HOME > 口頭発表 > 書誌詳細ホウ素ドープp型ダイヤモンドショットキーダイオードの障壁高さ(The barrier height of Schottky diodes of boron-doped p-type diamond)寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008年03月27日-2008年03月30日.NIMS著者寺地 徳之小泉 聡小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:35:37 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:07:44 +0900