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hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(High-mobility Diamond Field-effect Transistor with an hBN Heterointerface)

NEW DIAMOND 9-15. 2019.

NIMS著者


Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


    作成時刻: 2020-11-20 10:42:47 +0900更新時刻: 2020-11-20 10:42:47 +0900

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