HOME > Presentation > Detail単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ(High Mobility Diamond Field-Effect Transistor with a Monocrystalline h-BN Gate Dielectric)笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. 2018.NIMS author(s)SASAMA, YosukeIMURA, MasatakaTERAJI, TokuyukiWATANABE, KenjiTANIGUCHI, TakashiUCHIHASHI, TakashiYAMAGUCHI, TakahideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at :2018-07-20 16:38:59 +0900 Updated at :2018-07-20 16:38:59 +0900