materials Science in Semiconductor Processing. 70 (2017) 197-202 10.1016/j.mssp.2016.11.012
  7. Matthias Pfender, Nabeel Aslam, Patrick Simon, Denis Antonov, Gergő Thiering, Sina Burk, Felipe Fávaro de Oliveira, Andrej Denisenko, Helmut Fedder, Jan Meijer, Jose A. Garrido, Adam Gali, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Marcus William Doherty, Audrius Alkauskas, Alejandro Gallo, Andreas Grüneis, Philipp Neumann, Jörg Wrachtrup. Protecting a Diamond Quantum Memory by Charge State Control. Nano Letters. 17 [10] (2017) 5931-5937 10.1021/acs.nanolett.7b01796
  8. T. Teraji, A. Fiori, N. Kiritani, S. Tanimoto, E. Gheeraert, Y. Koide. Mechanism of reverse current increase of vertical-type diamond Schottky diodes. Journal of Applied Physics. 122 [13] (2017) 135304 10.1063/1.4994570
  9. Tokuyuki TERAJI, Yasuo KOIDE. Crystalline Diamond Substrates for Power Devices. The Journal of the Institute of Electrical Engineers of Japan. 137 [10] (2017) 689-692 10.1541/ieejjournal.137.689
  10. Tokuyuki Teraji. (Invited) Ultrapure Homoepitaxial Diamond Films Grown by Chemical Vapor Deposition. ECS Transactions. 80 [4] (2017) 271-276 10.1149/08004.0271ecst
  11. Stefan Häußler, Gergő Thiering, Andreas Dietrich, Niklas Waasem, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, Fedor Jelezko, Adam Gali, Alexander Kubanek. Photoluminescence excitation spectroscopy of SiV− and GeV− color center in diamond. New Journal of Physics. 19 [6] (2017) 063036 10.1088/1367-2630/aa73e5
  12. Alexandre Fiori, Tokuyuki Teraji. Plasma etching phenomena in heavily boron-doped diamond growth. Diamond and Related Materials. 76 (2017) 38-43 10.1016/j.diamond.2017.04.007
  13. Kazuki Ito, Hiroshi Saito, Kento Sasaki, Hideyuki Watanabe, Tokuyuki Teraji, Kohei M. Itoh, Eisuke Abe. Nitrogen-vacancy centers created by N+ ion implantation through screening SiO2 layers on diamond. Applied Physics Letters. 110 [21] (2017) 213105 10.1063/1.4984060
  14. Taisuke Kageura, Kanami Kato, Hayate Yamano, Evi Suaebah, Miki Kajiya, Sora Kawai, Masafumi Inaba, Takashi Tanii, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Shozo Kono, Hiroshi Kawarada. Effect of a radical exposure nitridation surface on the charge stability of shallow nitrogen-vacancy centers in diamond. Applied Physics Express. 10 [5] (2017) 055503 10.7567/apex.10.055503
  15. Hayate Yamano, Sora Kawai, Kanami Kato, Taisuke Kageura, Masafumi Inaba, Takuma Okada, Itaru Higashimata, Moriyoshi Haruyama, Takashi Tanii, Keisuke Yamada, Shinobu Onoda, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Hiroshi Kawarada. Charge state stabilization of shallow nitrogen vacancy centers in diamond by oxygen surface modification. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [4S] (2017) 04CK08 10.7567/jjap.56.04ck08
  16. 山野 颯, 川原田 洋, 小野田 忍, 寺地 徳之. 表面酸化処理によるダイヤモンド中の浅いNVセンターの電荷状態安定化. NEW DIAMOND. 33 [2] (2017) 27-31
  17. 磯谷 順一, 寺地 徳之, 小野田 忍. NV-センタの構造・物理・SiV-センタとの比較. NEW DIAMOND. 33 [2] (2017) 14-22
  18. S. Kono, T. Teraji, D. Takeuchi, M. Ogura, H. Kodama, A. Sawabe. Direct determination of the barrier height of Au ohmic-contact on a hydrogen-terminated diamond (001) surface. Diamond and Related Materials. 73 (2017) 182-189 10.1016/j.diamond.2016.09.015
  19. Meiyong Liao, Masaya Toda, Liwen Sang, Tokuyuki Teraji, Masataka Imura, Yasuo Koide. Improvement of the quality factor of single crystal diamond mechanical resonators. Japanese Journal of Applied Physics. 56 [2] (2017) 024101 10.7567/jjap.56.024101
  20. J.C. Piñero, D. Araújo, A. Fiori, A. Traoré, M.P. Villar, D. Eon, P. Muret, J. Pernot, T. Teraji. Atomic composition of WC/ and Zr/O-terminated diamond Schottky interfaces close to ideality. Applied Surface Science. 395 (2017) 200-207 10.1016/j.apsusc.2016.04.166
2016
  1. Johannes Herrmann, Marc A. Appleton, Kento Sasaki, Yasuaki Monnai, Tokuyuki Teraji, Kohei M. Itoh, Eisuke Abe. Polarization- and frequency-tunable microwave circuit for selective excitation of nitrogen-vacancy spins in diamond. Applied Physics Letters. 109 [18] (2016) 183111 10.1063/1.4967378
  2. 寺地 徳之. 超高純度ダイヤモンド気相成長 -スピントロニクス研究の新たな礎. OYO BUTURI. 85 [10] (2016) 870-874
  3. 寺地 徳之. 超高純度ホモエピタキシャル ダイヤモンド膜 ─極微量不純物と欠陥の検出・可視化─. NEW DIAMOND. 32 [2] (2016) 34-38
  4. P. Jamonneau, M. Lesik, J. P. Tetienne, I. Alvizu, L. Mayer, A. Dréau, S. Kosen, J.-F. Roch, S. Pezzagna, J. Meijer, T. Teraji, Y. Kubo, P. Bertet, J. R. Maze, V. Jacques. Competition between electric field and magnetic field noise in the decoherence of a single spin in diamond. Physical Review B. 93 [2] (2016) 10.1103/physrevb.93.024305
2015
  1. Yan Liu, Petr Siyushev, Youying Rong, Botao Wu, Liam Paul McGuinness, Fedor Jelezko, Syuto Tamura, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Takahiro Shinada, Heping Zeng, E Wu. Investigation of the silicon vacancy color center for quantum key distribution. Optics Express. 23 [26] (2015) 32961 10.1364/oe.23.032961
  2. Yan Liu, Gengxu Chen, Youying Rong, Liam Paul McGuinness, Fedor Jelezko, Syuto Tamura, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Takahiro Shinada, E Wu, Heping Zeng. Fluorescence Polarization Switching from a Single Silicon Vacancy Colour Centre in Diamond. Scientific Reports. 5 [1] (2015) 10.1038/srep12244
  3. Tokuyuki Teraji, Takashi Yamamoto, Kenji Watanabe, Yasuo Koide, Junichi Isoya, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Lachlan J. Rogers, Fedor Jelezko, Philipp Neumann, Jörg Wrachtrup, Satoshi Koizumi. Homoepitaxial diamond film growth: High purity, high crystalline quality, isotopic enrichment, and single color center formation. physica status solidi (a). 212 [11] (2015) 2365-2384 10.1002/pssa.201532449
  4. Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Takeshi Ohshima. New application of NV centers in CVD diamonds as a fluorescent nuclear track detector. physica status solidi (a). 212 [11] (2015) 2641-2644 10.1002/pssa.201532219
  5. S. Kono, T. Teraji, H. Kodama, K. Ichikawa, S. Ohnishi, A. Sawabe. Direct determination of the barrier height of Ti-based ohmic contact on p-type diamond (001). Diamond and Related Materials. 60 (2015) 117-122 10.1016/j.diamond.2015.10.028
  6. S. Kono, T. Teraji, H. Kodama, A. Sawabe. Imaging of diamond defect sites by electron-beam-induced current. Diamond and Related Materials. 59 (2015) 54-61 10.1016/j.diamond.2015.09.006
  7. Tokuyuki Teraji. High-quality and high-purity homoepitaxial diamond (100) film growth under high oxygen concentration condition. Journal of Applied Physics. 118 [11] (2015) 115304 10.1063/1.4929962
  8. 寺地 徳之. ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の高品質化と超高純度化を目指して. NEW DIAMOND. 31 [1] (2015) 18-21
  9. 山本 卓, 寺地 徳之, 小野田忍, 大島武, 小泉 聡, 磯谷順一, Fedor Jelezko. 窒素分子イオン注入による室温ダイヤモンドスピン量子レジスタの作製. NEW DIAMOND. 31 [1] (2015) 22-25
2014
  1. Lachlan J. Rogers, Kay D. Jahnke, Mathias H. Metsch, Alp Sipahigil, Jan M. Binder, Tokuyuki Teraji, Hitoshi Sumiya, Junichi Isoya, Mikhail D. Lukin, Philip Hemmer, Fedor Jelezko. All-Optical Initialization, Readout, and Coherent Preparation of Single Silicon-Vacancy Spins in Diamond. Physical Review Letters. 113 [26] (2014) 10.1103/physrevlett.113.263602
  2. L.J. Rogers, K.D. Jahnke, T. Teraji, L. Marseglia, C. Müller, B. Naydenov, H. Schauffert, C. Kranz, J. Isoya, L.P. McGuinness, F. Jelezko. Multiple intrinsically identical single-photon emitters in the solid state. Nature Communications. 5 [1] (2014) 10.1038/ncomms5739
  3. Andreas Dietrich, Kay D Jahnke, Jan M Binder, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Lachlan J Rogers, Fedor Jelezko. Isotopically varying spectral features of silicon-vacancy in diamond. New Journal of Physics. 16 [11] (2014) 113019 10.1088/1367-2630/16/11/113019
  4. Syuto Tamura, Godai Koike, Akira Komatsubara, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Liam P. McGuinness, Lachlan Rogers, Boris Naydenov, E. Wu, Liu Yan, Fedor Jelezko, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya, Takahiro Shinada, Takashi Tanii. Array of bright silicon-vacancy centers in diamond fabricated by low-energy focused ion beam implantation. Applied Physics Express. 7 [11] (2014) 115201 10.7567/apex.7.115201
  5. Alexandre Fiori, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide. Thermal stabilization and deterioration of the WC/p-type diamond (100) Schottky-barrier interface. physica status solidi (a). 211 [10] (2014) 2363-2366 10.1002/pssa.201431216
