単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(High Mobility Diamond Field-Effect Transistor with a Monocrystalline h-BN Gate Dielectric)
第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018年09月18日-2018年09月21日.
NIMS著者
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作成時刻: 2018-07-20 16:38:59 +0900更新時刻: 2018-07-20 16:38:59 +0900