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n-Type Diamond Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor With High Operation Temperature of 300°C

IEEE Electron Device Letters 43 [4] 588-591. 2022.

NIMS著者


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    作成時刻: 2022-12-17 03:24:45 +0900更新時刻: 2024-09-05 09:04:12 +0900

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