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小泉 聡
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  • 論文・発表

[研究論文] |[書籍] |[会議録] |[口頭発表] |[特許]

研究論文 TSV

2018
  1. Takehiro Shimaoka, Satoshi Koizumi, Manobu M. Tanaka. Diamond photovoltaic radiation sensor using pn junction. Applied Physics Letters. 113 [9] (2018) 093504 10.1063/1.5034413
  2. KOIZUMI, Satoshi, Hitoshi Umezawa, Julien Pernot, Mariko Suzuki. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. (2018) 1-466
  3. 廖 梅勇, 井村 将隆, サン リウエン, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. 単結晶ダイヤモンドMEMSデバイスの研究. NEW DIAMOND. 34 [1] (2018) 12-16
2016
  1. S. Drijkoningen, S. D. Janssens, P. Pobedinskas, S. Koizumi, M. K. Van Bael, K. Haenen. The pressure sensitivity of wrinkled B-doped nanocrystalline diamond membranes. Scientific Reports. 6 [1] (2016) 10.1038/srep35667
  2. Takashi Yamamoto, Stoffel D. Janssens, Ryota Ohtani, Daisuke Takeuchi, Satoshi Koizumi. Toward highly conductive n-type diamond: Incremental phosphorus-donor concentrations assisted by surface migration of admolecules. Applied Physics Letters. 109 [18] (2016) 182102 10.1063/1.4966287
  3. Aboulaye Traoré, Satoshi Koizumi, Julien Pernot. Effect of n- and p-type doping concentrations and compensation on the electrical properties of semiconducting diamond. physica status solidi (a). 213 [8] (2016) 2036-2043 10.1002/pssa.201600407
  4. 小泉 聡, 杢野由明. SIP におけるダイヤモンドパワーデバイス研究. NEW DIAMOND. 32 [1] (2016) 3-8
2015
  1. Tokuyuki Teraji, Takashi Yamamoto, Kenji Watanabe, Yasuo Koide, Junichi Isoya, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Lachlan J. Rogers, Fedor Jelezko, Philipp Neumann, Jörg Wrachtrup, Satoshi Koizumi. Homoepitaxial diamond film growth: High purity, high crystalline quality, isotopic enrichment, and single color center formation. physica status solidi (a). 212 [11] (2015) 2365-2384 10.1002/pssa.201532449
  2. 山本 卓, 寺地 徳之, 小野田忍, 大島武, 小泉 聡, 磯谷順一, Fedor Jelezko. 窒素分子イオン注入による室温ダイヤモンドスピン量子レジスタの作製. NEW DIAMOND. 31 [1] (2015) 22-25
2014
  1. Ryota Ohtani, Takashi Yamamoto, Stoffel D. Janssens, Satoshi Yamasaki, Satoshi Koizumi. Large improvement of phosphorus incorporation efficiency in n-type chemical vapor deposition of diamond. Applied Physics Letters. 105 [23] (2014) 232106 10.1063/1.4903779
  2. Daisuke Takeuchi, KOIZUMI, Satoshi. Diamond PN/PIN Diode Type Electron Emitter with Negative Electron Affinity and Its Potential for the High Voltage Vacuum Power Switch. Novel Aspects of Diamond (Topics in Applied Physics 121, Springer International Publishing AG). 121 (2014) 237-272
  3. Takashi Yatsui, Daisuke Takeuchi, Satoshi Koizumi, Kazuki Sato, Kohei Tsuzuki, Takayuki Iwasaki, Mutsuko Hatano, Toshiharu Makino, Masahiko Ogura, Hiromitsu Kato, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki. Polarization-controlled dressed-photon-phonon etching of patterned diamond structures. physica status solidi (a). 211 [10] (2014) 2339-2342 10.1002/pssa.201431161
  4. T. Yamamoto, S. Onoda, T. Ohshima, T. Teraji, K. Watanabe, S. Koizumi, T. Umeda, L. P. McGuinness, C. Müller, B. Naydenov, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, M. L. Markham, D. J. Twitchen, J. Wrachtrup, F. Jelezko, J. Isoya. Isotopic identification of engineered nitrogen-vacancy spin qubits in ultrapure diamond. Physical Review B. 90 [8] (2014) 10.1103/physrevb.90.081117
  5. I-Nan Lin, Satoshi Koizumi, Joan Yater, Franz Koeck. Diamond electron emission. MRS Bulletin. 39 [06] (2014) 533-541 10.1557/mrs.2014.101
  6. Masayoshi Takeuchi, Michio Kondo. Impurity-driven multilayer formation in inverted aluminum-induced layer exchange of silicon. Japanese Journal of Applied Physics. 53 [5] (2014) 050303 10.7567/jjap.53.050303
  7. A. Maréchal, N. Rouger, J.-C. Crébier, J. Pernot, S. Koizumi, T. Teraji, E. Gheeraert. Model implementation towards the prediction of J(V) characteristics in diamond bipolar device simulations. Diamond and Related Materials. 43 (2014) 34-42 10.1016/j.diamond.2014.01.009
2013
  1. D. Takeuchi, S. Koizumi, T. Makino, H. Kato, M. Ogura, H. Ohashi, H. Okushi, S. Yamasaki. Negative electron affinity of diamond and its application to high voltage vacuum power switches. physica status solidi (a). 210 [10] (2013) 1961-1975 10.1002/pssa.201300385
  2. P. London, J. Scheuer, J.-M. Cai, I. Schwarz, A. Retzker, M. B. Plenio, M. Katagiri, T. Teraji, S. Koizumi, J. Isoya, R. Fischer, L. P. McGuinness, B. Naydenov, F. Jelezko. Detecting and Polarizing Nuclear Spins with Double Resonance on a Single Electron Spin. Physical Review Letters. 111 [6] (2013) 10.1103/physrevlett.111.067601
  3. T. Yamamoto, T. Umeda, K. Watanabe, S. Onoda, M. L. Markham, D. J. Twitchen, B. Naydenov, L. P. McGuinness, T. Teraji, S. Koizumi, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, J. Wrachtrup, T. Ohshima, F. Jelezko, J. Isoya. Extending spin coherence times of diamond qubits by high-temperature annealing. Physical Review B. 88 [7] (2013) 10.1103/physrevb.88.075206
  4. Tokuyuki Teraji, Takashi Taniguchi, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide, Junichi Isoya. Effective Use of Source Gas for Diamond Growth with Isotopic Enrichment. Applied Physics Express. 6 [5] (2013) 055601 10.7567/apex.6.055601
  5. Alexandre Fiori, François Jomard, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Junichi Isoya, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret. Synchronized B and13C Diamond Delta Structures for an Ultimate In-Depth Chemical Characterization. Applied Physics Express. 6 [4] (2013) 045801 10.7567/apex.6.045801
2012
  1. Andrada Lazea, Yiuri Garino, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi. High quality p-type chemical vapor deposited {111}-oriented diamonds: Growth and fabrication of related electrical devices. physica status solidi (a). 209 [10] (2012) 1978-1981 10.1002/pssa.201228162
  2. Shozo Kono, Takuya Nohara, Satoshi Abe, Hideyuki Kodama, Kazuhiro Suzuki, Satoshi Koizumi, Tadashi Abukawa, Atsuhito Sawabe. Electron Spectroscopic Determination of Electronic Structures of Phosphorus-Doped n-Type Heteroepitaxial Diamond (001) Surface and Junction. Japanese Journal of Applied Physics. 51 [9R] (2012) 090109 10.7567/jjap.51.090109
