publication_type	article_identifier	title	year	reported_at
patent	2020161587	半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置	2020	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2016127088	ダイヤモンド半導体デバイス	2016	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2016015429	プラズマキャビティ用フランジ、プラズマキャビティ及びプラズマＣＶＤ装置	2016	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	EP2169709, US20100289031, WO2009005134, USS20100289031	ダイヤモンド半導体デバイス	2010	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	US20060185577A1, EP1686202	遠紫外高輝度発光する高純度六方晶窒化ホウ素単結晶とその製造方法ならびに前記単結晶からなる遠紫外高輝度発光素子とこの素子を使用した固体レーザ、および固体発光装置	2006	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2006190578	低真空走査型電子顕微鏡を用いた炭素系材料の微細加工方法とその装置	2006	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2005228886	深紫外線固体発光素子	2005	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2002231996	ダイヤモンド紫外光発光素子	2002	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2001077048	半導体ダイヤモンドへの低抵抗オーミック電極及びその形成方法	2001	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2001185496	埋め込み金属層を金属電極として持つ単結晶ダイヤモンド電子デバイスとその形成方法	2001	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	2001192858	マイクロホールを有している金属薄膜の形成方法	2001	2024-04-19 16:11:04 +0900
patent	H10081587	リンドープダイヤモンドの合成法	1998	2024-04-19 16:11:04 +0900