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著者名Kazuki Ito, Hiroshi Saito, Kento Sasaki, Hideyuki Watanabe, Tokuyuki Teraji, Kohei M. Itoh, Eisuke Abe.
タイトルNitrogen-vacancy centers created by N+ ion implantation through screening SiO2 layers on diamond
掲載誌名Applied Physics Letters 110 [21] 213105
ISSN: 00036951, 10773118
ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社AIP Publishing
発表年2017
言語English
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.4984060
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