HOME > その他の文献 > 書誌詳細hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ(High-mobility Diamond Field-effect Transistor with an hBN Heterointerface)笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. NEW DIAMOND 9-15. 2019.NIMS著者笹間 陽介井村 将隆寺地 徳之渡邊 賢司谷口 尚内橋 隆山口 尚秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-11-20 10:42:47 +0900更新時刻: 2020-11-20 10:42:47 +0900