口頭発表の表示
| 著者名 | LIU, Jiangwei, OOSATO, Hirotaka, DA, Bo, TERAJI, Tokuyuki, KOIDE, Yasuo. |
|---|---|
| タイトル | Electrical properties of hydrogenated diamond MOSFETs after annealing at 500 °C |
| 会議名 | 30th International Conference on Diamond and Carbon Materials |
| 発表年 | 2019 |
| 言語 | English |