  6. A. Fiori, T. Teraji, Y. Koide. Diamond Schottky diodes with ideality factors close to 1. Applied Physics Letters. 105 [13] (2014) 133515 10.1063/1.4897315
  7. J Alvarez, M Boutchich, J P Kleider, T Teraji, Y Koide. Direct observation of the leakage current in epitaxial diamond Schottky barrier devices by conductive-probe atomic force microscopy and Raman imaging. Journal of Physics D: Applied Physics. 47 [35] (2014) 355102 10.1088/0022-3727/47/35/355102
  8. Shinya Ohmagari, Hideaki Yamada, Hitoshi Umezawa, Akiyoshi Chayahara, Tokuyuki Teraji, Shin-ichi Shikata. Characterization of free-standing single-crystal diamond prepared by hot-filament chemical vapor deposition. Diamond and Related Materials. 48 (2014) 19-23 10.1016/j.diamond.2014.06.001
  9. A. Sipahigil, K. D. Jahnke, L. J. Rogers, T. Teraji, J. Isoya, A. S. Zibrov, F. Jelezko, M. D. Lukin. Indistinguishable Photons from Separated Silicon-Vacancy Centers in Diamond. Physical Review Letters. 113 [11] (2014) 10.1103/physrevlett.113.113602
  10. T. Yamamoto, S. Onoda, T. Ohshima, T. Teraji, K. Watanabe, S. Koizumi, T. Umeda, L. P. McGuinness, C. Müller, B. Naydenov, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, M. L. Markham, D. J. Twitchen, J. Wrachtrup, F. Jelezko, J. Isoya. Isotopic identification of engineered nitrogen-vacancy spin qubits in ultrapure diamond. Physical Review B. 90 [8] (2014) 10.1103/physrevb.90.081117
  11. Lachlan J. Rogers, Kay D. Jahnke, Marcus W. Doherty, Andreas Dietrich, Liam P. McGuinness, Christoph Müller, Tokuyuki Teraji, Hitoshi Sumiya, Junichi Isoya, Neil B. Manson, Fedor Jelezko. Electronic structure of the negatively charged silicon-vacancy center in diamond. Physical Review B. 89 [23] (2014) 10.1103/physrevb.89.235101
  12. Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Toshimichi Ito. Schottky barrier height and thermal stability of p-diamond (100) Schottky interfaces. Thin Solid Films. 557 (2014) 241-248 10.1016/j.tsf.2013.11.132
  13. Alexandre Fiori, François Jomard, Tokuyuki Teraji, Gauthier Chicot, Etienne Bustarret. Improved depth resolution of secondary ion mass spectrometry profiles in diamond: A quantitative analysis of the delta-doping. Thin Solid Films. 557 (2014) 222-226 10.1016/j.tsf.2013.10.076
  14. Tokuyuki Teraji. Isotopic enrichment of diamond using microwave plasma-assisted chemical vapor deposition with high carbon conversion efficiency. Thin Solid Films. 557 (2014) 231-236 10.1016/j.tsf.2014.01.018
  15. Julia Michl, Tokuyuki Teraji, Sebastian Zaiser, Ingmar Jakobi, Gerald Waldherr, Florian Dolde, Philipp Neumann, Marcus W. Doherty, Neil B. Manson, Junichi Isoya, Jörg Wrachtrup. Perfect alignment and preferential orientation of nitrogen-vacancy centers during chemical vapor deposition diamond growth on (111) surfaces. Applied Physics Letters. 104 [10] (2014) 102407 10.1063/1.4868128
  16. A. Maréchal, N. Rouger, J.-C. Crébier, J. Pernot, S. Koizumi, T. Teraji, E. Gheeraert. Model implementation towards the prediction of J(V) characteristics in diamond bipolar device simulations. Diamond and Related Materials. 43 (2014) 34-42 10.1016/j.diamond.2014.01.009
2013
  1. Takashi Yamamoto, Christoph Müller, Liam P. McGuinness, Tokuyuki Teraji, Boris Naydenov, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Jörg Wrachtrup, Fedor Jelezko, Junichi Isoya. Strongly coupled diamond spin qubits by molecular nitrogen implantation. Physical Review B. 88 [20] (2013) 10.1103/physrevb.88.201201
  2. P. London, J. Scheuer, J.-M. Cai, I. Schwarz, A. Retzker, M. B. Plenio, M. Katagiri, T. Teraji, S. Koizumi, J. Isoya, R. Fischer, L. P. McGuinness, B. Naydenov, F. Jelezko. Detecting and Polarizing Nuclear Spins with Double Resonance on a Single Electron Spin. Physical Review Letters. 111 [6] (2013) 10.1103/physrevlett.111.067601
  3. T. Yamamoto, T. Umeda, K. Watanabe, S. Onoda, M. L. Markham, D. J. Twitchen, B. Naydenov, L. P. McGuinness, T. Teraji, S. Koizumi, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, J. Wrachtrup, T. Ohshima, F. Jelezko, J. Isoya. Extending spin coherence times of diamond qubits by high-temperature annealing. Physical Review B. 88 [7] (2013) 10.1103/physrevb.88.075206
  4. Jingfu Zhang, Jeong Hyun Shim, Ingo Niemeyer, T. Taniguchi, T. Teraji, H. Abe, S. Onoda, T. Yamamoto, T. Ohshima, J. Isoya, Dieter Suter. Experimental Implementation of Assisted Quantum Adiabatic Passage in a Single Spin. Physical Review Letters. 110 [24] (2013) 10.1103/physrevlett.110.240501
  5. Tokuyuki Teraji, Takashi Taniguchi, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide, Junichi Isoya. Effective Use of Source Gas for Diamond Growth with Isotopic Enrichment. Applied Physics Express. 6 [5] (2013) 055601 10.7567/apex.6.055601
  6. Alexandre Fiori, François Jomard, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Junichi Isoya, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret. Synchronized B and13C Diamond Delta Structures for an Ultimate In-Depth Chemical Characterization. Applied Physics Express. 6 [4] (2013) 045801 10.7567/apex.6.045801
  7. I Niemeyer, J H Shim, J Zhang, D Suter, T Taniguchi, T Teraji, H Abe, S Onoda, T Yamamoto, T Ohshima, J Isoya, F Jelezko. Broadband excitation by chirped pulses: application to single electron spins in diamond. New Journal of Physics. 15 [3] (2013) 033027 10.1088/1367-2630/15/3/033027
2012
  1. Andrada Lazea, Yiuri Garino, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi. High quality p-type chemical vapor deposited {111}-oriented diamonds: Growth and fabrication of related electrical devices. physica status solidi (a). 209 [10] (2012) 1978-1981 10.1002/pssa.201228162
  2. Meiyong Liao, Liwen Sang, Tokuyuku Teraji, Masataka Imura, Jose Alvarez, Yasuo Koide. Comprehensive Investigation of Single Crystal Diamond Deep-Ultraviolet Detectors. Japanese Journal of Applied Physics. 51 [9R] (2012) 090115 10.7567/jjap.51.090115
  3. Tokuyuki Teraji, Takashi Taniguchi, Satoshi Koizumi, Kenji Watanabe, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Junichi Isoya. Chemical Vapor Deposition of $^{12}$C Isotopically Enriched Polycrystalline Diamond. Japanese Journal of Applied Physics. 51 (2012) 090104 10.1143/jjap.51.090104
  4. K. D. Jahnke, B. Naydenov, T. Teraji, S. Koizumi, T. Umeda, J. Isoya, F. Jelezko. Long coherence time of spin qubits in 12C enriched polycrystalline chemical vapor deposition diamond. Applied Physics Letters. 101 [1] (2012) 012405 10.1063/1.4731778
  5. T. Teraji, M. Y. Liao, Y. Koide. Localized mid-gap-states limited reverse current of diamond Schottky diodes. Journal of Applied Physics. 111 [10] (2012) 104503 10.1063/1.4712437
  6. Yukako Kato, Hitoshi Umezawa, Shin-ichi Shikata, Tokuyuki Teraji. Local stress distribution of dislocations in homoepitaxial chemical vapor deposite single-crystal diamond. Diamond and Related Materials. 23 (2012) 109-111 10.1016/j.diamond.2012.01.024
  7. Y. Garino, T. Teraji, A. Lazea, S. Koizumi. Forward tunneling current in {111}-oriented homoepitaxial diamond p–n junction. Diamond and Related Materials. 21 (2012) 33-36 10.1016/j.diamond.2011.10.007
2011
  1. Shinya Ohmagari, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide. Non-destructive detection of killer defects of diamond Schottky barrier diodes. Journal of Applied Physics. 110 [5] (2011) 056105 10.1063/1.3626791
  2. P. Muret, P.-N. Volpe, T.-N. Tran-Thi, J. Pernot, C. Hoarau, F. Omnès, T. Teraji. Schottky diode architectures on p-type diamond for fast switching, high forward current density and high breakdown field rectifiers. Diamond and Related Materials. 20 [3] (2011) 285-289 10.1016/j.diamond.2011.01.008
  3. 寺地 徳之. パワーエレクトロニクス材料. 環境・エネルギー材料ハンドブック. (2011) 111-122
2010
  1. Pierre-Nicolas Volpe, Pierre Muret, Julien Pernot, Franck Omnès, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, François Jomard, Dominique Planson, Pierre Brosselard, Nicolas Dheilly, Bertrand Vergne, Sigo Scharnholz. Extreme dielectric strength in boron doped homoepitaxial diamond. Applied Physics Letters. 97 [22] (2010) 223501 10.1063/1.3520140
