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著者名笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀.
タイトル単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ
(High Mobility Diamond Field-Effect Transistor with a Monocrystalline h-BN Gate Dielectric)
会議名第79回応用物理学会秋季学術講演会
発表年2018
言語Japanese

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