HOME > Presentation > Detailホウ素ドープp型ダイヤモンドショットキーダイオードの障壁高さ(The barrier height of Schottky diodes of boron-doped p-type diamond)寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫, 伊藤利道. 第55回応用物理学関係連合講演会. 2008.NIMS author(s)TERAJI, TokuyukiKOIZUMI, SatoshiKOIDE, YasuoFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:35:37 +0900Updated at: 2017-07-10 20:07:44 +0900