  2. Pierre-Nicolas Volpe, Pierre Muret, Julien Pernot, Franck Omnès, Tokuyuki Teraji, François Jomard, D. Planson, Pierre Brosselard, Nicolas Dheilly, Bertrand Vergne, Sigo Scharnholtz. High breakdown voltage Schottky diodes synthesized on p-type CVD diamond layer. physica status solidi (a). 207 [9] (2010) 2088-2092 10.1002/pssa.201000055
  3. 寺地 徳之. ダイヤモンドショットキーコンタクト界面の物理―何が既知で,何が未解明か―. NEW DIAMOND. 26 [3] (2010) 3-12
  4. J. Pernot, P. N. Volpe, F. Omnès, P. Muret, V. Mortet, K. Haenen, T. Teraji. Hall hole mobility in boron-doped homoepitaxial diamond. Physical Review B. 81 [20] (2010) 10.1103/physrevb.81.205203
  5. Mitsuhiro Hamada, Tokuyuki Teraji, Toshimichi Ito. Abnormal current increases induced under high electric fields in asymmetrical graphite-intrinsic-diamond-graphite structures fabricated with high-quality homoepitaxial chemical-vapor-deposited diamond layers. Journal of Applied Physics. 107 [6] (2010) 063708 10.1063/1.3327439
  6. Yiuri Garino, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide, Toshimichi Ito. Effects of shallow traps on the reverse current of diamond Schottky diode: An electrical transient study. physica status solidi (a). 207 [6] (2010) 1460-1463 10.1002/pssa.200925448
  7. Meiyong Liao, Xi Wang, Tokuyuku Teraji, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide. Light intensity dependence of photocurrent gain in single-crystal diamond detectors. Physical Review B. 81 [3] (2010) 10.1103/physrevb.81.033304
2009
  1. Ken Haenen, Andrada Lazea, Julien Barjon, Jan D’Haen, Nada Habka, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Vincent Mortet. P-doped diamond grown on (110)-textured microcrystalline diamond: growth, characterization and devices. Journal of Physics: Condensed Matter. 21 [36] (2009) 364204 10.1088/0953-8984/21/36/364204
  2. Yiuri Garino, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide, Toshimichi Ito. p-type diamond Schottky diodes fabricated by vacuum ultraviolet light/ozone surface oxidation: Comparison with diodes based on wet-chemical oxidation. physica status solidi (a). 206 [9] (2009) 2082-2085 10.1002/pssa.200982217
  3. Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Toshimichi Ito. High-temperature stability of Au/p-type diamond Schottky diode. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 3 [6] (2009) 211-213 10.1002/pssr.200903151
  4. T. Teraji, Y. Garino, Y. Koide, T. Ito. Low-leakage p-type diamond Schottky diodes prepared using vacuum ultraviolet light/ozone treatment. Journal of Applied Physics. 105 [12] (2009) 126109 10.1063/1.3153986
2008
  1. Tokuyuki Teraji. Chemical Vapor Deposition of Homoepitaxial Diamond Films. Physics and Applications of CVD Diamond. (2008) 29-75 10.1002/9783527623174.ch3
  2. 小出 康夫, 寺地 徳之. オーミックコンタクト. ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線. (2008) 162-179
  3. 寺地 徳之. p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性. ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線. (2008) 75-85
  4. T. Teraji, S. Koizumi, Y. Koide. Ohmic contact for p-type diamond without postannealing. Journal of Applied Physics. 104 [1] (2008) 016104 10.1063/1.2936371
  5. Pierre MURET, Julien PERNOT, TERAJI, Tokuyuki, Toshimichi ITO. Near-surface defects in boron doped diamond Schottky diodes studied from capacitance transients. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 1 [3] (2008) 035003-1-035003-3
2006
  1. Tokuyuki Teraji. Chemical vapor deposition of homoepitaxial diamond films. physica status solidi (a). 203 [13] (2006) 3324-3357 10.1002/pssa.200671408
  2. S. Mitani, T. Teraji, T. Ito. Formation of self-assembled platinum particles on diamond and their embedding in diamond by microwave plasma chemical vapor depositions. Diamond and Related Materials. 15 [10] (2006) 1544-1549 10.1016/j.diamond.2005.12.052
  3. Bo-Hyun Lee, Tokuyuki Teraji, Toshimichi Ito. Bleaching and micro-cracking phenomena induced in various types of sapphires by keV-electron beam irradiations. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 248 [2] (2006) 311-318 10.1016/j.nimb.2006.04.165
  4. 寺地 徳之. ダイヤモンドは次世代デバイス材料になり得るか?. NEW DIAMOND. 22 [1] (2006) 10-10
2005
  1. Jia yu Wang, Tokuyuki Teraji, Toshimichi Ito. Fabrication of wrinkled carbon nano-films with excellent field emission characteristics. Diamond and Related Materials. 14 [11-12] (2005) 2074-2077 10.1016/j.diamond.2005.05.006
  2. Michinori Yamamoto, Tokuyuki Teraji, Toshimichi Ito. Improvement in the crystalline quality of homoepitaxial diamond films by oxygen plasma etching of mirror-polished diamond substrates. Journal of Crystal Growth. 285 [1-2] (2005) 130-136 10.1016/j.jcrysgro.2005.08.019
  3. F. Fujita, A. Homma, Y. Oshiki, J.H. Kaneko, K. Tsuji, K. Meguro, Y. Yamamoto, T. Imai, T. Teraji, T. Sawamura, M. Furusaka. Development of a charge-carrier drift velocity measurement system in diamonds by using a UV pulse laser. Diamond and Related Materials. 14 [11-12] (2005) 1992-1994 10.1016/j.diamond.2005.08.003
  4. Tokuyuki Teraji, Mitsuhiro Hamada, Hideki Wada, Michinori Yamamoto, Toshimichi Ito. High-quality homoepitaxial diamond (100) films grown under high-rate growth condition. Diamond and Related Materials. 14 [11-12] (2005) 1747-1752 10.1016/j.diamond.2005.06.021
  5. Mitsuhiro Hamada, Tokuyuki Teraji, Toshimichi Ito. Hillock-Free Homoepitaxial Diamond (100) Films Grown at High Methane Concentrations. Japanese Journal of Applied Physics. 44 [No. 6] (2005) L216-L219 10.1143/jjap.44.l216
  6. H. Hashimoto, T. Teraji, T. Ito. Impact ionization phenomenon in single-crystalline rutile TiO2. Applied Surface Science. 244 [1-4] (2005) 394-398 10.1016/j.apsusc.2004.09.148
  7. Hideki Wada, Tokuyuki Teraji, Toshimichi Ito. Growth and characterization of P-doped CVD diamond (111) thin films homoepitaxially grown using trimethylphosphine. Applied Surface Science. 244 [1-4] (2005) 305-309 10.1016/j.apsusc.2004.10.137
  8. M. Yamamoto, T. Watanabe, M. Hamada, T. Teraji, T. Ito. Electrical properties of diamond p–i–p structures at high electric fields. Applied Surface Science. 244 [1-4] (2005) 310-313 10.1016/j.apsusc.2004.10.136
  9. 寺地 徳之, 有馬一也, 和田英樹, 伊藤利道. 高出力マイクロ波プラズマCVD法による高品質ボロンドープダイヤモンド薄膜の合成. NEW DIAMOND. 21 [2] (2005) 22-23
  10. Tokuyuki Teraji, Mitsuhiro Hamada, Hideki Wada, Michinori Yamamoto, Kazuya Arima, Toshimichi Ito. High rate growth and electrical/optical properties of high-quality homoepitaxial diamond (100) films. Diamond and Related Materials. 14 [3-7] (2005) 255-260 10.1016/j.diamond.2004.12.012

会議録 TSV

2015
  1. Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Tokuyuki Teraji, Junichi Isoya, Wataru Kada, Osamu Hanaizumi, Takeshi Ohshima. New application of NV centers in CVD diamonds as a fluorescent nuclear track detector. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 2015, 2641-2644
2012
  1. onoda shinobu, yamamoto takashi , ohshima takeshi , isoya junichi , TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji. Diamonds Utilized in the Development of Single Ion Detector with High Spatial Resolution. Trans. Mat. Res. Soc. Japan 2012, 241-244
  2. onoda shinobu, yamamoto takashi, ohshima takeshi, isoya junichi, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji. Diamonds Utilized in the Development of Single Ion Detector with High Spatial Resolution. Transactions of MRS-J 2012, 241-244
2011
  1. Y. Kato, H. Umezawa, H. Yamaguchi, TERAJI, Tokuyuki, S. Shikata. CVD Diamond Dislocations Observed by X-ray Topography, Birefrengence Image and Cathodoluminesence mapping. MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 2011, 73-77
  2. Y. Kato, H. Umezawa, TERAJI, Tokuyuki, S. Shikata. Local stress-strain structure in CVD diamond observed by Raman peak-shift mapping. MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 2011, 61-65
  3. P. Muret, P.-N. Volpe, T.-N. Tran-Thi, J. Pernot, C. Hoarau, F. Omnès, T. Teraji. Schottky diode architectures on p-type diamond for fast switching, high forward current density and high breakdown field rectifiers. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2011, 285-289
2008
  1. Vincent Mortet, Michael Daenen, TERAJI, Tokuyuki, Andrada Lazea, Vladimir Vorlicek, J. DHaen, Ken Haenen , Marc DOlieslaeger. Characterization of boron doped diamond epilayers growth in a NIRIM type reactor. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2008, 1330-1334
