- Address
- 305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 [アクセス]
外部併任先
- 名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授
- 名古屋大学工学研究科客員教授
研究内容
- Keywords
応用物性・結晶工学 薄膜・表面界面物性 電子・電気材料工学 電子デバイス・電子機器 構造・機能材料
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Xiaolu Yuan, Jiangwei Liu, Jinlong Liu, Junjun Wei, Bo Da, Chengming Li, Yasuo Koide. Reliable Ohmic Contact Properties for Ni/Hydrogen-Terminated Diamond at Annealing Temperature up to 900 °C. Coatings. 11 [4] (2021) 470 10.3390/coatings11040470
- Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Yasuo Koide. Boron-Doped Diamond MOSFETs With High Output Current and Extrinsic Transconductance. IEEE Transactions on Electron Devices. 68 [8] (2021) 3963-3967 10.1109/ted.2021.3087115
- Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Hirotaka Ohsato, Yasuo Koide. Effect of Annealing Temperature on Performances of Boron-Doped Diamond Metal–Semiconductor Field-Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 67 [4] (2020) 1680-1685 10.1109/ted.2020.2972979
書籍
- LIAO, Meiyong, Xiaohui Chang, Zhangcheng Liu, Hongxing Wang, KOIDE, Yasuo. Solar-blind deep-ultraviolet detectors. Elsevier, 2019
- LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, SANG, Liwen. Single Crystal Diamond Micromechanical and Nanomechanical Resonators. Springer International Publishing, 2019
- Ryan G. Banal, Masataka Imura, Yasuo Koide. Formation Mechanism and Elimination of Small‐Angle Grain Boundary in AlN Grown on (0001) Sapphire Substrate. Study of Grain Boundary Character. InTech, 2017, 43-58. 10.5772/66177
会議録
- Characteristics of Several High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. 2019, 109-117
- Toshihide Nabatame, Erika Maeda, Mari Inoue, Masafumi Hirose, Ryota Ochi, Tomomi Sawada, Yoshihiro Irokawa, Tamotsu Hashizume, Koji Shiozaki, Takashi Onaya, Kazuhito Tsukagoshi, Yasuo Koide. (Invited) Study of HfO<sub>2</sub>-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device. ECS Transactions. 2021, 113-120
- Z. Zhang, L. Sang, H. Wu, J. Huang, L. Wang, S. Koizumi, Y. Kodie, M. Liao. Galfenol-Ti-Diamond Multilayer MEMS Resonator for Magnetic Sensor Working up to 773 K. IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2019
口頭発表
- 井村 将隆, 稲葉 英樹, 間野 高明, 石田 暢之, 上杉 文彦, 黒田 陽子, 中山 佳子, 竹口 雅樹, 小出 康夫. TMGa添加ポストアニール処理によるc面サファイア基板上AlNの結晶品質改善. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
- 劉 江偉, Orlando Auciello, Elida de Obaldia, 達 博, 小出 康夫. Super high-dielectric constant Al2O3/TiO2 nanolaminates deposited by the atomic layer deposition technique (for diamond MOSFETs). マテリアル先端リサーチインフラ オンラインセミナー 『原子層堆積技術（ALD）による成膜技術』. 2021
- 髙栁 真, 土屋 敬志, 三石 和貴, 井村 将隆, 上田 茂典, 小出 康夫, 樋口透, 寺部 一弥. The Electric Double Layer Effect and its Strong Suppression in Li+ Solid Electrolyte-based Transistors. MEMRISYS 2021 (4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems). 2021
その他の文献
- 廖 梅勇, ジャン ジロン, 小出 康夫, 小泉 聡. ダイヤモンド MEMS磁気センサ. New diamond. (2020) 21-23
- 寺地 徳之, 小出 康夫. パワーデバイス用ダイヤモンド結晶. 電気学会誌. 137 [10] (2017) 689-692 10.1541/ieejjournal.137.689
- IMURA, Masataka, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo. 窒化アルミニウム／ダイヤモンドヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. 28 [2] (2012) 36-38
特許
- 特許第5791026号 紫外光検出デバイス及びその製造方法 (2015)
- 特許第5019305号 ダイヤモンド紫外線センサー (2012)
- 特許第5697069号 グラフェントランジスタ (2015)
- 特開2005310963号 ダイヤモンド紫外光センサー素子 (2005)
- 特開2005310964号 ダイヤモンド紫外光トランジスター (2005)
- 特開2009188222号 ダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法、紫外線センサー装置、ダイヤモンド単結晶の処理方法 (2009)
所属学会
応用物理学会, 日本金属学会, ニューダイヤモンドフォーラム, Maferials Research Society.
受賞履歴
- 第22回増本量賞(日本金属学会) (2016)
- 第19回村上記念会村上奨励賞 (1999)