  3. Tokuyuki Teraji, Takashi Taniguchi, Satoshi Koizumi, Kenji Watanabe, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Junichi Isoya. Chemical Vapor Deposition of $^{12}$C Isotopically Enriched Polycrystalline Diamond. Japanese Journal of Applied Physics. 51 (2012) 090104 10.1143/jjap.51.090104
  4. K. D. Jahnke, B. Naydenov, T. Teraji, S. Koizumi, T. Umeda, J. Isoya, F. Jelezko. Long coherence time of spin qubits in 12C enriched polycrystalline chemical vapor deposition diamond. Applied Physics Letters. 101 [1] (2012) 012405 10.1063/1.4731778
  5. Meiyong Liao, Zouwen Rong, Shunichi Hishita, Masataka Imura, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide. Nanoelectromechanical switch fabricated from single crystal diamond: Experiments and modeling. Diamond and Related Materials. 24 (2012) 69-73 10.1016/j.diamond.2011.10.026
  6. 廖 梅勇, 菱田 俊一, 小泉 聡, 小出 康夫. 単結晶ダイヤモンドNEMSスイッチ. NEW DIAMOND. 104 [1] (2012) 28-29
  7. Y. Garino, T. Teraji, A. Lazea, S. Koizumi. Forward tunneling current in {111}-oriented homoepitaxial diamond p–n junction. Diamond and Related Materials. 21 (2012) 33-36 10.1016/j.diamond.2011.10.007
2011
  1. Toshiharu Makino, Kiyoshi Yoshino, Norihiro Sakai, Kouji Uchida, Satoshi Koizumi, Hiromitsu Kato, Daisuke Takeuchi, Masahiko Ogura, Kazuhiro Oyama, Tsubasa Matsumoto, Hideyo Okushi, Satoshi Yamasaki. Enhancement in emission efficiency of diamond deep-ultraviolet light emitting diode. Applied Physics Letters. 99 [6] (2011) 061110 10.1063/1.3625943
2009
  1. Ken Haenen, Andrada Lazea, Julien Barjon, Jan D’Haen, Nada Habka, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Vincent Mortet. P-doped diamond grown on (110)-textured microcrystalline diamond: growth, characterization and devices. Journal of Physics: Condensed Matter. 21 [36] (2009) 364204 10.1088/0953-8984/21/36/364204
  2. Yiuri Garino, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide, Toshimichi Ito. p-type diamond Schottky diodes fabricated by vacuum ultraviolet light/ozone surface oxidation: Comparison with diodes based on wet-chemical oxidation. physica status solidi (a). 206 [9] (2009) 2082-2085 10.1002/pssa.200982217
  3. Ken Haenen, Andrada Lazea, Miloš Nesládek, Satoshi Koizumi. Rectifying properties and photoresponse of CVD diamond p(i)n-junctions. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 3 [6] (2009) 208-210 10.1002/pssr.200903155
2008
  1. 加藤宙光, 小泉 聡. n型ドーピングと半導体特性. ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線. (2008) 86-102
  2. J. Pernot, S. Koizumi. Electron mobility in phosphorous doped {111} homoepitaxial diamond. Applied Physics Letters. 93 [5] (2008) 052105 10.1063/1.2969066
  3. T. Teraji, S. Koizumi, Y. Koide. Ohmic contact for p-type diamond without postannealing. Journal of Applied Physics. 104 [1] (2008) 016104 10.1063/1.2936371
  4. SEKIGUCHI, Takashi, Yuan, Xiaoli, KOIZUMI, Satoshi, TANIGUCHI, Takashi. Characterization of p-n junctions in wide-gap semiconductors using a cathodoluminescence/electron-beam-induced current technique. Beam Injection Based Nanocharacterization of Advanced Materials. (2008) 139-152
2007
  1. C. Tavares, P. Muret, S. Koizumi, F. Jomard. Static and transient electrical properties of (111) diamond p-n diodes. physica status solidi (a). 204 [9] (2007) 2985-2990 10.1002/pssa.200776335
  2. Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide, Toshimichi Ito. Electric Field Breakdown of Lateral Schottky Diodes of Diamond. Japanese Journal of Applied Physics. 46 [No. 9] (2007) L196-L198 10.1143/jjap.46.l196
2006
  1. Satoshi Koizumi, Mariko Suzuki. n-Type doping of diamond. physica status solidi (a). 203 [13] (2006) 3358-3366 10.1002/pssa.200671407
  2. M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi, H. Kanda. Electron paramagnetic resonance study of phosphorus-doped n-type homoepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition. physica status solidi (a). 203 [13] (2006) 3367-3374 10.1002/pssa.200671409
  3. J. Pernot, C. Tavares, E. Gheeraert, E. Bustarret, M. Katagiri, S. Koizumi. Hall electron mobility in diamond. Applied Physics Letters. 89 [12] (2006) 122111 10.1063/1.2355454
  4. Mariko Suzuki, Satoshi Koizumi, Masayuki Katagiri, Tomio Ono, Naoshi Sakuma, Hiroaki Yoshida, Tadashi Sakai, Shuichi Uchikoga. Electrical characteristics of n-type diamond Schottky diodes and metal/diamond interfaces. physica status solidi (a). 203 [12] (2006) 3128-3135 10.1002/pssa.200671124
  5. A. BenMoussa, J.F. Hochedez, U. Schühle, W. Schmutz, K. Haenen, Y. Stockman, A. Soltani, F. Scholze, U. Kroth, V. Mortet, A. Theissen, C. Laubis, M. Richter, S. Koller, J.-M. Defise, S. Koizumi. Diamond detectors for LYRA, the solar VUV radiometer on board PROBA2. Diamond and Related Materials. 15 [4-8] (2006) 802-806 10.1016/j.diamond.2005.10.024
  6. A BenMoussa, U Schühle, F Scholze, U Kroth, K Haenen, T Saito, J Campos, S Koizumi, C Laubis, M Richter, V Mortet, A Theissen, J F Hochedez. Radiometric characteristics of new diamond PIN photodiodes. Measurement Science and Technology. 17 [4] (2006) 913-917 10.1088/0957-0233/17/4/042
  7. Jun-ichi Niitsuma, Xiao-li Yuan, Satoshi Koizumi, Takashi Sekiguchi. Nanoprocessing of Diamond Using a Variable Pressure Scanning Electron Microscope. Japanese Journal of Applied Physics. 45 [No. 2] (2006) L71-L73 10.1143/jjap.45.l71
2005
  1. Stephane Curat, Haitao Ye, Olivier Gaudin, Richard B. Jackman, Satoshi Koizumi. An impedance spectroscopic study of n-type phosphorus-doped diamond. Journal of Applied Physics. 98 [7] (2005) 073701 10.1063/1.2058183
  2. Céline Tavares, Satoshi Koizumi, Hisao Kanda. Effects of RIE treatments for {111} diamond substrates on the growth of P-doped diamond thin films. physica status solidi (a). 202 [11] (2005) 2129-2133 10.1002/pssa.200561933
  3. J. Chevallier, C. Saguy, M. Barbé, F. Jomard, D. Ballutaud, T. Kociniewski, B. Philosoph, B. Fizgeer, S. Koizumi. Improvement of the electrical properties of compensated phosphorus-doped diamond by high temperature annealing. physica status solidi (a). 202 [11] (2005) 2141-2147 10.1002/pssa.200561926
