SAMURAI - NIMS Researchers Database

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External affiliations

  • 名古屋大学未来材料・システム研究所客員教授

Research

Keywords

応用物性・結晶工学 薄膜・表面界面物性 電子・電気材料工学 電子デバイス・電子機器 構造・機能材料

PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.

Presentations

Society memberships

応用物理学会, ニューダイヤモンドフォーラム, 日本金属学会

Awards

  • 第22回増本量賞(日本金属学会) (2016)
  • 第19回村上記念会村上奨励賞 (1999)
Research Center for Electronic and Optical Materials
Title

ダイヤモンド/窒化物半導体の絶縁ゲート/電極材料開発

Keywords

ダイヤモンド,窒化物半導体,絶縁ゲート材料,電極材料,メタラジー,電気伝導機構,材料設計指針

Overview

次世代半導体としてダイヤモンド半導体及びIII族窒化物半導体それぞれの絶縁ゲート材料および低抵抗オーム性電極材料開発を目的とする。材料設計、エピタキシャル成長、微細加工、及びプロセッシング技術を含めて、高品質な界面特性を呈する絶縁ゲート材料開発および熱安定な低抵抗オーム性電極材料開発を推進する。同時に光電子デバイス試作を一体的に進めるとともに、材料設計指針及び電気伝導機構解明を通して半導体界面の材料設計原理を構築する。

Novelty and originality

独自性:ナノラミネート高誘電率ゲート材料の開発と導電性酸化物電極材料開発
従来技術との比較:メタラジー概念を基盤とする材料設計指針構築

Details

image

図に論文[DOI: 10.1007/s11664-999-0037-7]によって先導され、その後報告されたp-GaNに対する酸素アニールによる種々オーム性電極材料をまとめたコンタクト抵抗率と正孔濃度およびアニール温度の関係を示す。コンタクト抵抗率減少のメカニズムは現在でも不明であり、導電性酸化物電極の材料設計指針構築が不可欠である。

Summary

AlOx/TiOyナノラミネート高誘電率ゲート材料の開発
p-GaNへの低抵抗オーム性電極材料開発と導電性酸化物の材料設計指針構築
メタラジー概念を基盤とするメカニズム解明と指導原理構築が課題

この機能は所内限定です。
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