  2. TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, ITOToshimichi. Electric field breakdown of lateral-type Schottky diodes formed on lightly doped homoepitaxial diamond. APPLIED SURFACE SCIENCE 2008, 6273-6276
  3. Osamu Maida, Hidetaka Miyatake, TERAJI, Tokuyuki, Toshimichi Ito. Characterization of substrate off-angle effects for high-quality homoepitaxial CVD diamond films. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2008, 435-439
  4. P. Muret, J. Pernot, TERAJI, Tokuyuki, T. Ito. Deep levels in homoepitaxial boron-doped diamond films studied by capacitance transient spectroscopies. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 2008, 2179-2183
2007
  1. H. Matsubara, Y. Saitoh, O. Maida, TERAJI, Tokuyuki, KOBAYASHI, Keisuke, T. Ito. High-performance diamond soft-X-ray detectors with built-in amplifying function. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2007, 1044-1048
  2. H.Miyatake, K.Arima, O.Maida, TERAJI, Tokuyuki, T.Ito. Further improvement in high crystalline quality of homoepitaxial CVD diamond. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2007, 679-684
2006
  1. TERAJI, Tokuyuki, Hideki Wada, Michinori Yamamoto, Kazuya Arima, Toshimichi Ito. Highly efficient doping of boron into high-quality homoepitaxial diamond films. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2006, 602-606
  2. Bo-Hyun Lee, TERAJI, Tokuyuki, Toshimichi Ito. Different behaviors of F+ centers due to electron beam irradiations between synthetic sapphire and Be-diffusion-treated natural sapphire. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 2006, 546-549
  3. Fujita Fumiyuki, Yusuke Oshiki, Kaneko Junichi, Homma Akira , Katsuhide Tsuji, Kiichi Meguro, Yoshiyuki Yamamoto, Takahiro Imai, Hideyuki Watanabe, TERAJI, Tokuyuki, Souhan Kawamura, Michihiro Furusaka. Development of a TOF measurement system of charge carrier dynamics in diamond thin films using a UV pulsed laser. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2006, 1921-1925

口頭発表 TSV

2019
  1. 劉 江偉, 大里 啓孝, 寺地 徳之, 達 博, 小出 康夫. Electrical properties of hydrogenated diamond MOSFETs after annealing at 500 °C. 30th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2019
  2. 廖 梅勇, ウ ハイファ, サン リウエン, 井村 将隆, 寺地 徳之, 小出 康夫. Ultra-high quality factors and high-reliability diamond mechanical resonators on diamond. 13th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2019. 2019
  3. 嶋岡 毅紘, 市川 公善, 渡邊 賢司, 小泉 聡, 寺地 徳之. Defect detection of diamond by etch pit formation and correlation analysis with electric properties. Hasselt Diamond Workshop 2019 (SBDD XXIV). 2019
  4. 谷井 孝至, 品田 高宏, 寺地 徳之, 小野田 忍, 大島 武, Liam P. McGuinness, Fedor Jelezko, Yan Liu, E Wu, 加田 渉, 川原田 洋, 花泉 修, 磯谷 順一. イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用 -ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成-. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  5. 市川 公善, 寺地 徳之, 嶋岡 毅紘, 加藤有香子, 小泉 聡. 共焦点ラマン分光マッピングを用いたホモエピタキシャルダイヤモンド中の転位の評価. 第66回応用物理学会春季学術講演会. 2019
  6. 劉 江偉, 大里 啓孝, 達 博, 寺地 徳之, 小出 康夫. Operations of Hydrogenated Diamond MOSFETs After Annealing at 500 °C. MANA International Symposium 2019. 2019
  7. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. Charge Carrier Transport at an h-BN/Diamond Interface. MANA International Symposium 2019. 2019
  8. 寺地 徳之. Diamond Crystal Growth by HPHT and CVD Methods and NV Center Formation. The 1st International Forum on Quantum Sensing (IFQS2019). 2019
  9. 寺地 徳之. Crystalline quality improvement of homoepitaxial diamond film growth. Diamond power devices 2019. 2019
  10. 廖 梅勇, ウ ハイファ, サン リウエン, 寺地 徳之, 井村 将隆, 小出 康夫. Ultrahigh Quality factor diamond MEMS resonator. The 6th French Japanese workshop on diamond power devices. 2019
2018
  1. 嶋岡毅紘, 市川公善, 小泉聡, 渡邊 賢司, 寺地徳之. エッチピット形成によるダイヤモンドデバイスのリーク欠陥の検出. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018
  2. 市川 公善, 嶋岡 毅紘, 小泉 聡, 寺地 徳之. ダイヤモンドショットキーダイオードの順方向特性の変動と安定化. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018
  3. 寺地徳之, 渡邊 賢司. 高純度ダイヤモンド(111)薄膜のホモエピタキシャル成長. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018
  4. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BN/ダイヤモンドヘテロ構造を用いた高移動度トランジスタ. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018
  5. 寺地 徳之. 量子センシングデバイスを目指したダイヤモンド結晶成長. 平成30年度磁性材料研究会. 2018
  6. 寺地 徳之. 量子センシングデバイスを目指したダイヤモンド結晶成長. 平成30年度磁性材料研究会. 2018
  7. 松山 悠夏, 鹿田 真一, 寺地 徳之. ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長での転位発生. 先進パワー半導体分科会 第5回講演会. 2018
  8. 嶋岡 毅紘, 市川 公善, 渡邊 賢司, 小泉 聡, 寺地 徳之. エッチピット形成によるダイオード漏れ電流欠陥の検出. 先進パワー半導体分科会 第5回講演会. 2018
  9. TERAJI, Tokuyuki. Ultra-high purity diamond chemical vapor deposition. ACSIN-14 & ICSPM26. 2018
  10. 廖 梅勇, ウ ハイファ, サン リウエン, 井村 将隆, 寺地 徳之, 小出 康夫. 超高品質因子を持つ単結晶ダイヤモンドMEMS共振子. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  11. 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  12. 寺地 徳之, 渡邊 賢司. 高純度ホモエピタキシャルダイヤモンド(111)成長. 2018年 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  13. 市川 公善, 嶋岡 毅紘, 小泉 聡, 寺地 徳之. Au/ダイヤモンドショットキー障壁高さの安定性評価とその向上. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  14. 嶋岡 毅紘, 市川 公善, 渡邊 賢司, 小泉 聡, 寺地 徳之. ダイヤモンドダイオードの漏れ電流を誘起する欠陥検出. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  15. SASAMA, Yosuke, KOMATSU, Katsuyoshi, MORIYAMA, Satoshi, IMURA, Masataka, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UJI, Shinya, UCHIHASHI, Takashi, YAMAGUCHI, Takahide. Quantum transport in an h-BN / diamond heterostructure. 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2018
  16. SASAMA, Yosuke, KOMATSU, Katsuyoshi, MORIYAMA, Satoshi, IMURA, Masataka, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, UCHIHASHI, Takashi, YAMAGUCHI, Takahide. High mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric. 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2018
  17. 小泉聡, 寺地徳之, 嶋岡毅紘. Heavily phosphorus doping of diamond and the electrical characteristics. 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2018
  18. TERAJI, Tokuyuki. Thick homoepitaxial diamond (111) film growth. ICDCM 2018. 2018
  19. 寺地 徳之. 超高純度・高品質ダイヤモンド結晶の化学気相成長 -パワーデバイス・量子デバイスへの応用を目指して-. クリスタルビジネス研究会第103回研究会. 2018
  20. Junichi Isoya, 寺地徳之, Hitoshi Sumiya, Shinobu Onoda, Takashi Tanii, Hiroshi Kawarada. Growth of single crystal diamond and fabrication of spin defects for quantum science and technology applications. 2018 De Beers Diamond Conference. 2018
  21. 寺地 徳之. パワーデバイス応用とスピントロニクス応用を目指した超高純度ダイヤモンド気相成長. 関西学院大学理工学部講演会. 2018
  22. TERAJI, Tokuyuki. Thick Homoepitaxial Layer Growth - A New Approach to Obtain Desired Substrates. 12th New Diamond and Nano Carbons Conference (NDNC 2018). 2018
  23. KOIZUMI, Satoshi, TERAJI, Tokuyuki, SHIMAOKA, Takehiro. Growth and characterization of heavily phosphorus doped n-type diamond thin films. The 12th International New Diamond and Nano Carbons Conference. 2018
  24. 寺地 徳之. ダイヤモンドショットキー障壁界⾯での輸送機構 ―⾼耐圧ダイオードの形成を⽬指して. 半導体界面制御技術第154委員会第107回研究会. 2018
  25. 寺地 徳之. ダイヤモンドの特徴と化学気相成長. 出張講義(茨城県立並木中等教育学校). 2018
2017
  1. TERAJI, Tokuyuki. Homoepitaxial Diamond Films Growth for Electronic Device Application. 2017 MRS Fall Meeting. 2017
  2. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki. Boron-Doped Diamond Multilayers-New Approach towards High Blocking Voltage Devices. 2017 MRS Fall Meeting. 2017
  3. 小泉聡, 寺地徳之, 嶋岡毅紘. {111}単結晶CVD厚膜表面での高濃度リンドープダイヤモンド成長. 第31回ダイヤモンドシンポジウム. 2017
  4. 廖 梅勇, ウ ハイファ, サン リウエン, 寺地 徳之, 井村 将隆, 小出 康夫. 超高品質因子を持つ単結晶ダイヤモンドMEMS振動子. 第31回ダイヤモンドシンポジウム. 2017
  5. 寺地 徳之, フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 桐谷 範彦, 谷本 智, ゲラール エチェン, 小出 康夫. 炭化タングステン縦型ダイヤモンドショットキーダイオードの漏れ電流増加機構. 第31回ダイヤモンドシンポジウム. 2017
  6. LIAO, Meiyong, WU, Haihua, SANG, Liwen, TERAJI, Tokuyuki, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo. ltra-high quality factor single crystal diamond MEMS resonators. OIST Diamond Workshop 2017” (ODW2017). . 2017
  7. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki. Electrical properties of Schottky diodes formed on boron-doped diamond multilayers. OIST Diamond Workshop 2017. 2017
  8. TERAJI, Tokuyuki. High Purity Diamond Films Growth for Electronic Device Application. OIST Diamond Workshop 2017. 2017
  9. Tokuyuki Teraji. (Invited) Ultrapure Homoepitaxial Diamond Films Grown by Chemical Vapor Deposition. 232nd ECS MEETING. 2017
  10. TERAJI, Tokuyuki, Haihua Wu, SANG, Liwen, WU, Kongping, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo, LIAO, Meiyong. Reducing energy dissipation and surface effect of diamond nanoelectromechanical resonators by annealing in oxygen ambient. EMRS 2017 Fall meeting. 2017
