HOME > 論文 > 書誌詳細p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性(Semiconducting properties of p-type homoepitaxial diamond films)寺地 徳之. ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線 75-85. 2008.NIMS著者寺地 徳之Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2016-05-24 15:36:30 +0900 更新時刻 :2018-06-14 16:57:29 +0900