  4. Yasuo Koide, S. Koizumi, H. Kanda, M. Suzuki, H. Yoshida, N. Sakuma, T. Ono, T. Sakai. Admittance spectroscopy for phosphorus-doped n-type diamond epilayer. Applied Physics Letters. 86 [23] (2005) 232105 10.1063/1.1944896
  5. 片桐 雅之, 小泉 聡, 磯谷順一, 神田 久生. ダイヤモンドへの低濃度リンドーピング. NEW DIAMOND. 21 [2] (2005) 20-21
  6. C. Tavares, A. Tajani, C. Baron, F. Jomard, S. Koizumi, E. Gheeraert, E. Bustarret. {111}-oriented diamond films and p/n junctions grown on B-doped type Ib substrates. Diamond and Related Materials. 14 [3-7] (2005) 522-525 10.1016/j.diamond.2004.10.019
2004
  1. Masayuki Katagiri, Junichi Isoya, Satoshi Koizumi, Hisao Kanda. Lightly phosphorus-doped homoepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition. Applied Physics Letters. 85 [26] (2004) 6365-6367 10.1063/1.1840119
  2. Mariko Suzuki, Satoshi Koizumi, Masayuki Katagiri, Hiroaki Yoshida, Naoshi Sakuma, Tomio Ono, Tadashi Sakai. Electrical characterization of phosphorus-doped n-type homoepitaxial diamond layers. Diamond and Related Materials. 13 [11-12] (2004) 2037-2040 10.1016/j.diamond.2004.06.022
  3. K. Haenen, M. Nesládek, L. De Schepper, R. Kravets, M. Vaněček, S. Koizumi. The phosphorous level fine structure in homoepitaxial and polycrystalline n-type CVD diamond. Diamond and Related Materials. 13 [11-12] (2004) 2041-2045 10.1016/j.diamond.2004.06.016
  4. R. Sauer, N. Teofilov, K. Thonke, S. Koizumi. Radiative recombination in phosphorus-doped CVD diamond. physica status solidi (a). 201 [11] (2004) 2405-2413 10.1002/pssa.200405184
  5. A. BenMoussa, U. Schühle, K. Haenen, M. Nesládek, S. Koizumi, J.-F. Hochedez. PIN diamond detector development for LYRA, the solar VUV radiometer on board PROBA II. physica status solidi (a). 201 [11] (2004) 2536-2541 10.1002/pssa.200405187
  6. Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Satoshi Koizumi. Defect characterization of cBN single crystals grown under HP/HT. physica status solidi (a). 201 [11] (2004) 2573-2577 10.1002/pssa.200405191
  7. M. Katagiri, J. Isoya, S. Koizumi, H. Kanda. Electron spin resonance characterization of phosphorus-doped CVD diamond films. physica status solidi (a). 201 [11] (2004) 2451-2456 10.1002/pssa.200405172
  8. A. Tajani, C. Tavares, M. Wade, C. Baron, E. Gheeraert, E. Bustarret, S. Koizumi, D. Araujo. Homoepitaxial{111}-oriented diamond pn junctions grown on B-doped Ib synthetic diamond. physica status solidi (a). 201 [11] (2004) 2462-2466 10.1002/pssa.200405183
  9. R. Sauer, N. Teofilov, K. Thonke, S. Koizumi. Donor-related cathodoluminescence in phosphorus-doped CVD diamond. Diamond and Related Materials. 13 [4-8] (2004) 727-731 10.1016/j.diamond.2003.10.004
  10. M. Mermoux, A. Tajani, B. Marcus, E. Bustarret, E. Gheeraert, M. Nesladek, S. Koizumi. Characterization of 〈111〉 diamond thin films by micro-Raman spectroscopy. Diamond and Related Materials. 13 [4-8] (2004) 886-890 10.1016/j.diamond.2003.12.002
  11. Z. Remes, C. Uzan-Saguy, E. Baskin, R. Kalish, Y. Avigal, M. Nesladek, S. Koizumi. Photo-Hall effect measurements in P, N and B-doped diamond at low temperatures. Diamond and Related Materials. 13 [4-8] (2004) 713-717 10.1016/j.diamond.2003.11.027
  12. Mariko Suzuki, Hiroaki Yoshida, Naoshi Sakuma, Tomio Ono, Tadashi Sakai, Satoshi Koizumi. Electrical characterization of phosphorus-doped n-type homoepitaxial diamond layers by Schottky barrier diodes. Applied Physics Letters. 84 [13] (2004) 2349-2351 10.1063/1.1695206
  13. T Sekiguchi, S Koizumi, T Taniguchi. Characterization of p–n junctions of diamond and c-BN by cathodoluminescence and electron-beam-induced current. Journal of Physics: Condensed Matter. 16 [2] (2004) S91-S97 10.1088/0953-8984/16/2/011
  14. Mariko Suzuki, Hiroaki Yoshida, Naoshi Sakuma, Tomio Ono, Tadashi Sakai, Masahiko Ogura, Hideyo Okushi, Satoshi Koizumi. Electrical properties of B-related acceptor in B-doped homoepitaxial diamond layers grown by microwave plasma CVD. Diamond and Related Materials. 13 [1] (2004) 198-202 10.1016/j.diamond.2003.10.036

書籍 TSV

2018
  1. KOIZUMI, Satoshi. n-Type diamond growth and the semiconducting properties. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. 2018 , 117-137
  2. Toshiharu Makino, KOIZUMI, Satoshi. Nobel diamond devices. Power Electronics Device Applications of Diamond Semiconductors. 2018 , 370-382
2013
  1. KOIZUMI, Satoshi, Toshiharu Makino. n-Type diamond growth and homoepitaxial diamond junction devices. Optical Engineering of Diamond (Wiley - VCH). 2013 , 177-208
  2. 小泉 聡. n 型ダイヤモンドの創成とバンドエンジニアリング. ポストシリコン半導体. 2013 , 267-282
2008
  1. KOIZUMI, Satoshi, SUZUKI Mariko, Pernot Julien. n - Type Doping of Diamond. Physics and Applications of CVD Diamond. 2008 , 237-256

会議録 TSV

2015
  1. D. Takeuchi, H. Kawashima, D. Kuwabara, T. Makino, H. Kato, M. Ogura, H. Ohashi, H. Okushi, S. Yamasaki, S. Koizumi. 4 A/cm<sup>2</sup>, 7kV normally-off diamond-emitter vacuum switch. Proceedings of the 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC’s 2015, -
2009
  1. Yiuri Garino, Tokuyuki Teraji, Satoshi Koizumi, Yasuo Koide, Toshimichi Ito. p-type diamond Schottky diodes fabricated by vacuum ultraviolet light/ozone surface oxidation: Comparison with diodes based on wet-chemical oxidation. PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 2009, 2082-2085
  2. Shozo Kono, KOIZUMI, Satoshi. Images and Energy Distributions of Electrons Emitted from a Diamond pn-Junction Diode. e-JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND NANOTECHNOLOGY 2009, 660-664
  3. KOIZUMI, Satoshi, Shozo KONO. Efficient NEA cathode operation of diamond pn junction. Proc. 16th International Display Workshops 2009, 1479-1480
2007
  1. KOIZUMI, Satoshi. n-Type doping of diamond. MRS symposium proceedings 2007, 0956-J04-01-956-J04-04
2005
  1. KOIDE, Yasuo, KOIZUMI, Satoshi, KANDA, Hisao, 鈴木真理子, 吉田博昭, 佐久間尚志, 小野富男, 酒井忠司. Admittance spectroscopy of phosphorus-doped n-diamond epilayer. The 24th EMS Proceedings 2005, 327-328
  2. KANDA, Hisao, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi. Change of cathodoluminescence spectra of diamond with continuous irradiation of low energy electron beam of 20 kV. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2005, 561-565
