HOME > Presentation > Detail単結晶h-BNを用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ(High Mobility Diamond Field-Effect Transistor with a Monocrystalline h-BN Gate Dielectric)笹間 陽介, 小松 克伊, 森山 悟士, 井村 将隆, 寺地 徳之, 渡邊 賢司, 谷口 尚, 内橋 隆, 山口 尚秀. 第79回応用物理学会秋季学術講演会. September 18, 2018-September 21, 2018.NIMS author(s)SASAMA, YosukeIMURA, MasatakaTERAJI, TokuyukiWATANABE, KenjiTANIGUCHI, TakashiUCHIHASHI, TakashiYAMAGUCHI, TakahideFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2018-07-20 16:38:59 +0900Updated at: 2018-07-20 16:38:59 +0900