Electric field breakdown of lateral-type Schottky diodes formed on lightly doped homoepitaxial diamond
Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interf. 2007年11月12日-2007年11月14日.
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作成時刻: 2022-09-05 11:59:44 +0900更新時刻: 2022-09-05 11:59:44 +0900