  3. KOIDE, Yasuo, KOIZUMI, Satoshi, KANDA, Hisao, 鈴木真理子, 吉田博昭, 佐久間尚志, 小野富男, 酒井忠司. Admittance spectroscopy of phosphorus-doped n-diamond homoepitaxial layer. DIAMOND AND RELATED MATERIALS 2005, 2011-2014
  4. Jacques Chevallier, T. Kociniewski, Cecile-Uzan Saguy, Rafi Kalish, Catherine Cytermann , M. Marbe, D. Ballutaud, F. Jomard, Alan Deneuville, Celine Baron, James E Butler, KOIZUMI, Satoshi. Some recent advances on the n-type doping of diamond. SOLID STATE PHENOMENA 2005, 703-708

口頭発表 TSV

2018
  1. 小泉聡. Recent development on heavily phosphorus doped n-type diamond growth. 2018 MRS Fall Meeting. 2018
  2. 嶋岡毅紘, 市川公善, 小泉聡, 渡邊 賢司, 寺地徳之. エッチピット形成によるダイヤモンドデバイスのリーク欠陥の検出. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018
  3. 市川 公善, 嶋岡 毅紘, 小泉 聡, 寺地 徳之. ダイヤモンドショットキーダイオードの順方向特性の変動と安定化. 第32回ダイヤモンドシンポジウム. 2018
  4. 嶋岡 毅紘, 市川 公善, 渡邊 賢司, 小泉 聡, 寺地 徳之. エッチピット形成によるダイオード漏れ電流欠陥の検出. 先進パワー半導体分科会 第5回講演会. 2018
  5. 市川 公善, 嶋岡 毅紘, 小泉 聡, 寺地 徳之. Au/ダイヤモンドショットキー障壁高さの安定性評価とその向上. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  6. 嶋岡 毅紘, 市川 公善, 渡邊 賢司, 小泉 聡, 寺地 徳之. ダイヤモンドダイオードの漏れ電流を誘起する欠陥検出. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018
  7. 小泉聡, 寺地徳之, 嶋岡毅紘. Heavily phosphorus doping of diamond and the electrical characteristics. 29th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2018
  8. KOIZUMI, Satoshi, TERAJI, Tokuyuki, SHIMAOKA, Takehiro. Growth and characterization of heavily phosphorus doped n-type diamond thin films. The 12th International New Diamond and Nano Carbons Conference. 2018
  9. 梅沢仁, 嶋岡 毅紘, 小泉 聡, Etienne GHEERAERT, Fabrice DONATINI, 牧野 俊晴, 杢野 由明. ダイヤモンドPiN接合のEBIC評価. 第65回応用物理学会春季学術講演会. 2018
  10. SHIMAOKA, Takehiro, KOIZUMI, Satoshi, TANAKA Manobu. Diamond pn diodes for charged-particle measurement. Hasselt Diamond workshop 2018. 2018
2017
  1. 小泉聡, 寺地徳之, 嶋岡毅紘. {111}単結晶CVD厚膜表面での高濃度リンドープダイヤモンド成長. 第31回ダイヤモンドシンポジウム. 2017
  2. 嶋岡 毅紘, 桑原大輔, 原明日翔, 牧野俊晴, 田中真伸, 小泉 聡. 縦型pinダイオードi層における電荷キャリア損失の評価. 第31回ダイヤモンドシンポジウム. 2017
  3. 嶋岡 毅紘, 桑原 大輔, 原 明日翔, 牧野 俊晴, 田中 真伸, 小泉 聡. 縦型pinダイオードi層におけるμτ積の評価. OIST Diamond Workshop 2017. 2017
  4. KOIZUMI, Satoshi, SHIMAOKA, Takehiro. Low resistivity phosphorus doped diamond thin films grown on {111} substrates with low off angles. 28th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2017
  5. SHIMAOKA, Takehiro, KUWABARA Daisuke, HARA Asahi, MAKINO Toshiharu, TANAKA Manobu, KOIZUMI, Satoshi. Charge collection properties of drift layer in diamond vertical pin diode. 28 th International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2017
  6. TERAJI, Tokuyuki, J. Isoya, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo. Homoepitaxial chemical vapor deposition of diamond film for ultra-light doping. The 11th International Conference on New Diamond and Nano Carbon. 2017
  7. 儀間弘樹, 片宗優貴, 大谷 亮太, 小泉 聡, 吉武 剛. 同軸型アークプラズマ堆積法により成膜した超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の窒素添加効果. 2017年 第64回応用物理学会春季学術講演会. 2017
  8. 小泉 聡. ダイヤモンドの結晶成長技術. 第64 回応用物理学会春季学術講演会「先進パワーデバイスのプロセス. 2017
  9. SHIMAOKA, Takehiro, KUWABARA Daisuke, Hara Asuka, MAKINO Toshiharu, TAKANA Manobu, KOIZUMI, Satoshi. Charge transport properties of intrinsic layer in diamond vertical pin diode. Hasselt diamond workshop. 2017
  10. SHIMAOKA, Takehiro, TERAJI, Tokuyuki, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi. Detection of killer defects in diamond by cathodoluminescence. Hasselt diamond workshop. 2017
  11. KOIZUMI, Satoshi, SHIMAOKA, Takehiro. Electrical characteristics of phosphorus doped diamond thin films growth on {111} substrates with low off angles. Hasselt Diamond Workshop 2017. 2017
  12. 小泉 聡. ダイヤモンドへの不純物ドーピングの特異性. ニューダイヤモンドフォーラム平成28年度第3回研究会. 2017
2016
  1. 嶋岡 毅紘, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 小泉 聡. カソードルミネッセンス法によるダイヤモンドのキラー欠陥評価. 第30回ダイヤモンドシンポジウム. 2016
  2. 小泉 聡, 嶋岡 毅紘. 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜の作製と電気特性評価. 第30回ダイヤモンドシンポジウム. 2016
  3. 小泉 聡, 嶋岡 毅紘. 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜の作製と評価. 2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会. 2016
  4. 大谷 亮太, 廖 梅勇, 上野克宜, 佐々木敬介, 田所孝広, 坪田雅功, 金子純一, 小泉 聡. n型ダイヤモンド薄膜およびダイヤモンドデバイスの耐X線・γ線特性. 第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016
2015
  1. 小泉 聡, 山本 卓, 大谷 亮太, Stoffel Janssens. {111}リンドープダイヤモンド成長の基板オフ角依存性. 第29回ダイヤモンドシンポジウム. 2015
  2. 大谷 亮太, 山本 卓, 小泉 聡. 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜のドナー準位評価. 第29回ダイヤモンドシンポジウム. 2015
  3. 小泉 聡. ダイヤモンドのパワーエレクトロニクス研究. SIP/次世代パワーエレクトロニクス 公開シンポジウム2015. 2015
  4. OHTANI, Ryota, KOIZUMI, Satoshi, UENOKatsunori, UMEZAWA Hitoshi, KANEKOJunichi. Developments of semiconductor diamond devices for severe accidents of a nuclear power plant. 11th RASEDA. 2015
  5. KOIZUMI, Satoshi. Semiconducting diamond growth and the device applications. WUPP-2015. 2015
  6. KOIZUMI, Satoshi. Diamond power electronics research in the Strategic Innovation Program (SIP) of Japan. 3rd - French-Japanese workshop on Diamond Power Devices. 2015
  7. OHTANI, Ryota, YAMAMOTO, Takashi, JANSSENS Stoffel, KOIZUMI, Satoshi. Characterization of heavily phosphorus doped n-type diamond thin films. 3rd French-Japanese Workshop “Diamond power devices”. 2015
  8. OHTANI, Ryota, YAMAMOTO, Takashi, UENOKatsunori, SASAKIKeisuke, TADOKORO Takahiro, KUWABARAHitoshi, TSUBOTOMasakazu, KANEKOJunichi, KOIZUMI, Satoshi. Gamma radiation response of diamond p-i-n diode. 9th International Conference on New Diamond and Nano Carbons. 2015
  9. 大谷 亮太, 山本 卓, 小泉 聡. 高濃度リンドープn型ダイヤモンド薄膜の評価. 第62回応用物理学会春季学術講演会. 2015
  10. 小泉 聡. 半導体ダイヤモンドのパワエレ応用に関する研究. ダイヤモンド・イノベーション・クラブ第8回研究会. 2015
  11. OHTANI, Ryota, YAMAMOTO, Takashi, UENOKatsunori, SASAKIKeisuke, TADOKORO Takahiro, KUWABARAHitoshi, TSUBOTOMasakazu, KANEKOJunichi, KOIZUMI, Satoshi. Diamond p-i-n structures for gamma radiation detectors. Hasselt Diamond Workshop 2015. 2015
2014
  1. 大谷 亮太, 山本 卓, 上野克宜, 佐々木敬介, 田所孝広, 桑原均, 坪田雅功, 金子純一, 小泉 聡. ダイヤモンドpin構造による高線量γ線検出. 第28回ダイヤモンドシンポジウム. 2014
  2. 山本 卓, 大谷 亮太, 小泉 聡. {111}リンドープダイヤモンド薄膜の取り込み効率III. 第28回ダイヤモンドシンポジウム. 2014
  3. 大谷 亮太, 山本 卓, 田所孝大, 上野克宜, 佐々木敬介, 桑原均, 坪田雅功, 金子純一, 小泉 聡. ダイヤモンドpin放射線検出器の試作. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  4. 山本 卓, 小泉 聡. プラズマCVD ダイヤモンドのリン取り込み効率温度依存性. 第75回応用物理学会秋季学術講演会. 2014
