熱フィラメントCVD 法により成長した高濃度リンドープダイヤモンド(111)薄膜の電気的特性
(Electrical properties of heavily phosphorus-doped diamond (111) thin films grown by hot-filament CVD)
第３６回ダイヤモンドシポジウム. 2022年11月16日-2022年11月18日.
NIMS著者
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作成時刻: 2023-11-28 03:08:54 +0900 更新時刻: 2023-11-28 03:08:54 +0900