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- 305-0044 茨城県つくば市並木1-1 [アクセス]
研究内容
- Keywords
ワイドバンドギャップ半導体、励起子、遠紫外発光材料
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
論文
- Taiki Hirahara, Takushi Oka, Ryoya Ebisuoka, Tomoaki Nakasuga, Shingo Tajima, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, Ryuta Yagi. Multilayer graphene shows intrinsic resistance peaks in the carrier density dependence. SCIENTIFIC REPORTS. 8 (2018)
- Sergio Pezzini, Vaidotas Mišeikis, Simona Pace, Francesco Rossella, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Camilla Coletti. High-quality electrical transport using scalable CVD graphene. 2D Materials. 7 [4] (2020) 041003 10.1088/2053-1583/aba645
- Biswajit Datta, Amulya Ratnakar, Hitesh Agarwal, Abhisek Samanta, WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi, Rajdeep Sensarma, Mandar M. Deshmukh. Landau level diagram and the continuous rotational symmetry breaking in trilayer graphene. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 121 [5] (2018)
会議録
- Ji-Yun Moon, Minsoo Kim, Seung-Il Kim, Shuigang Xu, Jun-Hui Choi, Dongmok Whang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Dong Seop Park, Juyeon Seo, Sung Ho Cho, Seok-Kyun Son, Jae-Hyun Lee. Layer-engineered large-area exfoliation of graphene. Science Advances. 2020, eabc6601-1-eabc6601-7
- Manfred Ersfeld, Frank Volmer, Lars Rathmann, Luca Kotewitz, Maximilian Heithoff, Mark Lohmann, Bowen Yang, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Ludwig Bartels, Jing Shi, Christoph Stampfer, Bernd Beschoten. Valley lifetimes of conduction band electrons in monolayer WSe2. Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. 2020
- M. Zinkiewicz, K. Nogajewski, M. Bartos, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. Potemski, A. Babiński, M.R. Molas. Emission Excitation Spectroscopy in WS2 Monolayer Encapsulated in Hexagonal BN. Acta Physica Polonica A. 2019, 624-627
口頭発表
- 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BNゲート絶縁体を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドFET. 2022年第69回応用物理学会春季学術講演会. 2022
- 大橋 直樹, 松井 良夫, 瀬川 浩代, ノビヤント アルフィアン, 木本 浩司, 西村 聡之, 大沢 祐太, 渡邊 賢司. Deposition of gas molecules in metal-oxide crystals. Materials Research Meeting 2021. 2021
- 笹間 陽介, 蔭浦 泰資, 井村 将隆, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. h-BNヘテロ構造を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドトランジスタ. 第82回応用物理学会秋季学術講演会. 2021
その他の文献
- Sudipta Dubey, Simone Lisi, Yannick J. Dappe, Van-Dung Nguyen, Toai Le Quang, Vladimir Cherkez, César González, Goutham Nayak, WATANABE, Kenji, Felix Herziger, TANIGUCHI, Takashi, Laurence Magaud, Pierre Mallet, Jean-Yves Veuillen, Raul Arenal, Laëtitia Marty, Julien Renard, Nedjma Bendiab, Johann Coraux, Vincent Bouchiat. Correction to Weakly Trapped, Charged, and Free Excitons in Single-Layer MoS2 in the Presence of Defects, Strain, and Charged Impurities. ACS NANO. (2018) 10565-10566
- 笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. (2019) 9-15
- WATANABE, Kenji, TANIGUCHI, Takashi. グラフェンに電子のささやき回廊モードを生成しプローブする. サイエンス誌に載った日本人研究者 Japanese Scientists in Science 2015. 2016issue (2016) 33-33
特許
- 特許第4873726号 酸化亜鉛薄膜の形成方法 (2011)
- 特許第4863461号 六方晶窒化ホウ素結晶体を製造する方法 (2011)
- 特許第3030311号 ホウ素添加ダイヤモンドのホウ素濃度の簡易測定方法 (2000)
- 特開2008007388号 六方晶窒化ホウ素結晶体を製造する方法 (2008)
- 特開2008244011号 酸化亜鉛薄膜の形成方法 (2008)
- 特開2005228886号 深紫外線固体発光素子 (2005)