  11. TERAJI, Tokuyuki. High-quality homoepitaxial diamond growth and color center formation. ISQIT 2017. 2017
  12. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之. Growth and Characterization of Conductive Diamond Multilayers for Schottky Diodes. The 78th JSAP Autumn Meeting. 2017
  13. LIAO, Meiyong, WU, Haihua, SANG, Liwen, TERAJI, Tokuyuki, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo. Surface effect and improvement of the quality factor of single crystal diamond NEMS resonators . 28th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2017
  14. TERAJI, Tokuyuki. High purity homoepitaxial diamond (111) film growth. 28th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2017
  15. TERAJI, Tokuyuki, J. Isoya, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo. Homoepitaxial chemical vapor deposition of diamond film for ultra-light doping. The 11th International Conference on New Diamond and Nano Carbon. 2017
  16. TERAJI, Tokuyuki, Philipp Neumann, Joerg Wrachtrup, Lachlan Rogers, Fedor Jelezko, Junichi Isoya. High Purity and High Quality Homoepitaxial Diamond Growth for Quantum Information and Quantum Sensing Device Applications. 2017 MRS Spring Meeting. 2017
  17. 寺地 徳之. 超高純度ダイヤモンド気相成長. TIAかけはし「ダイヤモンド電子デバイス実用化のための調査研究」第. 2017
  18. 福田 諒介, 東又 格, 岡田 拓真, 加賀美 理沙, 寺地 徳之, 小野田 忍, 春山 盛義, 山田 圭介, 稲葉 優文, 山野 颯, Priyadharshini Balasubramanian, Felix Stuerner, Simon Schmitt, Liam P McGuinness, Fedor Jelezko, 大島 武, 品田 高宏, 川原田 洋, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, 谷井 孝至. 浅い単一NVセンターの規則的配列を用いた表面の水素核スピンの検出. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  19. 河合 空, 山野 颯, 梶家 美貴, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 福田 諒介, 岡田 拓真, 東又 格, 春山 盛義, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 寺地 徳之, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, 川原田 洋. 表面終端がダイヤモンド中の浅いNVセンターへ与える影響. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  20. 川原田 洋, 山野 颯, 河合 空, 梶家 美貴, 加藤 かなみ, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 岡田 拓真, 東又 格, 春山 盛義, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 寺地 徳之, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一. N-V中心NMRのためのダイヤモンド表面の電荷安定性. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  21. 廖 梅勇, ウ ハイファ, サン リウエン, 井村 将隆, 寺地 徳之. The Effect of Annealing in Oxygen Ambient on the Single Crystal Diamond Mechanical Resonetors. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  22. 小野田 忍, 立見 和雅, 春山 盛義, 寺地 徳之, 磯谷 順一, 山田 圭介, 谷井 孝至, 川原田 洋, 品田 高宏, 加田 渉, 花泉 修, 大島 武. イオン注入による原子空孔の形成とNVセンターへの変換効率. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  23. 春山 盛義, 小野田 忍, 加田 渉, 磯谷 順一, 寺地 徳之, 山野 颯, 川原田 洋, 大島 武, 花泉 修. イオン注入法によって作製したNVセンター近傍の欠陥のナノスケール磁気共鳴測定. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  24. 立見 和雅, 春山 盛義, 小野田 忍, 寺地 徳之, 磯谷 順一, 加田 渉, 大島 武, 花泉 修. ダイヤモンド蛍光飛跡検出器におけるNVセンター形成効率の窒素濃度依存性. 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  25. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之. Pulsed Gas Mixtures for Sharp Doping Transitions in Diamond Multilayers. the 64th JSAP Spring Meeting 2017. 2017
  26. SHIMAOKA, Takehiro, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi. Detection of killer defects in diamond by cathodoluminescence. Hasselt diamond workshop. 2017
  27. TERAJI, Tokuyuki, H. Umezawa. Defect reduction in homoepitaxial diamond films for high blocking voltage Schottky diodes. Hasselt Diamond Workshop 2017. 2017
2016
  1. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki. Smart Control of Boron Doping by Methane and Oxygen Admixtures for Diamond Multilayers Growth. 2016 MRS Fall Meeting & Exhibit. 2016
  2. MeiyongLiao, Masaya Toda, SANGLiwen, 寺地徳之, 井村将隆, 小出康夫. High-quality factor diamond mechanical resonators. 第30回ダイヤモンドシンポジウム. 2016
  3. 嶋岡 毅紘, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 小泉 聡. カソードルミネッセンス法によるダイヤモンドのキラー欠陥評価. 第30回ダイヤモンドシンポジウム. 2016
  4. 寺地 徳之, 渡邊 賢司. 酸素添加条件で成長したホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価. 第30回ダイヤモンドシンポジウム. 2016
  5. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之. Study of TMB/CH4/O2/H2 Plasmas for Diamond Doped Multilayers. JSAP Autumn Meeting 2016. 2016
  6. 廖 梅勇, 戸田 雅也, サン リウエン, 寺地 徳之, 井村 将隆, 小出 康夫. 単結晶ダイヤモンド機械共振子の品質係数の向上. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  7. 河合 空, 山野 颯, 梶家 美貴, 加藤 かなみ, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 岡田 拓真, 東又 格, 春山 盛義, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 寺地 徳之, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, 川原田 洋. 表面酸化によるダイヤモンド中の浅いNVセンターのコヒーレンス特性. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  8. 東又 格, 岡田 拓真, 加賀美 理沙, 寺地 徳之, 小野田 忍, 春山 盛義, 山田 圭介, 稲葉 優文, 山野 颯, Priyadharshini Balasubramanian, Liam P McGuinness, Boris Naydenov, Fedor Jelezko, 大島 武, 品田 高宏, 川原田 洋, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, 谷井 孝至. ナノホールレジストマスクを用いた低エネルギーイオン注入による量子センシングのためのNVセンター配列の作製. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  9. 梶家 美貴, 加藤 かなみ, 河合 空, 山野 颯, Suaebah Evi, 蔭浦 泰資, 稲葉 優文, 東又 格, 春山 盛義, 谷井 孝至, 山田 圭介, 小野田 忍, 寺地 徳之, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, 河野 省三, 川原田 洋. DNAのNMR検出に向けたNH2終端ダイヤモンド中の浅いNVセンター. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  10. 岡田 拓真, 東又 格, 加賀美 理沙, 寺地 徳之, 小野田 忍, 山田 圭介, 春山 盛義, 稲葉 優文, 山野 颯, Priyadharshini Balasubramanian, Boris Naydenov, Liam P McGuinness, Fedor Jelezko, 大島 武, 品田 高宏, 川原田 洋, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, 谷井 孝至. ナノホールレジストマスクを用いたNVセンター配列の作製Ⅱ. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  11. 青木 俊周, 寺地 徳之, 小出 康夫, 塩島 謙次. 界面顕微光応答法を用いたAu/p形ダイヤモンドショットキー接触の2次元評価. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  12. 加賀美 理沙, 東又 格, 岡田 拓真, 寺地 徳之, 小野田 忍, 春山 盛義, 大島 武, 品田 高宏, 加田 渉, 花泉 修, 磯谷 順一, 谷井 孝至. イオン注入を用いたSiVセンターの作製と生成収率のエネルギー依存性評価. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  13. 小野田 忍, 立見 和雅, 春山 盛義, 寺地 徳之, 磯谷 順一, 山野 颯, 川原田 洋, 加田 渉, 花泉 修, 大島 武. イオン飛跡に沿って形成されるNVセンターのスピン特性. 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  14. TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji. 3D Imaging of Defects in High-Purity Homoepitaxial Diamond (100) Films. International Conference on Diamond and Carbon Materials 2016. 2016
  15. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki. Diamond etching under high B/C gas ratios. 27th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2016
  16. 寺地 徳之. ダイヤモンド半導体の基礎物性と結晶成長. 理研セミナー. 2016
  17. Toshichika Aoki, TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo, Kenji Shiojima. Displacement Current of Au/p-type Diamond Schottky Contacts. ISCSI-VII/ISTDM2016. 2016
  18. TERAJI, Tokuyuki. Ultrapure diamond growth by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition . ISCSI-VII/ISTDM2016. 2016
  19. TERAJI, Tokuyuki. High quality and high purity homoepitaxial diamond film growth by chemical vapor deposition for high-performance devices. The 10th International Conference on NDNC. 2016
  20. 寺地 徳之. 超高純度ダイヤモンドの成長とその物性. 第8回窒化物半導体結晶成長講演会. 2016
  21. T.Shinada, P. Enrico, P.Enrico, T.Tanii, TERAJI, Tokuyuki, S.Onoda, F. Jelezko, J.Isoya. Deterministic doping for quantum processing devices in silicon and diamond. EMN Quantum Meeting 2016. 2016
  22. TERAJI, Tokuyuki. High Purity and High Quality Homoepitaxial Diamond Growth for Power Device Application. MRS 2016 Spring Meeting. 2016
  23. 立見和雅, 春山盛善, 小野田忍, 寺地 徳之, 磯谷順一, 加田渉, 大島武, 花泉修. ダイヤモンド蛍光飛跡検出器のイオン種依存性. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  24. 山野颯, 加藤かなみ, 蔭浦泰資, 稲葉優文, 東又格, 小池悟大, 春山盛義, 谷井孝至, 小野田忍, 寺地 徳之, 加田渉, 花泉修, 磯谷順一, 川原田洋. 磁気センサー応用に向けた単一のNVセンターの作製と状態の評価. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  25. 寺地 徳之. 超高純度ダイヤモンドの成長とカラーセンターの極微量濃度制御. 日本物理学会第71回年次大会. 2016
  26. 寺地 徳之, 渡邊 賢司. 酸素添加条件で成長したホモエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜中の欠陥評価. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  27. 河野省三, 寺地 徳之, 竹内大輔, 小倉政彦, 児玉英之, 澤邊厚仁. 水素終端ダイヤモンド(001)表面の金オーミック電極の障壁高さ. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  28. 寺地 徳之, 渡邊 賢司. 酸素添加条件で成長したホモエピタキシャルダイヤモンド(100)薄膜中の欠陥評価. 第63回応用物理学会学術講演会. 2016
  29. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之. Diamond growth perturbed by high TMB partial pressures. The 63rd Spring Meeting, 2016. 2016