  5. 寺地 徳之, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 小泉 聡, 小出 康夫, J. Isoya. 同位体制御されたダイヤモンド成長のためのメタンガス高効率利用. 第33回電子材料シンポジウム(EMS33). 2014
  6. 山本 卓, C. Muller, L. P. McGuinness, 寺地 徳之, B. Naydenov, 小野田忍, 大島武, 小泉 聡, J. Wrachtrup, F. Jelezko, 磯谷順一. 窒素分子・炭素イオン共注入による室温ダイヤモンドスピン量子ビット. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  7. 大谷 亮太, 山本 卓, 小泉 聡, 山崎聡. n型ダイヤモンドCVD薄膜のリンドープ効率. 第61回応用物理学会春季学術講演会. 2014
  8. 寺地 徳之, 山本 卓, 小泉 聡, 渡邊 賢司, 小野田忍, 大島武, B. Naydenov, F. Jelezko, 磯谷順一. 単一光子源形成に適したダイヤモンド薄膜の成長. 第61回応用物理学会春季学術講演会 . 2014
  9. YAMAMOTO, Takashi, KOIZUMI, Satoshi. Epitaxial diamond growth on plasma-etched {111} diamond surface. SBDD XIX. 2014
  10. OHTANI, Ryota, YAMAMOTO, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, YAMASAKI Satoshi. Phosphorus doping efficiency in n-type CVD diamond thin films. Hasselt Diamond Workshop 2014. 2014
  11. TERAJI, Tokuyuki, YAMAMOTO, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, S. Onoda, T. Ohshima, L. P. McGuinness, B. Naydenov, F. Jelezko, J. Isoya. Diamond film growth for formation of single photon source. Hasselt Diamond Workshop 2014 SBDD XIX. 2014
  12. KOIZUMI, Satoshi. Diamond pn junction cathode. SBDD XIX Satellite Workshop on NEA-Diamond Junction Cathodes. 2014
2013
  1. 寺地 徳之, 谷口 尚, 小泉 聡, 小出 康夫, 磯谷順一. 原料ガスの高効率利用による同位体濃縮ダイヤモンドの合成. SiC及び関連半導体研究 第22回講演会. 2013
  2. 小泉 聡, 山本 卓, 竹内大輔. 低駆動電圧領域におけるダイヤモンドpn 接合冷陰極の電子放出特性. 第27回ダイヤモンドシンポジウム. 2013
  3. 大谷 亮太, 山本 卓, 小泉 聡, 山崎聡. {111}リンドープダイヤモンド薄膜のドーピング効率II. 第27回ダイヤモンドシンポジウム. 2013
  4. 山本 卓, クリストフ ミュラー, リアム マクグイネス, 寺地 徳之, ボリス ナイデノフ, 小野田忍, 大島武, フェド ヤレツコ, 小泉 聡, ヨーク バフトフ, 磯谷順一. ダイヤモンドスピン量子ビットの磁気的結合. 第27回ダイヤモンドシンポジウム. 2013
  5. 小泉 聡, 竹内大輔. ダイヤモンドpn接合冷陰極の形成と真空スイッチ応用. 電子デバイス研究会「電子管と真空ナノエレクトロニクス」. 2013
  6. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Effective Use of Isotopically-Enriched Methane for Diamond Film Growth. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia . 2013
  7. KOIZUMI, Satoshi. Efficient electron emission from diamond pn junction cathode. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  8. YAMAMOTO, Takashi, Christoph Muller, Liam P. McGuinness, TERAJI, Tokuyuki, Boris Naydenov, Fedor Jelezko, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, KOIZUMI, Satoshi, Joerg Wrachtrup, Fedor Jelezko, Junichi Isoya. Magnetically-coupled diamond qubits by molecular nitrogen implantation. 2013 JSAP-MRS Joint Symposia. 2013
  9. 寺地 徳之, 山本 卓, 小泉 聡, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 小野田 忍, 大島 武, 磯谷 順一. 高純度12C同位体濃縮ダイヤモンドのホモエピタキシャル合成. 第74回応用物理学会秋季学術講演会. 2013
  10. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi, J. Isoya, KOIDE, Yasuo. Effective use of source gas for isotpically-enriched diamond growth. ICDCM2013. 2013
  11. FIORI, Jean-Yves Alexandre, Fran&ccedil;ois Jomard, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, Junichi Isoya, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret. Synchronized B and 13C diamond delta structures for an ultimate in-depth chemical characterization. ISCSI VI. 2013
  12. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Effective use of source gas for 12C enriched diamond growth. ISCSI VI. 2013
  13. 寺地 徳之, 谷口 尚, 小泉 聡, 小出 康夫, 磯谷 順一. 同位体濃縮ダイヤモンド合成のためのメタンガス高効率利用. 第60回 応用物理学関係連合講演会. 2013
  14. KOIZUMI, Satoshi, Toshiharu Makino, Satoshi Yamasaki. Electron emission characteristics of diamond pn junction cathodes at low operation voltages. Hasselt Diamond Workshop 2013. 2013
  15. FIORI, Jean-Yves Alexandre, F. Jomard, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, J. Isoya, G. Prudon, E. Gheeraert, E. Bustarret. Synchronized B and 13C diamond delta structures. Hasselt Diamond Workshop 2013 SBDD XVIII. 2013
  16. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, Takashi Yamamoto, Shinobu Onoda, Ohshima Takeshi, B. Naydenov, F. Jelezko, Junichi Isoya. Isotopically-enriched 12C diamond films grown by chemical vapor deposition. Hasselt Diamond Workshop 2013 SBDD XVIII. 2013
  17. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, Junichi Isoya. Effective use of methane for isotopic enriched diamond growth. Hasselt Diamond Workshop 2013 SBDD XVIII . 2013
2012
  1. 小泉 聡. ダイヤモンドpn接合によるUV-LED研究. 平成24年度応用物理学会九州支部学術講演会. 2012
  2. 小泉 聡, 牧野俊晴, 山崎 聡. {111}リンドープダイヤモンド薄膜のドーピング効率. 第26回ダイヤモンドシンポジウム. 2012
  3. 廖 梅勇, サン リウエン, 菱田 俊一, 池田 直樹, 井村 将隆, 小泉 聡, 小出 康夫. ダイヤモンド・ナノマシンスイッチの創製. 第25回ダイヤモンドシンポジウム. 2012
  4. Alex Fiori, Franc Jomard, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, Junichi Isoya, Julien Pernot, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret. SIMS analysis of delta-doped diamond structures. IUMRS-ICEM2012. 2012
  5. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Isotopically-enriched 12C diamond films. IUMRS-ICEM 2012. 2012
  6. 小泉 聡. ダイヤモンドのn型ドーピング. 2012年 秋季 第73回応用物理学会学術講演会. 2012
  7. LIAO, Meiyong, HISHITA, Shunichi, KOIZUMI, Satoshi, TERAJI, Tokuyuki, SANG, Liwen, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo. Single crystal diamond MEMS/NEMS. International Conference on Diamond and Carbon Materials. 2012
  8. yamamoto takashi, onoda shinobu, ohshima takeshi, K. Jahnke, A. Gerstmayr, A. H&auml;u&szlig;ler, P. Heller, B. Naydenov, F. Jelezko, F. Dolde, H. Fedder, J. Honert, J. Wrachtrup, WATANABE, Kenji, TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, M. L. Markham, D. J. Twitchen, M. Miyanari, T. Umeda, J. Isoya. Defect Engineering in Fabrication of NV Centers by Nitrogen Ion Implantation. ICDCM 2012 . 2012
  9. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, KOIDE, Yasuo, Junichi Isoya. Isotopically-enriched 12C diamond films grown by chemical vapour deposition. ICDCM 2012. 2012
  10. LIAO, Meiyong, HISHITA, Shunichi, KOIZUMI, Satoshi, IMURA, Masataka, KOIDE, Yasuo. Diamond MEMS. Nanothailand 2012. 2012
  11. 廖 梅勇, 菱田 俊一, 井村 将隆, 小泉 聡, 小出 康夫. ダイヤモンド・ナノマシンスイッチ:シミュレーションと実験の比較. 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会. 2012
  12. KOIZUMI, Satoshi. Incorporation efficiencies of phosphorous for CVD diamond. Hasselt Diamond Workshop 2012. 2012
2011
  1. 廖 梅勇, 菱田 俊一, 小泉 聡, 小出 康夫. ダイヤモンド・ナノマシンスイッチの創製. 第25回ダイヤモンドシンポジウム. 2011
  2. 小泉 聡. ダイヤモンドpn接合陰極の動作条件と安定性. 第25回ダイヤモンドシンポジウム. 2011
