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研究内容
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機能材料・デバイス 応用物性・結晶工学 薄膜・表面界面物性 電子デバイス・電子機器 無機材料・物性
出版物2004年以降のNIMS所属における研究成果や出版物を表示しています。
研究論文
- Zilong Zhang, Haihua Wu, Liwen Sang, Yukiko Takahashi, Jian Huang, Linjun Wang, Masaya Toda, Indianto Mohammad Akita, Yasuo Koide, Satoshi Koizumi, Meiyong Liao. Enhancing Delta E Effect at High Temperatures of Galfenol/Ti/Single-Crystal Diamond Resonators for Magnetic Sensing. ACS Applied Materials & Interfaces. 12 [20] (2020) 23155-23164 10.1021/acsami.0c06593
- Zilong Zhang, Yuanzhao Wu, Liwen Sang, Haihua Wu, Jian Huang, Linjun Wang, Yukiko Takahashi, Runwei Li, Satoshi Koizumi, Masaya Toda, Indianto Mohammad Akita, Yasuo Koide, Meiyong Liao. Coupling of magneto-strictive FeGa film with single-crystal diamond MEMS resonator for high-reliability magnetic sensing at high temperatures. Materials Research Letters. 8 [5] (2020) 180-186 10.1080/21663831.2020.1734680
- Shinichi Shikata, Koji Yamaguchi, Akihiko Fujiwara, Yusuke Tamenori, Kazuki Tsuruta, Takatoshi Yamada, Shannon S. Nicley, Ken Haenen, Satoshi Koizumi. X-ray absorption near edge structure and extended X-ray absorption fine structure studies of P doped (111) diamond. Diamond and Related Materials. 105 (2020) 107769 10.1016/j.diamond.2020.107769
書籍
- KOIZUMI, Satoshi. n-Type diamond growth and the semiconducting properties. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. 2018 , 117-137
- Toshiharu Makino, KOIZUMI, Satoshi. Nobel diamond devices. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. 2018 , 370-382
- KOIZUMI, Satoshi. n-Type Diamond Growth. Semiconductors and Semimetals. 2003 , 239-259
会議録
- D. Takeuchi, H. Kawashima, D. Kuwabara, T. Makino, H. Kato, M. Ogura, H. Ohashi, H. Okushi, S. Yamasaki, S. Koizumi. 4 A/cm<sup>2</sup>, 7kV normally-off diamond-emitter vacuum switch. Proceedings of the 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s. 2015
- KANDA, Hisao, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi, T.Teraji, K.Y.Eun, J.K.Lee. Cathodoluminescence spectroscopy and topography of CVD diamonds. Advanced Materials '02. , -
- KOIDE, Yasuo, KOIZUMI, Satoshi, KANDA, Hisao, 鈴木真理子, 吉田博昭, 佐久間尚志, 小野富男, 酒井忠司. Admittance spectroscopy of phosphorus-doped n-diamond epilayer. The 24th EMS Proceedings. 2005, 327-328
口頭発表
- LAZEA, Andrada, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi. High quality boron-doped {111} homoepitaxial diamond thin films grown for electrical device applications . 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
- KOIZUMI, Satoshi. ダイヤモンドpn接合冷陰極特性に対する水吸着の影響. 第70回応用物理学会学術講演会. 2009
- TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, Isoya Junichi. 原料ガスの高効率利用による同位体濃縮ダイヤモンドの合成. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
特許
- 特許第5077863号 低真空走査型電子顕微鏡を用いた炭素系材料の微細加工方法とその装置 (2012)
- 特許第3051912号 リンドープダイヤモンドの合成法 (2000)
- 特許第3303135号 埋め込み金属層を持つ単結晶ダイヤモンドとその形成方法 (2002)
所属学会
応用物理学会
受賞履歴
- 第27回先端技術大賞フジサンケイ ビジネスアイ賞（2013） ()
第二期開発予定
第二期開発予定