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p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜に形成した横型ショットキーダイオード
(Lateral-type Schottky Diodes Fabricated on p-type Homoepitaxial Diamond Films)

第17回シリコンカーバイド及び関連ワイドギャップ半導体研究会. 2008年12月08日-2008年12月09日.

NIMS著者


Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット


    作成時刻: 2017-02-14 11:44:13 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:22:26 +0900

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