- Address
- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
外部併任先
- 名古屋大学未来材料・システム研究所客員教授
研究内容
- Keywords
応用物性・結晶工学 薄膜・表面界面物性 電子・電気材料工学 電子デバイス・電子機器 構造・機能材料
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Daiki Nishioka, Takashi Tsuchiya, Masataka Imura, Yasuo Koide, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe. A high-performance deep reservoir computer experimentally demonstrated with ion-gating reservoirs. Communications Engineering. 3 [1] (2024) 81 10.1038/s44172-024-00227-y Open Access
- Keyun Gu, Zilong Zhang, Guo Chen, Jian Huang, Yasuo Koide, Satoshi Koizumi, Wen Zhao, Meiyong Liao. Oxygen-termination effect on the surface energy dissipation in diamond MEMS. Carbon. 225 (2024) 119159 10.1016/j.carbon.2024.119159 Open Access
- Masatomo Sumiya, Hajime Fujikura, Yoshitaka Nakano, Shuhei Yashiro, Yasuo Koide, Tohru Honda. Evaluation of defect density in bulk gallium nitrides by photothermal deflection spectroscopy and steady-state photocapacitance methods. Journal of Crystal Growth. 635 (2024) 127701 10.1016/j.jcrysgro.2024.127701
書籍
- LIAO, Meiyong, Xiaohui Chang, Zhangcheng Liu, Hongxing Wang, KOIDE, Yasuo. Solar-blind deep-ultraviolet detectors. Elsevier, 2019
- LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, SANG, Liwen. Single Crystal Diamond Micromechanical and Nanomechanical Resonators. Springer International Publishing, 2019
- LIU, Jiangwei, KOIDE, Yasuo. Hydrogen-Terminated Diamond MOS Capacitors, MOSFETs, and MOSFET Logic Circuits. Novel Aspects of Diamond II. Springer Cham, 2024, 30.
会議録
- Toshihide Nabatame, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Yasuo Koide, Kazuhito Tsukagoshi. (Invited) Characteristics of GaN/High-k Capacitors Under Positive Bias Stress. ECS Transactions. 112 [1] (2023) 109-117 10.1149/11201.0109ecst
- Jiangwei Liu, Hirotaka Ohsato, Bo Da, Yasuo Koide. Diamond Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors on a Large-Area Wafer. 2023 IEEE 6th International Conference on Electronic Information and Communication Technology (ICEICT). (2023) 10.1109/iceict57916.2023.10245613
- Z. Zhang, L. Sang, H. Wu, J. Huang, L. Wang, S. Koizumi, Y. Kodie, M. Liao. Galfenol-Ti-Diamond Multilayer MEMS Resonator for Magnetic Sensor Working up to 773 K. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). (2019) 10.1109/iedm19573.2019.8993533
口頭発表
- LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Clarification for Interfacial Band Bending of Insulator/Diamond Heterojunction with X-ray Photoelectron Spectroscopy technique. 17th International Conference on Intergranular and Interphase Boundaries in Materials (IIB 2024). 2024 招待講演
- KOIDE, Yasuo, IROKAWA, Yoshihiro, NABATAME, Toshihide, MITSUISHI, Kazutaka. Oxide interface characterization of n/p-GaN for power electronics. 66th Electronic Materials Conference (EMC) 2024. 2024
- LIU, Jiangwei, TERAJI, Tokuyuki, DA, Bo, KOIDE, Yasuo. Improvement of properties for boron-doped diamond MOSFETs. 17th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2024. 2024
その他の文献
- 廖 梅勇, ジャン ジロン, 小出 康夫, 小泉 聡. ダイヤモンド MEMS磁気センサ. New diamond. (2020) 21-23
- KOIDE, Yasuo. Depletion layers in Schottky and pn junctions for diamond with deep dopants. ICNDST-9 Abstract. (2004) 45-46
- 小出康夫. ダイヤモンドのドーピング制御. 第33回薄膜・表面物理基礎講座テキスト. (2004) 31-38
所属学会
応用物理学会, ニューダイヤモンドフォーラム, 日本金属学会
受賞履歴
- 第22回増本量賞(日本金属学会) (2016)
- 第19回村上記念会村上奨励賞 (1999)
電子・光機能材料研究センター
タイトル
ダイヤモンド／窒化物半導体の絶縁ゲート／電極材料開発
キーワード
ダイヤモンド，窒化物半導体，絶縁ゲート材料，電極材料，メタラジー，電気伝導機構，材料設計指針
概要
次世代半導体としてダイヤモンド半導体及びIII族窒化物半導体それぞれの絶縁ゲート材料および低抵抗オーム性電極材料開発を目的とする。材料設計、エピタキシャル成長、微細加工、及びプロセッシング技術を含めて、高品質な界面特性を呈する絶縁ゲート材料開発および熱安定な低抵抗オーム性電極材料開発を推進する。同時に光電子デバイス試作を一体的に進めるとともに、材料設計指針及び電気伝導機構解明を通して半導体界面の材料設計原理を構築する。
新規性・独創性
● 独自性：ナノラミネート高誘電率ゲート材料の開発と導電性酸化物電極材料開発
● 従来技術との比較：メタラジー概念を基盤とする材料設計指針構築
内容
図に論文[DOI: 10.1007/s11664-999-0037-7]によって先導され、その後報告されたp-GaNに対する酸素アニールによる種々オーム性電極材料をまとめたコンタクト抵抗率と正孔濃度およびアニール温度の関係を示す。コンタクト抵抗率減少のメカニズムは現在でも不明であり、導電性酸化物電極の材料設計指針構築が不可欠である。
まとめ
● AlOx/TiOyナノラミネート高誘電率ゲート材料の開発
● p-GaNへの低抵抗オーム性電極材料開発と導電性酸化物の材料設計指針構築
● メタラジー概念を基盤とするメカニズム解明と指導原理構築が課題
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