  30. 春山 盛善, 小野田 忍, 立見 和雅, 寺地 徳之, 磯谷 順一, 加田 渉, 大島 武, 花泉 修. NVセンターの形成効率の熱処理温度依存性. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  31. 加藤 かなみ, 山野 颯, 蔭浦 泰資, 瀬下 裕志, 稲葉 優文, 東又 格, 小池 悟大, 谷井 孝至, 磯谷 順一, 寺地 徳之, 小野田 忍, 春山 盛善, 加田 渉, 花泉 修, 川原田 洋. 表面終端による浅いNVセンターの電荷状態. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
  32. 塩島謙次, 青木俊周, 寺地 徳之, 小出 康夫. Au/p形ダイヤモンドショットキー接触の変位電流-p形GaNショットキー接触との比較-. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
2015
  1. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki, Jose Pinero, Daniel Araujo, KOIDE, Yasuo. Smart nano-scale interlayer formation for SBD electrical properties stable above 600K. 2015 MRS Fall Meeting & Exhibit. 2015
  2. 寺地 徳之. 半導体の基礎Ⅰ:なぜ半導体が光るのか. ソディック−未踏科学技術協会 企業内セミナー. 2015
  3. TERAJI, Tokuyuki. High quality homoepitaxial diamond films for high-performance electronic devices. IUMRS-ICAM2015. 2015
  4. TERAJI, Tokuyuki. Ultrapure diamond growth by chemical vapor deposition. International Conference on Solid State Devices and Materials. 2015
  5. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之, Jose Pinero, Daniel Araujo, 小出 康夫. Nano-scale interlayer formation for stable SBD electrical properties. 76th JSAP Autumn Meeting, 2015. 2015
  6. TERAJI, Tokuyuki. Diamond film growth for formation of single photon source. Diamond Quantum Sensing Workshop 2015. 2015
  7. TERAJI, Tokuyuki. Reproducible Growth of Homoepitaxial Diamond Thicker (>10 µm) Film with Low Defect Density. 3rd - French-Japanese workshop on diamond power devices . 2015
  8. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo. Oxycarbide Formation for Ideal and Thermally Stable Diamond Schottky-barrier Diodes. 3rd - French-Japanese workshop on diamond power devices. 2015
  9. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki, Jose Pinero, Daniel Araujo, KOIDE, Yasuo. Interlayer effects on the electrical property of WC/diamond Schottky diodes. 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons. 2015
  10. TERAJI, Tokuyuki. Homoepitaxial diamond film growth for single color centers. 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbon. 2015
  11. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之, Jose Pinero, Daniel Araujo, 小出 康夫. Role of the oxygen interlayer on electrical properties of WC/p-diamond Schottky diodes. The 62nd JSAP Spring Meeting, 2015. 2015
  12. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki, Jose Pinero, Daniel Araujo, KOIDE, Yasuo. Influence of the surface termination on the ideality of diamond Schottky diodes. Hasselt Diamond Workshop 2015 SBDD XX . 2015
  13. TERAJI, Tokuyuki. High purity homoepitaxial diamond growth by chemical vapor deposition for high-performance electronic devices. Hasselt Diamond Workshop 2015 SBDD XX. 2015
2014
  1. TERAJI, Tokuyuki. Isotopically-Engineered High Purity Diamond Film Growth. 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit. 2014
  2. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo. Thermally Stable p-Diamond Schottky Barrier Diodes at 600 K. 2014 MRS Fall Meeting & Exhibit. 2014
  3. 寺地 徳之. ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜成長における欠陥低減. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之, 小出 康夫. WC/p-diamond interface reaction at 600 K for stable diodes. 75th JSAP Autumn Meeting 2014. 2014
  5. FIORI, Jean-Yves Alexandre, TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo. Schottky-Barrier Inhomogeneities in WC/p-diamond at High Temperature. Solid State Devices and Materials 2014. 2014
  6. 寺地 徳之, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 小泉 聡, 小出 康夫, J. Isoya. 同位体制御されたダイヤモンド成長のためのメタンガス高効率利用. 第33回電子材料シンポジウム(EMS33). 2014
  7. 山本 卓, C. Muller, L. P. McGuinness, 寺地 徳之, B. Naydenov, 小野田忍, 大島武, 小泉 聡, J. Wrachtrup, F. Jelezko, 磯谷順一. 窒素分子・炭素イオン共注入による室温ダイヤモンドスピン量子ビット. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  8. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之, 小出 康夫. WC/p-diamond Schottky Diode Behaviour at High Temperature. 2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  9. 寺地 徳之, 山本 卓, 小泉 聡, 渡邊 賢司, 小野田忍, 大島武, B. Naydenov, F. Jelezko, 磯谷順一. 単一光子源形成に適したダイヤモンド薄膜の成長. 第61回応用物理学会春季学術講演会 . 2014
  10. TERAJI, Tokuyuki, YAMAMOTO, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, S. Onoda, T. Ohshima, L. P. McGuinness, B. Naydenov, F. Jelezko, J. Isoya. Diamond film growth for formation of single photon source. Hasselt Diamond Workshop 2014 SBDD XIX. 2014
2013
  1. 寺地 徳之, 谷口 尚, 小泉 聡, 小出 康夫, 磯谷順一. 原料ガスの高効率利用による同位体濃縮ダイヤモンドの合成. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  2. 山本 卓, クリストフ ミュラー, リアム マクグイネス, 寺地 徳之, ボリス ナイデノフ, 小野田忍, 大島武, フェド ヤレツコ, 小泉 聡, ヨーク バフトフ, 磯谷順一. ダイヤモンドスピン量子ビットの磁気的結合. 第27回ダイヤモンドシンポジウム. 2013
  3. 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 磯谷順一. 同位体濃縮ダイヤモンドの合成とその物性. 第27回ダイヤモンドシンポジウム. 2013
  4. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之, 小出 康夫. 炭化タングステン/p型ダイヤモンドショットキー界面の熱的安定性. 第27回ダイヤモンドシンポジウム. 2013
  5. TERAJI, Tokuyuki. Homoepitaxial Growth of High-Quality Diamond Films and Their Semiconducting Properties. Workshop on Strategic Japanese-Croatian Cooperative Program. 2013
  6. 寺地 徳之. 原料ガスを高利用率でダイヤモンドに変換する新合成技術. 第13回 NIMSフォーラム. 2013
  7. FIORI, Jean-Yves Alexandre, F. Jomard, TERAJI, Tokuyuki, E. Bustarret. Improved Depth Resolution in Chemical Profile Using Isotope Carbon Delta-Doping Diamond Structures. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  8. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Effective Use of Isotopically-Enriched Methane for Diamond Film Growth. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia . 2013
  9. フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 寺地 徳之, 小出 康夫. Homogeneity of WC p-type diamond Schottky interfaces. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  10. TERAJI, Tokuyuki, FIORI, Jean-Yves Alexandre, KOIDE, Yasuo. Reverse current transport at diamond Schottky barrier interfaces. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia . 2013
  11. YAMAMOTO, Takashi, Christoph Muller, Liam P. McGuinness, TERAJI, Tokuyuki, Boris Naydenov, Fedor Jelezko, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, KOIZUMI, Satoshi, Joerg Wrachtrup, Fedor Jelezko, Junichi Isoya. Magnetically-coupled diamond qubits by molecular nitrogen implantation. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  12. 寺地 徳之, 山本 卓, 小泉 聡, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 小野田 忍, 大島 武, 磯谷 順一. 高純度12C同位体濃縮ダイヤモンドのホモエピタキシャル合成. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  13. TERAJI, Tokuyuki, FIORI, Jean-Yves Alexandre, KOIDE, Yasuo. Inhomogeneous Schottky barrier height at metal/diamond interfaces. ICDCM2013. 2013
  14. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi, J. Isoya, KOIDE, Yasuo. Effective use of source gas for isotpically-enriched diamond growth. ICDCM2013. 2013
  15. 寺地 徳之. ダイヤモンド高耐圧ダイオードの現状と課題. 平成25年度 第1回研究会. 2013
  16. TERAJI, Tokuyuki. Diamond Schottky Barrier Diodes: Current Transport Mechanisms and Thermal Stability. 1st French-Japanese workshop on diamond power devices. 2013
  17. TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo. p-type diamond Schottky interfaces ‒ Current transport mechanisms and thermal stability ‒. ISCSI VI. 2013
  18. FIORI, Jean-Yves Alexandre, François Jomard, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, Junichi Isoya, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret. Synchronized B and 13C diamond delta structures for an ultimate in-depth chemical characterization. ISCSI VI. 2013
  19. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Effective use of source gas for 12C enriched diamond growth. ISCSI VI. 2013
  20. 寺地 徳之, 谷口 尚, 小泉 聡, 小出 康夫, 磯谷 順一. 同位体濃縮ダイヤモンド合成のためのメタンガス高効率利用. 第60回 応用物理学関係連合講演会. 2013
  21. FIORI, Jean-Yves Alexandre, F. Jomard, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, J. Isoya, G. Prudon, E. Gheeraert, E. Bustarret. Synchronized B and 13C diamond delta structures. Hasselt Diamond Workshop 2013 SBDD XVIII. 2013
  22. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, Takashi Yamamoto, Shinobu Onoda, Ohshima Takeshi, B. Naydenov, F. Jelezko, Junichi Isoya. Isotopically-enriched 12C diamond films grown by chemical vapor deposition. Hasselt Diamond Workshop 2013 SBDD XVIII. 2013
  23. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, Junichi Isoya. Effective use of methane for isotopic enriched diamond growth. Hasselt Diamond Workshop 2013 SBDD XVIII . 2013
