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研究内容
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Jiangwei Liu, Hirotaka Ohsato, Bo Da, Yasuo Koide. High Current Output Hydrogenated Diamond Triple-Gate MOSFETs. IEEE Journal of the Electron Devices Society. 7 (2019) 561-565 10.1109/jeds.2019.2915250
- J-W Liu, H Oosato, B Da, T Teraji, A Kobayashi, H Fujioka, Y Koide. Operations of hydrogenated diamond metal–oxide–semiconductor field-effect transistors after annealing at 500 °C. Journal of Physics D: Applied Physics. 52 [31] (2019) 315104 10.1088/1361-6463/ab1e31
- Kazumasa Ishida, Nobuhiko Ozaki, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto. Non-destructive and non-contact measurement of semiconductor optical waveguide using optical coherence tomography with a visible broadband light source. Japanese Journal of Applied Physics. 57 [8S2] (2018) 08PE03 10.7567/jjap.57.08pe03
会議録
- Masataka Imura, Ryoma Hayakawa, Hirotaka Ohsato, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Takahiro Nagata, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Jun-ichi Yamamoto, Kazuhito Ban, Motoaki Iwaya, Hiroshi Amano. Development of AlN/diamond heterojunction field effect transistors. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 2012, 206-209
口頭発表
- 井村 将隆, 早川 竜馬, 大里 啓孝, 渡辺 英一郎, 津谷 大樹, 廖 梅勇, 小出 康夫, 天野浩, 松本翼, 山崎聡. 原子層堆積法により成膜したアルミナゲート 表面チャネルダイヤモンドFETの特性評価 . 第26回ダイヤモンドフォーラム. 2012
- 劉 江偉, 大里 啓孝, 達 博, 寺地 徳之, 小出 康夫. Operations of Hydrogenated Diamond MOSFETs After Annealing at 500 °C. MANA International Symposium 2019. 2019
- 宮崎 英樹, 間野 高明, 笠谷 岳士, 大里 啓孝, 渡邉 一弘, 杉本 喜正, 落合 哲行, 新井 志大, 重藤 暁津, 川津 琢也. Metasurface Quantum-well Infrared Photodetectors. The Fourth A3 Metamaterials Forum. 2019
第二期開発予定
第二期開発予定