HOME > Presentation > Detail低ショットキー障壁パッチがもたらすダイヤモンドショットキーダイオード逆方向電流の増加(Reverse current increment of diamond Schottky diodes induced by low Schottky barrier height patches)寺地 徳之, フィオーリ ジヨーンイヴ アレクサンドレ, 桐谷範彦, 谷本 智, 小出 康夫. 第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2010.NIMS author(s)TERAJI, TokuyukiFIORI, Jean-Yves AlexandreKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:38:11 +0900Updated at: 2018-06-05 12:48:56 +0900