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著者名Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, Hirotaka Ohsato, Yasuo Koide.
タイトルEffect of Annealing Temperature on Performances of Boron-Doped Diamond Metal–Semiconductor Field-Effect Transistors
掲載誌名IEEE Transactions on Electron Devices 67 [4] 1680-1685
出版社Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
発表年2020
言語unknown
DOIhttps://doi.org/10.1109/ted.2020.2972979
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