  3. 廖 梅勇, 菱田 俊一, 井村 将隆, 小泉 聡, 小出 康夫. ダイヤモンド・ナノマシンスイッチ. 日本金属学会2011年秋期(第149回)講演大会. 2011
  4. TERAJI, Tokuyuki, TANIGUCHI, Takashi, KOIZUMI, Satoshi, WATANABE, Kenji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Junichi Isoya. Isotope enriched diamond growth by chemical vapour deposition. DIAMOND 2011. 2011
  5. 廖 梅勇, 菱田 俊一, 井村 将隆, 小泉 聡, 小出 康夫. 高性能単結晶ダイヤモンド・ナノマシンスイッチ. 2011年秋季 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  6. 小泉 聡. ダイヤモンドpn接合陰極の動作特性. 第72回応用物理学会学術講演会. 2011
  7. 寺地 徳之, 小泉 聡, 廖 梅勇, 磯谷順一. 同位体濃縮したダイヤモンド薄膜の化学気相合成. 第72回 応用物理学会学術講演会. 2011
  8. KOIZUMI, Satoshi. Emission current stability of diamond pn-junction cathode. NDNC 2011. 2011
  9. GARINO, Yiuri, TERAJI, Tokuyuki, LAZEA, Andrada, KOIZUMI, Satoshi. Injection Mechanism in {111}-oriented homoepitaxial diamond p-n junction. International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2011. 2011
  10. KOIZUMI, Satoshi. Emission current stability of diamond pn junction cathode. 2011 MRS Spring Meeting. 2011
  11. LAZEA, Andrada, TERAJI, Tokuyuki, GARINO, Yiuri, KOIZUMI, Satoshi. High quality p-type {111} homoepitaxial diamond thin films produced for diamond based devices. 2011 MRS Spring Meeting. 2011
  12. 廖 梅勇, 菱田 俊一, 小泉 聡, 小出 康夫. 単結晶ダイヤモンド・ナノマシンスイッチの開発. 2011年春季 第58回 応用物理学関係連合講演会 . 2011
  13. 小泉 聡. ダイヤモンドpn接合陰極の放出電流安定性. 第58回応用物理学関係連合講演会. 2011
  14. KOIZUMI, Satoshi. Emission current stability of diamond pn-junction cathode. The 16th International Hasselt Diamond Workshop . 2011
  15. GARINO, Yiuri, TERAJI, Tokuyuki, LAZEA, Andrada, KOIZUMI, Satoshi. Excess Tunnel Current in {111}-oriented homoepitaxial diamond p-n junction. SBDD2011. 2011
2010
  1. ガリーノ ユーリ, 小泉 聡, 寺地 徳之, ラーザ アンドラーダ. {111}ホモエピタキシャルダイヤモンドpn接合の電荷輸送機構. 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  2. ラーザ アンドラーダ, 寺地 徳之, 小泉 聡. High quality boron-doped {111} homoepitaxial diamond thin films grown for electrical device applications . 第24回ダイヤモンドシンポジウム. 2010
  3. 小泉 聡. ダイヤモンドPN接合電子放出ダイオード. 第71回応用物理学会学術講演会 応用電子物性分科会/薄膜・表面物理. 2010
  4. LIAO, Meiyong, WANG, Xi, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo. Photocurrent gain in intrinsic diamond detectors with non-Ohmic contacts. The 4th International Conference on New Diamond and Nano Carbon . 2010
  5. KOIZUMI, Satoshi, Shozo Kono. An application of diamond pn junction - Electron emission from diamond pn junction -. 4th International Conference on New Diamond and Nano Carbons. 2010
  6. 小泉 聡, BenMoussa Ali, Haenen Ken, Nesladek Milos. 人工衛星搭載ダイヤモンドPINフォトダイオード. 2010年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会. 2010
  7. KOIZUMI, Satoshi. Effect of water absorption to the electron emission from diamond pn junction. Hasselt Diamond Workshop 2010. 2010
2008
  1. 寺地 徳之, ガリーノ ユーリ, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜に形成した横型ショットキーダイオード. 第17回シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2008
  2. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. p型ホウ素ドープダイヤモンドへの室温オーミックコンタクトの形成. 第22回ダイヤモンドシンポジウム. 2008
  3. ガリーノ ユーリ, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, Toshimichi ITO . Charging behavior in reverse characteristics of diamond Schottky diodes. 第22回ダイヤモンドシンポジウム. 2008
  4. 寺地 徳之, 小泉 聡, 伊藤利道, 小出 康夫. ホウ素ドープp型ダイヤモンドのショットキー障壁高さの温度依存性. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  5. ガリーノ ユーリ, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. Reverse current transient behavior in diamond lateral Schottky diodes. 第69回応用物理学会学術講演会. 2008
  6. 小泉 聡, 鈴木真理子, 酒井忠司. ダイヤモンドpn 接合型エミッターからの高効率電子放出. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  7. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. ホウ素ドープp型ダイヤモンドショットキーダイオードの障壁高さ. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008
  8. 桐谷範彦, 谷本 智, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. メサ構造単結晶ダイヤモンド縦型ショットキーバリアダイオードの作製. 2008年春季応用物理学会学術講演会. 2008
  9. GARINO, Yiuri, TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, Toshimichi ITO. Electric property of Schottky contacts of p-type homoepitaxial {100} diamond with various boron concentrations. SBDD 2008. 2008
  10. KOIZUMI, Satoshi, Shozo Kono. Efficient electron emission from diamond pn junction diodes and the energy distribution. SBDD 2008. 2008
2007
  1. KOIZUMI, Satoshi, Mariko Suzuki, Tadashi Sakai. Electron emission from diamond pn junction. 2007 MRS Fall Meeting. 2007
  2. 小泉 聡. ダイヤモンドpn接合型エミッターからの高効率電子放出. 第21回ダイヤモンドシンポジウム. 2007
  3. 桐谷範彦, 谷本 智, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. 単結晶ダイヤモンド縦型ショットキーバリアダイオードの電気特性. 第21回ニューダイヤモンドフォーラム. 2007
  4. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 低濃度p型ホモエピタキシャルダイヤモンドのショットキーダイオード. 第21回ダイヤモンドシンポジウム. 2007
  5. Mariko Suzuki, KOIZUMI, Satoshi, Masayuki Katagiri, Tomio Ono, Naoshi Sakuma, Tadashi Sakai. Electrical properties of n-type diamond and diamond Schottky diodes. 第34回化合物半導体国際会議. 2007
  6. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 低濃度p型ダイヤモンド薄膜に形成した横型ショットキーダイオード. 第68回応用物理学会学術講演会. 2007
  7. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. Electric field breakdown of lateral Schottky diodes of diamond. NDNC 2007. 2007
  8. 小泉 聡, 鈴木真理子, 小野富男, 酒井忠司. ダイヤモンドpn接合からの電子放出. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  9. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. ダイヤモンド薄膜上に形成したショットキーダイオードの絶縁破壊. 第54回応用物理学関係連合講演会. 2007
  10. KOIZUMI, Satoshi, SUZUKI Mariko, Ono Tomio, Sakai Tadashi. Electron emission from diamond pn junction. Hasselt Diamond Workshop &#8211; SBDD XII . 2007
2006
  1. 小泉 聡, 小野富男, 酒井忠司. ダイヤモンドpn接合を用いた冷陰極. 第20回ダイヤモンドシンポジウム. 2006
  2. 水落健二, 河野省三, 後藤忠彦, 小泉 聡, 安藤 豊, 澤邊厚仁. CF4 プラズマ処理したn 型CVD ダイヤモンド(111)表面. 第20回ダイヤモンドシンポジウム. 2006
  3. 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 金属/高品質ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の接触特性. 第20回ダイヤモンドシンポジウム. 2006
  4. Ishiwata Hitoshi, KOIZUMI, Satoshi, Takenouchi Tomohiro, TAKANO, Yoshihiko, Nagao Masanori, Kawarada Hiroshi. Change of conductivity characteristic in heavily boron-doped diamond films. Diamond 2006. 2006
  5. TERAJI, Tokuyuki, KOIZUMI, Satoshi, KOIDE, Yasuo, H. Miyatake, H. Matsubara, T. Yamamoto, T. Ito. Schottky and Mott diodes formed on high-quality homoepitaxial diamond films. DIAMOND2006. 2006
  6. 小泉 聡, Celine TAVARES, 神田 久生. n型ダイヤモンド薄膜成長に対する水素イオン下地表面処理の効果. 第67回応用物理学会学術講演会. 2006
