- Address
- 305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 [アクセス]
- プロフィール
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外部併任先
- 名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授
- 名古屋大学工学研究科客員教授
研究内容
- Keywords
応用物性・結晶工学 薄膜・表面界面物性 電子・電気材料工学 電子デバイス・電子機器 構造・機能材料
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- IROKAWA, Yoshihiro, MITSUISHI, Kazutaka, NABATAME, Toshihide, KIMOTO, Koji, KOIDE, Yasuo. Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 57 [11] (2018)
- Bing Ren, Jijun Zhang, Meiyong Liao, Jian Huang, Liwen Sang, Yasuo Koide, Linjun Wang. High-performance visible to near-infrared photodetectors by using (Cd,Zn)Te single crystal. Optics Express. 27 [6] (2019) 8935 10.1364/oe.27.008935
- Bing Ren, Meiyong Liao, Masatomo Sumiya, Jian Huang, Linjun Wang, Yasuo Koide, Liwen Sang. Vertical-Type Ni/GaN UV Photodetectors Fabricated on Free-Standing GaN Substrates. Applied Sciences. 9 [14] (2019) 2895 10.3390/app9142895
書籍
- LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo, SANG, Liwen. Single Crystal Diamond Micromechanical and Nanomechanical Resonators. Springer International Publishing, 2019
- LIAO, Meiyong, Xiaohui Chang, Zhangcheng Liu, Hongxing Wang, KOIDE, Yasuo. Solar-blind deep-ultraviolet detectors. Elsevier, 2019
- Ryan G. Banal, Masataka Imura, Yasuo Koide. Formation Mechanism and Elimination of Small‐Angle Grain Boundary in AlN Grown on (0001) Sapphire Substrate. Study of Grain Boundary Character. InTech, 2017, 43-58. 10.5772/66177
会議録
- IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo. Electrical Properties of H-terminated Diamond FETs with AlN insulating material sputter-deposited under Ar+N2 Atmosphere. Diamond and Related Materials. 2017, -
- 小出 康夫. Metal-Diamond Semiconductor Interface and Photodiode Application. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2008, 6268-6272
- Alvarez, Kleider, Houze, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo. Local photoconductivity on diamond metal-semiconductor-metal photodetectors measrued by conducting probe atomic force microscopy. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2007, 1074-1077
口頭発表
- KOIDE, Yasuo. III-Nitride and Diamond Devices. SCDE 2015. 2015
- 寺地 徳之, 谷口 尚, 小泉 聡, 小出 康夫, 磯谷順一. 原料ガスの高効率利用による同位体濃縮ダイヤモンドの合成. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
- IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo. Electrical Properties of H-terminated Diamond FETs with AlN insulating material sputter-deposited under Ar+N2 Atmosphere. Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII. 2017
特許
- 特許第6519792号 ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法 (2019)
- 特許第5360766号 ダイヤモンド半導体デバイス (2013)
- 特許第4650491号 ダイヤモンド紫外光センサー (2010)
所属学会
応用物理学会, 日本金属学会, ニューダイヤモンドフォーラム, Maferials Research Society.
受賞履歴
- 第22回増本量賞(日本金属学会) (2016)
- 第19回村上記念会村上奨励賞 (1999)
第二期開発予定
第二期開発予定