HOME > 口頭発表 > 書誌詳細h-BN/ダイヤモンドヘテロ構造を用いた高移動度トランジスタ(High-mobility transistor with an h-BN/diamond heterostructure)笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018年11月14日-2018年11月16日.NIMS著者笹間 陽介井村 将隆寺地 徳之渡邊 賢司谷口 尚内橋 隆山口 尚秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-09-28 19:30:22 +0900 更新時刻: 2018-09-28 19:30:22 +0900