  7. Celine, TAVARES, Julien Pernot, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret, KOIZUMI, Satoshi. Hall electron mobility of n-type epilayers grown on untreated and RIE treated {111} diamond substrates. EXMATEC. 2006
  8. 石綿整, 小泉 聡, 手塚真一郎, 竹之内智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 羽多野 毅, 川原田洋. 濃度10%のボロンドープダイアモンドの電気特性. 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  9. 石綿整, 小泉 聡, 手塚真一郎, 竹之内智大, 高野 義彦, 長尾 雅則, 坂口 勲, 羽多野 毅, 川原田洋. 濃度10%のボロンドープダイヤモンドの電気特性. 2006年春季 第53回応用物理学関係連合講演会. 2006
  10. KOIZUMI, Satoshi, Celine, TAVARES, KANDA, Hisao. Effect of hydrogen ion etching pre-treatment of diamond substrates on phosphorus doped diamond growth. Surface and bulk defects in CVD diamond films, XI. 2006
  11. Celine, TAVARES, KOIZUMI, Satoshi, Julien Pernot, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret. Hall electron mobility of n-type epilayers grown on untreated and RIE treated {111} diamond substrates. Surface and bulk defects in CVD diamond films, XI. 2006
  12. Mariko Suzuki, KOIZUMI, Satoshi, KATAGIRI, Masayuki, Tomio Ono, Naoshi Sakuma, Hiroaki Yoshida, Tadashi Sakai, Shuichi Uchikoga. Electrical characteristics of n-type diamond Schottky diodes and metal/diamond interfaces. Surface and bulk defects in CVD diamond films, XI. 2006
2005
  1. KOIZUMI, Satoshi. Growth and characterization of n-type diamond thin films. IWSDRM2005. 2005
  2. 小泉 聡. ダイヤモンドLED. LEDEX Japan 2005. 2005
  3. 片桐 雅之, 磯谷順一, 梅田享英, 小泉 聡, 神田 久生. 電子スピン共鳴によるダイヤモンド中のリンドナーの評価. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  4. 片桐 雅之, 小泉 聡, 磯谷順一, 神田 久生. ダイヤモンドへの低濃度リンドーピング. 第19回ダイヤモンドシンポジウム. 2005
  5. 小泉 聡. CVDダイヤモンドを用いたソーラーブラインドUV センサー. 日本セラミックス協会第18回秋季シンポジウム. 2005
  6. KOIZUMI, Satoshi, Celine, TAVARES, KANDA, Hisao. Growth and characterization of P-doped diamond thin films grown on pre-treated {111} diamond surfaces. 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Car. 2005
  7. Cecile Uzan-Saguy, B. Fizgeer, Rafi Kalish, Jacques Chevallier, D. Ballutaud, F. Jomard, T. Kociniewski, KOIZUMI, Satoshi. Search for the origin of compensating defects in homo-epitaxial P-doped diamond layers. 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Car. 2005
  8. Ken, HAENEN, V. Mortet, J. D’Haen, Oliver A Williams, Milos Nesladek, L. De. Schepper, KOIZUMI, Satoshi. Characterisation of homoepitaxial and polycrystalline CVD diamond pn-junctions. 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Car. 2005
  9. KATAGIRI, Masayuki, 磯谷順一, 梅田享英, KOIZUMI, Satoshi, KANDA, Hisao. ESR characterisation of phosphorus donors in n-type diamond. 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Car. 2005
  10. Mariko Suzuki, KOIZUMI, Satoshi, KATAGIRI, Masayuki, Tomio Ono, Naoshi Sakuma, Hiroaki Yoshida, Tadashi Sakai. n-Type diamond Schottky diodes. SSDM 2005. 2005
  11. NIITSUMA, Junichi, Yuan, Xiaoli, KOIZUMI, Satoshi, SEKIGUCHI, Takashi. Nanoprocessing of carbon materials using variable pressure scanning electron microscope. The 10th International Conference on New Diamond Science and Tec. 2005
  12. KOIZUMI, Satoshi, Celine, TAVARES, KANDA, Hisao. Effects of RIE treatments for {111} diamond substrates on the growth of P-doped diamond thin films. ICNDST-10. 2005
  13. KATAGIRI, Masayuki, 磯谷順一, KOIZUMI, Satoshi, KANDA, Hisao. Electron spin resonance characterization of defects in phosphorus-doped diamond films. The 10th International Conference on New Diamond Science and Tec. 2005
  14. 片桐 雅之, 小泉 聡, 磯谷順一, 神田 久生. 低濃度リンドープn型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製 (Ⅱ). 第52回応用物理学関係連合学術講演会. 2005
  15. 小出 康夫, 小泉 聡, 神田 久生, 鈴木真理子, 吉田博昭, 佐久間尚志, 小野富男, 酒井忠司. リンドープn型ダイヤモンドのアドミタンス・スペクトロスコピー. 第52回応用物理学関係連合講演会. 2005
  16. 小泉 聡, Celine TAVARES, 神田 久生. 下地表面処理によるn型ダイヤモンド薄膜の高品質化. 春季第52回 応用物理学関係連合講演会. 2005
  17. 片桐 雅之, 磯谷順一, 小泉 聡, 神田 久生. ダイヤモンドの燐ドナーの電子スピン共鳴:構造と電子状態. 日本物理学会第60回年次大会. 2005
  18. Celine, TAVARES, KOIZUMI, Satoshi, KANDA, Hisao. Effects of RIE treatments of {111} diamond substrate on the growth of phosphorus doped n-type thin films. Surface and bulk defects in CVD diamond films, X. 2005
  19. Jacques Chevallier, Cecile Saguy, M.Barbe, F. Jomard, D.Ballutaud, T.Kociniewski, B. Philosoph, B. Fizgeer, KOIZUMI, Satoshi. Improvement of the electrical properties of compensated phosphorus-doped diamond by high temperature annealing. Surface and bulk defects in CVD diamond films, X. 2005
  20. S. Curat, Haitao Ye, Richard B. Jackman, KOIZUMI, Satoshi. Impedance spectroscopy of phosphorus doped diamond films. Surface and bulk defects in CVD diamond films, X. 2005
2004
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  2. 片桐 雅之, 磯谷順一, 梅田享英, 小泉 聡, 神田 久生. 電子スピン共鳴によるリンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価. 第18回ダイヤモンドシンポジウム. 2004
  3. 片桐 雅之, 磯谷順一, 梅田享英, 小泉 聡, 神田 久生. ダイヤモンド中のリンドナーの電子スピン共鳴. 第18回ダイヤモンドシンポジウム. 2004
  4. 鈴木真理子, 小泉 聡, 片桐 雅之, 小野富男, 酒井忠司, 佐久間尚志, 吉田博昭. C-V測定によるPドープホモエピタキシャルダイヤモンド中のドナー濃度の評価. 第18回ダイヤモンドシンポジウム. 2004
  5. TANIGUCHI, Takashi, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi. High pressure synthesis of high purity single crystal of cubic and hexagonal boron nitride. 15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Car. 2004
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  7. 鈴木真理子, KOIZUMI, Satoshi, KATAGIRI, Masayuki, H. Yoshida, N. Sakuma, T. Sakai. EElectrical properties of phosphorus doped CVD homoepitaxial diamond. 15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Car. 2004
  8. TANIGUCHI, Takashi, C.E.Nebel, J.A.Garrido, KOIZUMI, Satoshi. ELECTRONIC PROPERTIES OF NON-INTENTIONALLY AND SULFUR DOPED c-BN. 15th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Car. 2004
  9. 片桐 雅之, 磯谷順一, 小泉 聡, 神田 久生. 電子スピン共鳴によるリンドープホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の欠陥評価. 第65回応用物理学会学術講演会. 2004
  10. 小泉 聡. 高品質n型ダイヤモンドの成長とpn接合特性. 応用物理学会応用電子物性分科会研究例会. 2004
  11. KANDA, Hisao, KOIZUMI, Satoshi. Phosphorus related characteristics of synthetic diamonds. NATO Advanced Research Workshop "Innovative Superhard Materials . 2004
  12. 片桐 雅之, 磯谷順一, 小泉 聡, 神田 久生. 電子スピン共鳴によるリンドープダイヤモンド薄膜の評価. 第51回応用物理学関係連合学術講演会. 2004
  13. 片桐 雅之, 小泉 聡, 磯谷順一, 神田 久生. 低濃度リンドープn型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製 (Ⅰ). 第51回応用物理学関係連合学術講演会. 2004
