HOME > Article > Detailp型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性(Semiconducting properties of p-type homoepitaxial diamond films)寺地 徳之. ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線 75-85. 2008.NIMS author(s)TERAJI, TokuyukiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2016-05-24 15:36:30 +0900Updated at: 2018-06-14 16:57:29 +0900