2012
  1. LIAO, Meiyong, TERAJI, Tokuyuki, SANG, Liwen, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo. Strategies to develop single crystal diamond deep-ultraviolet detectors. IUMRS-International Conference on Electronic Materials 2012. 2012
  2. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Isotopically-enriched 12C diamond films. IUMRS-ICEM 2012. 2012
  3. Alex Fiori, Franc Jomard, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, Junichi Isoya, Julien Pernot, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret. SIMS analysis of delta-doped diamond structures. IUMRS-ICEM2012. 2012
  4. TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo. p-type diamond Schottky diodes -current transport mechanisms and defects. IUMRS-ICEM 2012. 2012
  5. ohshima takeshi , yamamoto takashi , onoda shinobu, abe hiroshi, S. Sato, K. Jahnke, P. Heller, A. Gerstmayr, A. Häußler, B. Naydenov, F. Jelezko, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, J. Wrachtrup, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji, M. L. Markham, D. J. Twitchen, M. Miyanari, T. Umeda, isoya junichi . Creation of Nitrogen-Vacancy Centers in Diamonds by Nitrogen Ion Implantation. IUMRS-ICEM 2012. 2012
  6. LIAO, Meiyong, HISHITA, Shunichi, KOIZUMI, Satoshi, TERAJI, Tokuyuki, SANG, Liwen, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo. Single crystal diamond MEMS/NEMS. International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2012
  7. yamamoto takashi, onoda shinobu, ohshima takeshi, K. Jahnke, A. Gerstmayr, A. Häußler, P. Heller, B. Naydenov, F. Jelezko, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, J. Wrachtrup, WATANABE, Kenji, TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, M. L. Markham, D. J. Twitchen, M. Miyanari, T. Umeda, J. Isoya. Defect Engineering in Fabrication of NV Centers by Nitrogen Ion Implantation. ICDCM 2012 . 2012
  8. TERAJI, Tokuyuki, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo. Thermally-stable tungsten carbide/p-diamond Schottky diodes. ICDCM 2012. 2012
  9. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Isotopically-enriched 12C diamond films grown by chemical vapour deposition. ICDCM 2012. 2012
  10. onoda shinobu, yamamoto takashi , ohshima takeshi , abe hiroshi, isoya junichi , isoya junichi , WATANABE, Kenji, TERAJI, Tokuyuki. Single Ion Detection by Ion Beam Induced Luminescence from Diamond Containing NV Centers. Diamond Detectors. 2012
2011
  1. 廖 梅勇, 寺地 徳之, 井村 将隆, 小出 康夫. 種々ダイヤモンド薄膜を用いたダイヤモンド紫外線センサーの光応答特性. 第25回ダイヤモンドシンポジウム. 2011
  2. 谷口 尚, 寺地 徳之, 磯谷順一. 炭素同位体組成を制御した高純度ダイヤモンド単結晶の高圧合成. 第25回 ダイヤモンドシンポジウム. 2011
  3. TERAJI, Tokuyuki, FIORI, Jean-Yves Alexandre, Norihiko KIRITANI, Satoshi TANIMOTO, Shinya Ohmagari, KOIDE, Yasuo. Imperfections for diamond Schottky diodes. DIAMOND 2011. 2011
  4. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya. Isotope enriched diamond growth by chemical vapour deposition. DIAMOND 2011. 2011
  5. 寺地 徳之, 小泉 聡, 廖 梅勇, 磯谷順一. 同位体濃縮したダイヤモンド薄膜の化学気相合成. 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  6. 寺地 徳之, 小出 康夫. 炭化タングステン/p 型ダイヤモンドショットキーダイオードの漏れ電流特性. 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  7. GARINO, Yiuri, TERAJI, Tokuyuki, LAZEA, Andrada, KOIZUMI, Satoshi. Injection Mechanism in {111}-oriented homoepitaxial diamond p-n junction. International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011. 2011
  8. LAZEA, Andrada, TERAJI, Tokuyuki, GARINO, Yiuri, KOIZUMI, Satoshi. High quality p-type {111} homoepitaxial diamond thin films produced for diamond based devices. 2011 MRS Spring Meeting. 2011
  9. 寺地 徳之, フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 桐谷範彦, 谷本 智, 小出 康夫. 炭化タングステン/p型ダイヤモンドショットキーダイオードの逆方向特性. 第58回 応用物理学関係連合講演会. 2011
  10. GARINO, Yiuri, TERAJI, Tokuyuki, LAZEA, Andrada, KOIZUMI, Satoshi. Excess Tunnel Current in {111}-oriented homoepitaxial diamond p-n junction. SBDD2011. 2011
  11. 寺地 徳之. 金属/p型ダイヤモンド界面の安定性とショットキーダイオード特性. ダイヤモンド表面・界面の基礎物性. 2011
  12. 寺地 徳之. ダイヤモンドエピタキシャル膜成長. ダイヤモンドパワーデバイス研究交流会. 2011
  13. 寺地 徳之, 小出 康夫. ダイヤモンドショットキーコンタクト. ダイヤモンドパワーデバイス研究交流会. 2011
2010
  1. ガリーノ ユーリ, 小泉 聡, 寺地 徳之, ラーザ アンドラーダ. {111}ホモエピタキシャルダイヤモンドpn接合の電荷輸送機構. 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  2. 寺地 徳之, フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 桐谷範彦, 谷本 智, 小出 康夫. 炭化タングステン/p型ダイヤモンドショットキーダイオードの耐圧特性. 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  3. 寺地 徳之. 大型単結晶基板上へのダイヤモンド薄膜ホモエピタキシャル成長. 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  4. ラーザ アンドラーダ, 寺地 徳之, 小泉 聡. High quality boron-doped {111} homoepitaxial diamond thin films grown for electrical device applications . 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  5. 寺地 徳之, フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 桐谷範彦, 谷本 智, 小出 康夫. 低ショットキー障壁パッチがもたらすダイヤモンドショットキーダイオード逆方向電流の増加. 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2010
  6. LIAO, Meiyong, WANG, Xi, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo. Photocurrent gain in intrinsic diamond detectors with non-Ohmic contacts. The 4th International Conference on New Diamond and Nano Carbon . 2010
  7. 寺地 徳之, 小出 康夫. ダイヤモンドモットダイオード. 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  8. TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo, Toshimichi Ito. Stability of p-type diamond Schottky diode in high-temperature operation. SBDD 2010. 2010
2009
  1. 寺地 徳之, 小出 康夫, 伊藤利道. Au/p-diamondショットキー界面のキャリヤ輸送機構. 第18回SiC及び関連ワイドギャップ半導体講演会. 2009
  2. Julien Pernot, Pierre Nicolas Volpe, Franck Omnes, Pierre Muret, Vincent Mortet, Ken Haenen, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi. Mobility in Homoepitaxial Doped Diamond. MRS 2009 Fall Meeting. 2009
  3. 寺地 徳之. 下地研磨プロセスに起因するダイヤモンド表面形態の変化. 第23回ダイヤモンドシンポジウム. 2009
  4. 寺地 徳之, ガリーノ ユーリ, 小出 康夫, 伊藤利道. 真空紫外線/オゾン処理を用いて形成したp型ダイヤモンドショットキーダイオード. 第23回ダイヤモンドシンポジウム. 2009
  5. 廖 梅勇, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. 非オーミック電極型ダイヤモンド検出器で発現する光電流利得. 第23回ダイヤモンドシンポジウム. 2009
  6. TERAJI, Tokuyuki, GARINO, Yiuri, KOIDE, Yasuo, Toshimichi Ito. Low reverse-current diamond Schottky diodes prepared by VUV/ozone treatment. Diamond 2009. 2009
  7. TERAJI, Tokuyuki, GARINO, Yiuri, KOIDE, Yasuo, Toshimichi Ito. Low reverse-current diamond Schottky diodes prepared by VUV/ozone treatment. Diamond 2009. 2009
  8. LIAO, Meiyong, WANG, Xi, TERAJI, Tokuyuki, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo. Photocurrent gain dependence on deep-ultraviolet intensity in diamond detector. Diamond 2009. 2009
  9. ガリーノ ユーリ, 寺地 徳之, 小泉 聡. Electrical characterization of {111}-oriented homoepitaxial diamond p-n junction. 56th Spring Meeting, 2009. 2009
  10. 寺地 徳之, ガリーノ ユーリ, 小出 康夫, 伊藤 利道. 低漏れ電流p型ダイヤモンド横型ショットキーダイオード. 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
  11. 廖 梅勇, 王 希, 寺地 徳之, 井村 将隆, 小出 康夫. ダイヤモンド・フォトディテクタおける光誘起する光電流利得特性. 2009年春季 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
  12. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. p型ボロンドープダイヤモンドへの熱処理を伴わないオーミック電極の形成. 第56回応用物理学関係連合講演会. 2009
  13. GARINO, Yiuri, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi. Electrical characterization of {111}-oriented homoepitaxial diamond p-n junction. SBDD 2009. 2009
  14. TERAJI, Tokuyuki, GARINO, Yiuri, KOIDE, Yasuo, Toshimichi ITO. Low-leakage p-diamond Schottky diodes with lateral configuration. SBDD 2009. 2009
2008
  1. 寺地 徳之, ガリーノ ユーリ, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜に形成した横型ショットキーダイオード. 第17回シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2008
  2. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. p型ホウ素ドープダイヤモンドへの室温オーミックコンタクトの形成. 第22回ダイヤモンドシンポジウム. 2008
  3. ガリーノ ユーリ, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, Toshimichi ITO . Charging behavior in reverse characteristics of diamond Schottky diodes. 第22回ダイヤモンドシンポジウム. 2008
  4. 寺地 徳之, ガリーノ ユーリ, 小出 康夫, 伊藤利道. ダイヤモンドショットキーダイオードの界面輸送機構. 第22回ダイヤモンドシンポジウム. 2008
  5. 寺地 徳之, 小泉 聡, 伊藤利道, 小出 康夫. ホウ素ドープp型ダイヤモンドのショットキー障壁高さの温度依存性. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  6. ガリーノ ユーリ, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. Reverse current transient behavior in diamond lateral Schottky diodes. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  7. WATANABE, Kenji, TERAJI, Tokuyuki, Toshimichi Ito, KANDA, Hisao. Time-resolved photoluminescence of free exciton in diamond under low excitation. 第27回電子材料シンポジウム(EMS27) . 2008
