低ショットキー障壁パッチがもたらすダイヤモンドショットキーダイオード逆方向電流の増加
(Reverse current increment of diamond Schottky diodes induced by low Schottky barrier height patches)
第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2010年10月21日-2010年10月22日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:38:11 +0900更新時刻: 2018-06-05 12:48:56 +0900