HOME > 口頭発表 > 書誌詳細h-BN/ダイヤモンドヘテロ構造を用いた高移動度トランジスタ(High-mobility transistor with an h-BN/diamond heterostructure)笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018.NIMS著者笹間 陽介井村 将隆寺地 徳之渡邊 賢司谷口 尚内橋 隆山口 尚秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-09-28 19:30:22 +0900更新時刻: 2018-09-28 19:30:22 +0900