HOME > 口頭発表 > 書誌詳細単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ(High Mobility Diamond Field-Effect Transistor with a Monocrystalline h-BN Gate Dielectric)笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018.NIMS著者笹間 陽介井村 将隆寺地 徳之渡邊 賢司谷口 尚内橋 隆山口 尚秀Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-07-20 16:38:59 +0900更新時刻: 2018-07-20 16:38:59 +0900