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研究内容
出版物原則として、2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Mingchao Yang, Takehiro Shimaoka, Liwen Sang, Junichi H. Kaneko, Satoshi Koizumi, Meiyong Liao. Radiation effect of X-ray with 100 kGy dose on the electrical properties of MESFET based on hydrogen-terminated diamond surface conductivity. Functional Diamond. 2 [1] (2022) 40-45 10.1080/26941112.2022.2066481
- Takehiro Shimaoka, Meiyong Liao, Satoshi Koizumi. n-Type Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor With High Operation Temperature of 300°C. IEEE Electron Device Letters. 43 [4] (2022) 588-591 10.1109/led.2022.3156149
- Takehiro Shimaoka, Meiyong Liao, Satoshi Koizumi. n-Type Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor With High Operation Temperature of 300°C. IEEE Electron Device Letters. 43 [4] (2022) 588-591
会議録
- SHIMAOKA, Takehiro, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi. Detection of killer defects in diamond by cathodoluminescence. Physica Status solidi (a). (2017) 10.1002/pssa.
口頭発表
- 嶋岡毅紘. カソードルミネッセンス法によるダイヤモンドのキラー欠陥評価. Hasselt diamond workshop. 2017
- ヤン ミンチャオ, SHIMAOKA, Takehiro, KOIDE, Yasuo, Hongdong Li, Junichi H. Kaneko, LIAO, Meiyong, KOIZUMI, Satoshi. Radiation effect of X-ray on the electrical properties of MESFET based on hydrogen-terminated diamond surface conductivity. The 14th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2020/2021) . 2021
- 片宗 優貴, 森 大地, 有川 大輔, 和泉 亮, 嶋岡 毅紘, 市川 公善, 小泉 聡. 「講演奨励賞受賞記念講演」熱フィラメントCVD成長によるダイヤモンドのn型ドーピング. 2020年第67回応用物理学会春季学術講演会. 2020
その他の文献
- 小泉 聡, 寺地 徳之, 嶋岡 毅紘. NIMSにおけるSIPダイヤモンドパワーエレクトロニクス研究. NEW DIAMOND. (2020) 16-21
- 市川 公善, 嶋岡 毅紘, 加藤 有香子, 小泉 聡, 寺地 徳之. 共焦点ラマンイメージングによるCVDダイヤモンド中の転位評価. New diamond. (2021) 3-8
- 片宗優貴, 森 大地, 和泉 亮, 嶋岡 毅紘, 市川 公善, 小泉 聡. 熱フィラメントCVD 法による（1 1 1）表面への リンドープn 形ダイヤモンド のホモエピタキシャル成長. NEW DIAMOND. (2020) 26-28