  14. Ken Haenen, KOIZUMI, Satoshi, Milos Nesladek, L. De Schepper, R. Kravets, Milan Vanecek, KANDA, Hisao. The phosphorous level fine structure in homoepitaxial and polycrystalline n-type CVD diamond. ICNDST-9(9th International Conference on New Diamond Science and. 2004
  15. 鈴木真理子, KOIZUMI, Satoshi, KATAGIRI, Masayuki, H. Yoshida, N. Sakuma, Tomio Ono, T. Sakai. Electrical characterization of phosphorus doped n-type homoepitaxial diamond layers. ICNDST-9. 2004
  16. Milos Nesladek, KOIZUMI, Satoshi, Ken Haenen, B. Ruttens, G. Knuyt, L. De Schepper, M D’Olieslaeger. Single crystalline and polycrystalline CVD diamond pn junctions for UV light detection. ICNDST-9. 2004
  17. KOIZUMI, Satoshi, KATAGIRI, Masayuki, Ken Haenen, Milos Nesladek. Electrical properties of n-type diamond and the compensating defects. ICNDST-9. 2004
  18. 小泉 聡. ダイヤモンドのデバイス応用. 電気化学会第71回大会. 2004
  19. TANIGUCHI, Takashi, WATANABE, Kenji, KOIZUMI, Satoshi. Self-organized p-n domains in cBN single crystals grown under HP/HT. Defects and Impurities in Crystalline Boron Nitride Compounds. 2004
  20. 鈴木真理子, KOIZUMI, Satoshi, KATAGIRI, Masayuki, H. Yoshida, N. Sakuma, Tomio Ono, T. Sakai. Electrical properties of phosphorus doped n-type homoepitaxial diamond layers. Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX. 2004
  21. D. Troupis, KOIZUMI, Satoshi, Olivier Gaudin, Richard Jackman. Q-DLTS measurements of phosphorus doped diamond. Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX. 2004
  22. KOIZUMI, Satoshi, KATAGIRI, Masayuki, Ken Haenen, Milos Nesladek. Electrical properties of lightly phosphorus doped diamond thin films. Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX. 2004
  23. Antonella Tajani, Celine Tavares, M. Wade, Celine Baron, Etienne Gheeraert, Etienne Bustarret, D. Araujo, KOIZUMI, Satoshi. Homoepitaxial {111}-oriented diamond P/N junctions. Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX. 2004
  24. KATAGIRI, Masayuki, 磯谷順一, KOIZUMI, Satoshi, KANDA, Hisao. Electron spin resonance characterization of phosphorus-doped CVD diamond films. Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX. 2004
  25. Rolf Sauer, KOIZUMI, Satoshi, N. Teofilov, Klaus Thonke. Radiative recombination in phosphorus-doped CVD diamond. Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX. 2004
  26. Milos Nesladek, KOIZUMI, Satoshi, Ken Haenen. UV properties of single crystal and polycrystalline p-n junctions. Surface and bulk defects in CVD diamond films, IX. 2004

特許 TSV

登録特許
  1. 特許第6341565号 プラズマキャビティ用フランジ、プラズマキャビティ及びプラズマCVD装置 (2018)
  2. 特許第5360766号 ダイヤモンド半導体デバイス (2013)
  3. 特許第5077863号 低真空走査型電子顕微鏡を用いた炭素系材料の微細加工方法とその装置 (2012)
  4. 特許第4604172号 n型半導体ダイヤモンド薄膜の合成法 (2010)
  5. 特許第4019136号 ダイヤモンド紫外光発光素子 (2007)
  6. 特許第3903185号 深紫外線固体発光素子 (2007)
  7. 特許第3303135号 埋め込み金属層を持つ単結晶ダイヤモンドとその形成方法 (2002)
  8. 特許第3265363号 マイクロホールを有している金属薄膜の形成方法 (2002)
  9. 特許第3051912号 リンドープダイヤモンドの合成法 (2000)
公開特許
  1. 特開2016127088号 ダイヤモンド半導体デバイス (2016)
  2. 特開2009023855号 ダイヤモンド表面の改質方法とそれに用いるカバー材。 (2009)
  3. 特開WO2009005134号 ダイヤモンド半導体デバイス (2009)
  4. 特開2006232563号 n型半導体ダイヤモンド薄膜の合成法 (2006)
  5. 特開2006079873号 深紫外線固体発光装置 (2006)
  6. 特開2004095958号 深紫外線センサー (2004)
外国特許
  1. No. JP2016127088A DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2016)
  2. No. WO2016104684A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2016)
  3. No. JP2016015429A FLANGE FOR PLASMA CAVITY, PLASMA CAVITY, AND PLASMA CVD APPARATUS (2016)
  4. No. US20120291695A1 METHOD FOR PRODUCING HEXAGONAL BORON NITRIDE SINGLE CRYSTALS (2012)
  5. No. KR2012000586A The deep-ultra high-brightness light emitting is the high purity hexagonal boron nitride monocrystal and manufacturing method thereof, solid laser using the deep-ultra high brightness light emitting diode and this device consisting of the monocrystal and solid light emitting device. (2012)
  6. No. EP2169709A4 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2011)
  7. No. US20100289031A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2010)
  8. No. US20100091803A1 Solid-state high-luminance far ultraviolet light emitting element including highly pure hexagonal boron nitride single crystal, solid-state laser, and solid-state light emitting apparatus (2010)
  9. No. EP2169709A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2010)
  10. No. EP1686202A4 SINGLE CRYSTAL OF HIGHLY PURIFIED HEXAGONAL BORON NITRIDE CAPABLE OF FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMISSION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SINGLE CRYSTAL, AND UTILIZING THE DEVICE, SOLID LASER AND SOLID LIGHT EMITTING UNIT (2009)
  11. No. WO2009005134A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2009)
  12. No. KR2007001878A SINGLE CRYSTAL OF HIGHLY PURIFIED HEXAGONAL BORON NITRIDE CAPABLE OF FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMISSION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SINGLE CRYSTAL, AND UTILIZING THE DEVICE, SOLID LASER AND SOLID LIGHT EMITTING UNIT (2007)
  13. No. US20060185577A1 Single crystal of highly purified hexagonal boron nitride capable of far ultraviolet high-luminance light emission, process for producing the same, far ultraviolet high-luminance light emitting device including the single crystal, and utilizing the device, solid laser and solid light emitting unit (2006)
  14. No. EP1686202A1 SINGLE CRYSTAL OF HIGHLY PURIFIED HEXAGONAL BORON NITRIDE CAPABLE OF FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMISSION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SINGLE CRYSTAL, AND UTILIZING THE DEVICE, SOLID LASER AND SOLID LIGHT EMITTING UNIT (2006)
  15. No. WO2005078876A1 DEEP ULTRAVIOLET SOLID-STATE LIGHT-EMITTING DECICE (2005)
  16. No. WO2005049898A1 SINGLE CRYSTAL OF HIGHLY PURIFIED HEXAGONAL BORON NITRIDE CAPABLE OF FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMISSION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, FAR ULTRAVIOLET HIGH-LUMINANCE LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SINGLE CRYSTAL, AND UTILIZING THE DEVICE, SOLID LASER AND SOLID LIGHT EMITTING UNIT (2005)

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