HOME > その他の文献 > 詳細hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ(High-mobility Diamond Field-effect Transistor with an hBN Heterointerface)著者笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 掲載誌名NEW DIAMOND 9-15出版社出版年2019言語Japanese
