HOME > Profile > KOIZUMI, Satoshi
- Address
- 305-0044 1-1 Namiki Tsukuba Ibaraki JAPAN [Access]
Research
- Keywords
機能材料・デバイス 応用物性・結晶工学 薄膜・表面界面物性 電子デバイス・電子機器 無機材料・物性
PublicationsNIMS affiliated publications since 2004.
Published patent applications
- リンドープダイヤモンドの合成法 (1998)
- 半導体ダイヤモンドへの低抵抗オーミック電極及びその形成方法 (2001)
- 埋め込み金属層を金属電極として持つ単結晶ダイヤモンド電子デバイスとその形成方法 (2001)
Society memberships
応用物理学会, ニューダイヤモンドフォーラム
Awards
- 第27回先端技術大賞フジサンケイ ビジネスアイ賞（2013） ()
Research Center for Electronic and Optical Materials
半導体ダイヤモンド研究
薄膜，半導体，ダイヤモンド
Overview
ダイヤモンドはワイドギャップ半導体材料として深紫外線オプトエレクトロニクス、パワーデバイス等への応用が期待されています。これまでNIMSのダイヤモンド研究グループは1980年代にダイヤモンド気相成長技術を、1990年代にn型半導体化技術を確立し、さらに21世紀に入りpn接合の形成に成功してきました。全て世界初の技術であり、日本が誇る世界的研究成果です。現在、これらの研究はNIMSにおける超ワイドギャップ半導体研究の重要な一コマとして発展的に継続されています。
Novelty and originality
ダイヤモンドの5.5eVという大きなバンドギャップ、その表面が持つ負性電子親和力という特異な性質が様々な特性を生み出す可能性を 持っています。ドーピング制御、成長制御の不完全さからこの性質を生かした応用が困難でした。シリコン並みの不純物制御、結晶完全性制 御技術の確立を目指し、「使える」ダイヤモンド材料化を目指します。
Details
半導体ダイヤモンドCVD研究の中でも特にn型ドーピングを中心として、使える半導体デバイス形成を目指し、各種デバイス固有の仕様に合わせた材料制御の技術開発を行っています。また、CVD技術を通して得られた知見をもとに、デバイスレベルでの結晶評価を並行して行います。Ga2O3等とのヘテロデバイスも重要な研究対象です。パワーエレクトロニクス、極限環境で利用されるセンサや半導体回路等への応用を考えています。
Summary
● n型ドーピングの高度化により種々のダイヤモンドデバイス形成に成功
● 究極のパワーデバイス半導体材料としてのダイヤモンド気相成長技術を探求
● ピアレビュー論文：179報、権利化特許：7件
