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著者名Yosuke Sasama, Katsuyoshi Komatsu, Satoshi Moriyama, Masataka Imura, Tokuyuki Teraji, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Takashi Uchihashi, Yamaguchi Takahide.
タイトルHigh-mobility diamond field effect transistor with a monocrystalline h-BN gate dielectric
掲載誌名APL Materials 6 [11] 111105
ISSN: 2166532X
発表年2018
言語English
ESIでのカテゴリ
DOIhttps://doi.org/10.1063/1.5055812
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