High-mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric

著者	Yosuke Sasama, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Masataka Imura, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide.
掲載誌名	APL Materials 6 [11] 111105 ISSN: 2166532X ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE
出版社	AIP Publishing
発表年	2018
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1063/1.5055812
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