  8. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. ホウ素ドープp型ダイヤモンドショットキーダイオードの障壁高さ. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  9. 寺地 徳之, ミューレ ピエール, ペルノー ジュリアン , 伊藤利道. 過渡容量分光法によるホウ素ドープダイヤモンドの深い準位の評価. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  10. 渡邊 賢司, 寺地 徳之, 神田 久生, 伊藤利道. 弱励起下におけるダイヤモンド励起子発光の高速時間分解分光. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  11. 桐谷範彦, 谷本 智, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. メサ構造単結晶ダイヤモンド縦型ショットキーバリアダイオードの作製. 2008年春季応用物理学会学術講演会. 2008
  12. GARINO, Yiuri, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, Toshimichi ITO. Electric property of Schottky contacts of p-type homoepitaxial {100} diamond with various boron concentrations. SBDD 2008. 2008
  13. A. Lazea, V. Mortet, J. D’Haen, P. Geithner, J. Ristein, TERAJI, Tokuyuki, M. D’Olieslaeger, K. Haenen. Novel conditions for P-doping of polycrystalline diamond films: characterisation and devices. SBDD 2008. 2008
  14. TERAJI, Tokuyuki, ITOToshimichi. Lateral-type Schottky diodes of p-type homoepitaxial diamond (100) films. Hasselt Diamond Workshop – SBDD XIII. 2008
2007
  1. 寺地 徳之, 伊藤利道. 高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド単結晶薄膜の電気的・光学的特性. SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第16回講演会. 2007
  2. 桐谷範彦, 谷本 智, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. 単結晶ダイヤモンド縦型ショットキーバリアダイオードの電気特性. 第21回ニューダイヤモンドフォーラム. 2007
  3. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 低濃度p型ホモエピタキシャルダイヤモンドのショットキーダイオード. 第21回ダイヤモンドシンポジウム. 2007
  4. Osamu Maida, Hidetaka Miyatake, TERAJI, Tokuyuki, ITOToshimichi. Crystalline Quality Improvements of the Homoepitaxial CVD Diamond Films on the Vicinal Substrates. Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interf. 2007
  5. A. Lanzea, V. Mortet, W. Gajewski, J.A. Garrido, TERAJI, Tokuyuki, K. Haenen. n-Type P-doped diamond films grown on substrates of different orientations. DIAMOND2007. 2007
  6. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 低濃度p型ダイヤモンド薄膜に形成した横型ショットキーダイオード. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  7. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. Electric field breakdown of lateral Schottky diodes of diamond. NDNC 2007. 2007
  8. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. ダイヤモンド薄膜上に形成したショットキーダイオードの絶縁破壊. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  9. TERAJI, Tokuyuki, ITOToshimichi. Electrical and optical properties of homoepitaxial diamond films grown by high-power microwave plasma-assisted CVD . Hasselt Diamond Workshop – SBDD XII. 2007
  10. Julien Pernot, TERAJI, Tokuyuki, ITOToshimichi. Two layers conduction in homoepitaxial boron doped diamond . Hasselt Diamond Workshop – SBDD XII. 2007
2006
  1. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 金属/高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の接触特性. 第20回ダイヤモンドシンポジウム. 2006
  2. H. Miyatake, K. Arima, TERAJI, Tokuyuki, T. Ito. Further improvement in high crystalline quality of homoepitaxial CVD diamond. DIAMOND2006. 2006
  3. H. Matsubara, TERAJI, Tokuyuki, Y. Saitoh, KOBAYASHI, Keisuke, T. Ito. High-performance diamond soft-X-ray detectors with built-in amplifying function. DIAMOND2006. 2006
  4. TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, H. Miyatake, H. Matsubara, T. Yamamoto, T. Ito. Schottky and Mott diodes formed on high-quality homoepitaxial diamond films. DIAMOND2006. 2006
  5. 松原弘, 毎田修, 寺地 徳之, 伊藤利道, 斎藤祐児, 小林 啓介. 高品質単結晶CVDダイヤモンド薄膜を用いた軟X線検出器の特性評価. 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  6. 山本貴, 松原弘, 毎田修, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高品質CVDダイヤモンドにおけるキャリア拡散の制御とその応用. 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  7. 有馬和也, 宮武 秀宇, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高出力MWPCVD法により作製したダイヤモンド薄膜におけるボロン濃度の(100)面に対するオフ角依存性. 第53回応用物理学会学術講演会. 2006
  8. Bohyun Lee, 寺地 徳之, 伊藤利道. 合成・天然サファイアにおけるF+センターの電子線照射依存性II. 第53回応用物理学会学術講演会. 2006
  9. 山本貴, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高品質CVDダイヤモンド積層構造における励起キャリアの長距離拡散. 第53回応用物理学会学術講演会. 2006
  10. 宮武 秀宇, 有馬和也, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高品質ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド成長における基板表面状態依存性. 第53回応用物理学会学術講演会. 2006
  11. 長谷川哲視, 寺地 徳之, 伊藤利道. CVDダイヤモンドモンド成膜におけるELO法の有効性の検討. 第53回応用物理学会学術講演会. 2006
2005
  1. 松原弘, 寺地 徳之, 伊藤利道. 埋込み型電極を用いた紫外線検出器の特性. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  2. 藤本晋矢, 寺地 徳之, 伊藤利道. ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド薄膜の表面 ナノ構造と電気的特性との相関. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  3. 野呂雅和, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高出力マイクロ波プラズマCVD法における多結晶ダイヤモンド膜の高品質化. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  4. 有馬一也, 寺地 徳之, 伊藤利道. 同一基板上にホモエピタキシャル成長した高出力MWPCVDダイヤモンド薄膜のボロンドーピング濃度依存性. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  5. 長谷川哲視, 寺地 徳之, 伊藤利道. CVDダイヤモンド成膜におけるELO法の有効性の検討. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  6. 宮武 秀宇, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高出力MWPCVDホモエピタキシャルダイヤモンド成長における最適成長条件の基板結晶品質依存性. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  7. 山元貴, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高品質CVDダイヤモンド積層構造における励起キャリアの長距離拡散. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  8. TERAJI, Tokuyuki, Hideki Wada, Michinori Yamamoto, Kazuya Arima, Toshimichi Ito. Highly efficient doping of boron into homoepitaxial diamond films under high growth rate condition. Diamond 2005. 2005
  9. TERAJI, Tokuyuki, Hideki Wada, Hiroshi Matsubara, Toshimichi Ito. Control of free carrier creation and its transport in diamond for UV light detection. Diamond 2005. 2005
  10. 李宝瓶, 寺地 徳之, 伊藤利道. 合成・天然サファイアにおけるF+センターの電子ビーム照射依存性. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  11. 宮武秀宇, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高品質ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド成長における最適成長温度の基板結晶品質依存性. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  12. 藤本晋矢, 中村 純, 寺地 徳之, 伊藤利道. ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド薄膜の表面ナノ構造と電気的特性との相関. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  13. 和泉智久, 寺地 徳之, 伊藤利道. ナノスケール基板上におけるDCマグネトロンスパッタ法により作製した高配向薄膜. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  14. 有馬一也, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高出力MWPCVD法により作製したダイヤモンド薄膜におけるホール移動度のボロンドーピング濃度依存性. 第66回応用物理学会学術講演会. 2005
  15. Jia yu Wang, TERAJI, Tokuyuki, Toshimichi Ito. Fabrication of wrinkled carbon nano- films with excellent field emission characteristics. 10th International Conference on New Diamond Science and Technol. 2005
  16. TERAJI, Tokuyuki, Mitsuhiro Hamada, Michinori Yamamoto, Hideki Wada, Toshimichi Ito. High-quality homoepitaxial diamond (100) films grown under high-rate growth condition. 10th International Conference on New Diamond Science and Technol. 2005
  17. 和泉智久, 寺地 徳之, 伊藤利道. DCマグネトロンスパッタ法によるナノスケール基板上における高配向薄膜の作製. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  18. 山本道詞, 寺地 徳之, 伊藤利道. ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド薄膜合成における前処理プロセスの検討. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  19. 藤本晋矢, 寺地 徳之, 伊藤利道. ホモエピタキシャルCVDダイヤモンド薄膜の表面ナノ構造化による電気的特性の変化. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  20. 李宝瓶, 和田英樹, 寺地 徳之, 伊藤利道. 時間分解フォトルミネセンスによる各種サファイアの評価 . 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  21. 野呂雅和, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高出力マイクロ波プラズマCVD法を用いた多結晶ダイヤモンド膜の高品質化. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  22. 有馬一也, 寺地 徳之, 伊藤利道. 高品質ボロンドープホモエピタキシャルダイヤモンドにおける欠陥とキャリア移動度との相関. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第5822259号 ダイヤモンド結晶成長方法及びダイヤモンド結晶成長装置 (2015)
  2. 特許第5360766号 ダイヤモンド半導体デバイス (2013)
  3. 特許第3303135号 埋め込み金属層を持つ単結晶ダイヤモンドとその形成方法 (2002)
  4. 特許第3265363号 マイクロホールを有している金属薄膜の形成方法 (2002)
公開特許
  1. 特開2016098129号 ダイヤモンド結晶基板加工方法、ダイヤモンド結晶基板配置治具及びダイヤモンド結晶基板加工装置 (2016)
  2. 特開2009023855号 ダイヤモンド表面の改質方法とそれに用いるカバー材。 (2009)
  3. 特開WO2009005134号 ダイヤモンド半導体デバイス (2009)
外国特許
  1. No. EP2169709A4 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2011)
  2. No. US20100289031A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2010)
  3. No. EP2169709A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2010)
  4. No. WO2009005134A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2009)

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