過渡容量分光法によるホウ素ドープダイヤモンドの深い準位の評価
(Deep levels in homoepitaxial boron-doped homoepitaxial diamond film investigated by capacitance transient spectroscopies)
第55回応用物理学関係連合講演会. 2008.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:42:45 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:07:44 +0900