HOME > 口頭発表 > 詳細口頭発表の表示著者名笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. タイトル単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ(High Mobility Diamond Field-Effect Transistor with a Monocrystalline h-BN Gate Dielectric)会議名第79回応用物理学会秋季学術講演会発表年2018言語Japanese
