Electrical properties of hydrogenated diamond MOSFETs after annealing at 500 °C
30th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2019年09月08日-2019年09月12日.
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作成時刻: 2019-09-18 03:00:18 +0900更新時刻: 2019-09-18 03:00:18 +0900