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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Yasuo KOIDE, Meiyong LIAO, Masataka IMURA. ダイヤモンドを用いた光・電子デバイスの開発. Journal of Smart Processing. 2 [5] (2013) 224-229 10.7791/jspmee.2.224
- Raymond Benedict C. Dardo, Rommel J. Jagus, Masataka Imura, Ryan G. Banal. X-ray Diffraction Line Profile Analysis of Natural Calcite Minerals found in Southern Philippines by Williamson-Hall Method. Journal of Engineering, Environment, and Agriculture Research. 3 [1] (2024) 29-37 10.34002/jeear.v3i1.82 Open Access
- Daiki Nishioka, Takashi Tsuchiya, Masataka Imura, Yasuo Koide, Tohru Higuchi, Kazuya Terabe. A high-performance deep reservoir computer experimentally demonstrated with ion-gating reservoirs. Communications Engineering. 3 [1] (2024) 81 10.1038/s44172-024-00227-y Open Access
書籍
- Ryan G. Banal, Masataka Imura, Yasuo Koide. Formation Mechanism and Elimination of Small‐Angle Grain Boundary in AlN Grown on (0001) Sapphire Substrate. Study of Grain Boundary Character. InTech, 2017, 43-58. 10.5772/66177
会議録
- IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, LIAO, Meiyong, LIU, Jiangwei, AIZAWA, Takashi, TANAKA, Akihiro, IWAI, Hideo, MANO, Takaaki, KOIDE, Yasuo. Effect of off-cut angle of hydrogen-terminated diamond(111) substrate on the quality of AlN towards high-density AlN/diamond(111). DIAMOND AND RELATED MATERIALS. (2017)
- IMURA, Masataka, BANAL, Ganipan Ryan, LIU, Jiangwei, LIAO, Meiyong, KOIDE, Yasuo. Electrical Properties of H-terminated Diamond FETs with AlN insulating material sputter-deposited under Ar+N2 Atmosphere. Diamond and Related Materials. (2017)
- Masataka Imura, Tsuyoshi Ohnishi, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Hiroshi Amano, Mikk Lippmaa. Analysis of polar direction of AlN grown on (0001) sapphire and 6H-SiC substrates by high-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using coaxial impact collision ion scattering spectroscopy. PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS. (2010) 2365-2367 10.1002/pssc.200983900
口頭発表
- 井村将隆. Effect of off-cut angle of hydrogen-terminated diamond(111) substrate on the quality of AlN towards high-density AlN/diamond(111). The 11th Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2017). 2017
- 井村将隆. Electrical Properties of H-terminated Diamond FETs with AlN insulating material sputter-deposited under Ar+N2 Atmosphere. Hasselt Diamond Workshop 2017 - SBDD XXII. 2017
- SASAMA, Yosuke, IWASAKI, Takuya, IMURA, Masataka, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, YAMAGUCHI, Takahide. Field-effect transistor based on CVD-grown diamond utilizing h-BN gate insulator. 17th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC) 2024. 2024
その他の文献
- 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. (2019) 9-15
- 井村 将隆. 新たな光の世界を作り出した“III族窒化物半導体” -決してあきらめない不屈の研究者たち-. 科学. 85 [1] (2015) 44-49
- 井村 将隆, 岡田成仁. 学会だより IUMRS-ICA 2014. NEW DIAMOND. 30 [4] (2014) 30-31
公開特許出願
所属学会
応用物理学会
電子・光機能材料研究センター
次世代半導体を用いた光・電子・磁性デバイスの開発
III族窒化物半導体，ダイヤモンド半導体，発光ダイオード，光・放射線検出器，電界効果トランジスタ，磁性デバイス，有機金属化合物気相成長法，マイクロ波プラズマ気相成長法
概要
次世代半導体光・電子・磁性デバイス分野では、Siを代替するワイドギャップ半導体の導入が不可欠である。私は応用性・実用性に優れ高い潜在能力を有すIII族窒化物半導体及びダイヤモンド半導体に早期から着目し、これらを用いたデバイス開発を行っている。NIMSでは結晶成長、デバイスプロセス、結晶評価が一体となって常にフィードバックしながら研究する体制が整えてある。
新規性・独創性
● ダイヤモンド半導体を用いた放射線・陽子線検出器の開発
● InGaN系窒化物半導体微細加工構造を用いた可視光全領域フォトニックデバイスの開発
● AlGaN系窒化物半導体を用いた高効率紫外線発光ダイオードの開発
● AlGaN/GaN及びAlInN/GaNヘテロ構造を用いた高周波パワーデバイスの開発
● BAlN及びScAlN系窒化物半導体を用いた磁性デバイスの開発
内容
低消費電力で長期安定動作可能な高耐性真空紫外線陽子線検出器を実現するために、ダイヤモンドを用いた縦型ショットキーバリアフォトダイオード(SBPD)を試作しその基礎特性及び耐性を評価した。チャージアップ現象を低減させるために導電性のダイヤモンド基板を用いた。無電圧印加(ゼロバイアスモード)にてデバイスを動作させることで、低消費電力動作を実現した。また、真空紫外線及び陽子線の応答特性と真空紫外線及び陽子線に対するデバイスの耐性を評価した。
まとめ
ダイヤモンドを用いて検出器を試作した。真空紫外線及び陽子線の応答特性と真空紫外線及び陽子線に対するデバイスの耐性を評価し、デバイスの長期安定動作が可能であることを実証した。近年は、III族窒化物半導体を用いた可視光全領域フォトニックデバイス、高効率紫外線発光ダイオード、高周波パワーデバイス、新規材料を用いた磁性デバイスの研究開発を行っている。
